SJ-T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范

I前言 I引言 12规范性引用文件 1本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件属于发光二极管器件系列标准，是GB/T36358—2018半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范下的详细规范。发光二极管器件系列标准已出版了以下几个部分：——GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范；——GB/T12565—1990半导体器件光电子器件分规范；——GB/T36358—2018半导体光电子器件一功率发光二极管空白详细规范；——SJ/T11400—2009半导体光电子器件T水功率发光二极管空白详细规范；请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不子担识别专利的责任。本文件由中国电子技术标准化研究院归口。本文件起草单位：晶能光电(江西)有限公司、中国电子技术标准化研究院江西省晶能半导体有限公司、南昌光各光年业业研究院有限公司、中节能晶和科技有限公司、汇西省绿野汽车照明有限公司、深圳市长方集团股伤有限公司，惠州雷上光电科技有限公司、长春常达电子技不有限公司、上海三思电子工程有限公司深圳市洲阴科技股份有限公司、中国光学光电子协会，惠州仲恺高新区LED品牌发展促进会、中国计量科学研究院、汪西通用节能科技有限公司、昌高新区光电产业联盟。本文件主度起草人：王微、刘秀娟、江柳杨、涂洪平、封波、尹江涛、王志、要利平、曾平、涂鸿斌、刘志图、果芳超、洪眉，成森继、于琼，向健勇、白莹杰、的飞龙、陈赤。 1半导体光电子器件硅衬底白光功率发光二极管详细规范2规范性引用文件仅该日期对应的版本适阻本文件；不注日期的引用文件，其最新版本括所有的修改单)适用于本GB/T2422.i2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A低温GB/T24233+-2016电工电子产品环境试验第3部分：试验方法试验Cab:恒定湿热试验GB/T24284-2008电工电子产品环境试验第4部分：试当方法试验Db:交变湿热(12h+12h循环)GB/T242322-2012环境试验第2部分：试验方法试验N:温度变化GB/I2423,28-2005电工电子产品环填试验第2部分。试验方法试验锡焊GB/T45891+2006半导体器件一分立器件和集成电路总规范GB/T4921+2006半将体器件机械和气候试验方法魔1部分：总贝GB/T49b7.21-2018半导体器件一机械和气候试验方法第21部分：可焊理GB/T[25651990半导体器件一光电子器件分规范GB/T36338-2018半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范GB/T3703il2半导体照明术语IEC601912半导体器件机械标准第2部分：尺寸(MechanicalstandardiztionofsemiconductorGB/T37031-2018界定的术语定义适用于最件4要求4.1总则器件外形结构应符合附录A的规定。器件应符合GB/T36358—2018和本文件的规定，本文件与4.2.1材料21℃2℃3管壳温度℃4(规定最长焊接时间)—s5一5V6管壳温度为25℃下的直流正向电流(规定的脉冲条件下)F7管壳温度为25℃下的峰值正向电流(规定的脉冲条件下)一8V9W4.3.2光电及色度特性除非另有规定Tamb=25℃1V2134半强度角05显色指数(要求时)K67 834.4环境适应性4.4.1可焊性对器件进行可焊性试验后，其性能参数应满足表4的要求。4.4.2温度循环在高温125℃保持30min和低温-40℃保持30min的条件下进行100个周期温度循环试验后，其性能参数应满足表4的要求。