SJ∕T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范

ICS31.080.303CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管中华人民共和国工业和信息化部发布ISJ/T1486—2016——本标准依据GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》。——本标准外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。——本标准增加了极限值参数VcBo(见本规范4.3),增加了电特性参数V(BR)CBo(见本规范A2b分组)和高温下的截止电流Loso2(见本规酒5.8p(见本规范A2b分组，旧版见3CG130型PNP硅外延平面三极管规范表)测试条件由Vep=-L,5V改为=-2V,删掉了交流参数Kp和NF(见旧版3CG130型PNP硅外延平面三极管规范表)。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本标准起草单位济南市半导体元件实本标准主要超草人侯秀萍、卞岩。本标准于19t9年首次发布本次为第一次修灯。件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》1半导体分立器件3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范中华人民共和国工业和信息化部评定器件质量的根据：GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》,GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》SJ/T1486—2016半导体分立器件3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范外形尺寸高频放大环境额定的双极型晶体管半导体材料：硅封装：金属封装(空腔)应用：在各种电路中作开关及高频放大与振荡用。中A3-02B型的要求。0上(Xp0.500x0P4工程数据Po=700mw(TA=25℃)=100mAhe:25～270o=-1203240VEBO=-4Vf≥50MHz(3CG180A~3CG)80p)f≥150MHz(3CG18QEr3CG18OH)单位为毫来符号尺寸数值最大A6.106.60——0.41—0.518.649.398.018.50j0.710.790.87K0.74L—L—24规范性引用文件下列文件对于本标准的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本标准。GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法GB/T6217—1998半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7581—1987半导体分立器件外形尺寸GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范5极限值(绝对最大额定值)极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。章号符号单位最小值最大值环境温度Tamb℃贮存温度Tatg℃最大集电极-基极直流电压VcsoV最大集电极-发射极直流电压V最大发射极-基极直流电压V最大直流集电极电流mAT=25℃,不加散热片时的最大额定功率PtotmW最高结温℃3SJ/T1486—20166电特性电特性见表2。检验要求见本标准的第9章。表2电特性章号特性和条件除非另有规定，Tmb=25℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)符号单位试验分组最小值最大值黄绿正向电流传输比V=-10V,I=20黄绿色标：橙灰A2b、C2b特征频率V=-20=20mA,30MHz3CG180A~3CC(80D3CC180E30G180HzA4、C2a集电极-基极截止电流-30集电板发射极截止电流Vf30yAA2bA2b高温下的县电极-基极截止电流发射极-基板开路，Tm=150℃,Va=-30VC2b发射极-基极截上电流集电极-基极开路；=-2VA2b基极-发射极饱和电压I=5mA,I=50mAVe(sat)V-1.0A5集电极-发射极饱和电压I=5mA,I=50mA-0.6A5集电极-基极击穿电压发射极-基极开路，I=100μA3CG180A3CG180B3CG180C3CG180D3CG180E3CG180F3CG180G3CG180HVV-120-160-200-240-120-160-200-240A5发射极-基极击穿电压集电极-基极开路，I=100μAVR)VA547.1器件上的标志——hE分档色标；包装盒上的标志包括：——制造厂商标；8订货资料——产品型号和分档标志；——he分档色标；——质量评定类别标志Ⅱ,如3CG180AⅡ;9试验条件和检验要求5SJ/T1486—2016表3A组一逐批检验或试验符号引用标准除非另有规定，Tamb=25℃±5℃极限值单位LTPD最小值最大值A1分组外部目检GB/T4589.1—20064.3.1.1标志清晰，表面无机械损伤、破损5A2a分组不能工作器件集电极-基极截止电流正向电流传输比GB/T4587—1994,IV,1,2.1GB/T4587—1994,发射极-基极开路，V=-30VV=-10V,I=20mA短路：Ico≥50μA开路：he≤5A2b分组集电极-基极截止电流集电极-发射极截止电流发射极-基极截止电流正向电流传输比集电极-基极击穿电压3CG180A3CG180B3CG180C3CG180D3CG180E3CG180F3CG180G3CG180H发射极-基极击穿电压基极-发射极饱和电压集电极-发射极饱和电压Vg)EGB/T4587—1994,IV,1,2.1GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,IV,1,2.2GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,发射极-基极开路，=-30V发射极-基极开路，=-30V集电极-基极开路，V=-2VVa=-10V,I=20mA发射极-基极开路，I=100μA集电极-基极开路，I=100μAI=5mA,I=50mAI=5mA,Ic=50mA-120-160-200-240-120-160-200-2401—-1.0-0.8VV5A4分组特征频率3CG180A～3CG180D3CG180E～3CG180HIV,1,13.2Ke=-10V,I=20mA,f=30MHzMHz注：全部试验都是非破坏性的(见GB/T4589.1-2006的3.6.6)。6检验或试验符号引用标准(见GB/T4589.1—2006的4.1)最小值最大值单位B1分组尺寸A、φD见第1章外形图B3分组引出端强度(D)弯曲方法1,受试引电端数：3外如弯曲力：发现有断裂(密封弯月面器件管体之间有相对移动均认为器件失效B4分组可焊性GB/C4937—1995焊槽法润湿良好B5分组快速温度变化密封最后测试集电极-基极截止电流正向电流传输比IV,1.2.17=-55T=175℃;5个环发射极基极开路2分组正南电流传输出B8分组电耐久性(168h)最后测试集电极-基极截止电流正向电流传输比IV,1,2.1工作寿命：t=168h,V=-35V,Pot=700mW发射极-基极开路Ka=-30VG=+10v,G20橙1—注：标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4589.1-2006的3.6.6)。7检验或试验符号引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃,(见GB/T4589.1—2006的4.1)LTPD最小值最大值单位C1分组尺寸GB/T4589.1—20064.3.2除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸见第1章外形图C2a分组特征频率3CG180A～D3CG180E～HGB/T4587—1994,IV,1,13.2V=-10V,I=20mA,f=30MHz—MHzC2b分组正向电流传输比高温下的集电极-基极截止电流GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,IV,1,2.1Ve=-10V,I=20mATm=150℃,发射极-基极开路，V=-30V—C3分组引出端强度(D)拉力GB/T4937—1995IⅡ,1.1发现有断裂(密封弯月面处的除外)、松动或引线和器件管体之间有相对移动均认为器件失效C4分组耐焊接热(D)最后测试GB/T4937—1995IⅡ,2.2方法1A。周期=180d同B5分组最后测试C6分组恒定加速度最后测试GB/T4937—199520000g同B5分组最后测试C7分组稳态湿热(D)最后测试GB/T4937—1995Ⅲ,585℃,相对湿度85%,Vca=-100V,时间168h同B8分组最后测试C8分组电耐久性(1000h)最后测试GB/T4587—1994V,1工作寿命：t=1000h,Vg=-35V,Pot