4.4.3湿热循环在高温85℃和相对湿度85%条件下进行168h湿热循环试验后，其性能参数应满足表4的要求。4.4.4耐焊接热4.4.5稳态湿热4.5电耐久性4.6静电敏感电压5检验方法5.1测试条件5.1.2加电工作条件5.1.3试验条件和方法a)温度：18℃~26℃;b)环境湿度：20%～60%;c)测试系统接地良好，接地电阻不大于4Ω。按GB/T36358—2018的规定，对照附录A进行。5.3光电和色度特性5.3.1正向电压按SJ/T11394—2009中方法1001进行。4器件在-40℃保持30min,然后升温40min至125℃,在125℃保持30min,后降温15min至器件分别在55℃和相对湿度95%条件下进5.6电耐久性按GB/T4589.1-2006的3.10.2的规定，施加规定的正向电流，5.7静电敏感电压56检验规则器件的检验规则应符合GB/T4589.1-2006和本文件的规定。6.2检验分类本文件规定的检验为质量一致性检验(见6.7)。6.3批的组成6.3.1器件批从器件加工开始，采用同一组原材料、同工艺过程的器件构从器件加工开始，采用同一组原材料、同工艺过程的器件构成一个器件批次。每个器件批次应给定一个能追溯到所有器件加工步骤的识别代码6.3.2检验批6.4抽样质量一致性检输的抽样应按本文件的67规定进行。当提交质量一致性检验的任一检验批不符合要求时，应进行大效分析并确定朱效机理。如确认该失效是可以通过过整批器件重新进行A组和B组检验而有效剔除的缺陷；或者该失政并不反映产品具有基本设计或基本生产工艺问题的缺陷，则允许对该分组采用加严检验(按双倍样品量及合格判定数为零的方案)的方法重新提交一次。重新提交的批不得与其他的批相温。如果失效分析表明失效是由于基本工艺程序不良、基本设计缺陷或是无法通过筛选剔除的缺陷，则该批不得重新提交6.6质量评是类别按GBT.-2006的2.61尖的规定，进行A组和B组逐批检验以及上组周期检验。6.7质量一致性检验每一检验批的器件在交付前应按本文件的规定进行质量一致性检验。质量一教性检验包括A组、组检验合格的批可以交付在C组检验不合格的情况下应停业交付待按65规定对C组重新检验合格后方可恢复交付。6.7.2A组检验从检验批中随机抽取器件，按表3的规定进行A细检验。各分组的测试可按任意顺序进行。6.7.3B组检验从A组检验合格的检验批中随机抽取器件，按表4的规定进行B组检验。各分组的测试可按任意顺序进行。6表3A组(逐批)除非另有规定极性颠倒≥1.5USL或≤0.5LSL电特性Vr=5V—显色指数(要求时)R电特性k—显色指数(要求时)R一7表4B组(逐批)—相关色温Vr=5V相关色温Vr=5V电耐久性注2:IVD为初始值。8除非另有规定，最小C1分组(同B1分组)半强度角反向电流正向电历电耐久性正向电库反向电流V5注2:IVD为初始值。9保存5年。8.1.1型号组成硅衬底功率白光LED型号命名由两部分组成，其中，第一部分由一位大写字母X代表器件采用的是是硅衬底LED芯片，第二部分由一位大写英文字母代表芯片尺寸。图1器件型号命名组成8.1.2型号代号型号命名的第二部分的大穿英文字母目FOSKL、M,各自代表的意义见表6。表6器件类型代号D硅衬底LED芯片的尺寸为30mil86mkE硅衬成ED芯片的尺寸为mil42oilF础社高LED芯片的尺寸为G对底LED芯片的尺寸为56mil56milK硅衬底LED芯片的尺寸为63mil63milL硅MX注：1milQ.02mn8.2订货资料a)准确的型号；b)主要光电及色度特性参数，如正向电压、光通量、相关色温、显色指数、色品坐标。硅衬底白光功率发光二极管结构A.1器件结构器件典型外形结构图见图A.1。图A.1外形结构示意图A.2外形尺寸和标志器件典型外形尺寸和标志见图A.2和图A.3。十图A.23.5mm×3.5mm规格外形尺寸和极性标志图A.35.0mm×5.0mm规格外形尺寸和极性标志A.3包装规格包装方式：7英寸卷盘包装(包装数量：1000pcs),载带尺寸图见图A.4、卷盘尺寸图见图A.5、防潮包装图见图A.6。带尺寸图