GBT 4937.31-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）_第1页
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文档简介

Part31:Flammabilityofplatic-encapsulateddevices(internallyinduced)国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会IGB/T4937.31—××××/IEC——第11部分：快速温度变化双液槽法； ⅡGB/T4937.31—××××/IEC60体器件机械和气候试验方法》是半导体器件进行试验的基础性和通用性标准，对于评价和考核半导体——第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST)。目的在于规定强加速稳态湿热试验(HAST),以检——第10部分：机械冲击。目的在于检测半导体器件和印制板组件承受中等严—第11部分：快速温度变化双液槽法。目的在于规定半导体器件的快速温度变化(双液槽法)——第13部分：盐雾。目的在于检测半导体器件——第14部分：引出端强度(引线牢固性)。目的在于检测半导体器件引线/封装界面和引线的牢——第15部分：通孔安装器件的耐焊接热。目的在于检测通孔安装的固态封装半导体器件承受——第16部分：粒子碰撞噪声检测(PIND)。目的在于规定空腔器件内存在自由粒子的检测——第17部分：中子辐照。目的在于检测半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。——第18部分：电离辐射(总剂量)。目的在于规定评估低剂量率电离辐射对半导体器件作用的 第20部分：朔封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响。目的在于通过模拟贮存在仓库或 Ⅲ——第26部分：静电放电(ESD)敏感度测试人体模型(HBM)。目的在于规定可靠、可重复的——第28部分：静电放电(ESD)敏感度测试带电器件模型(CDM)器件级。目的在于规定可 VGB/T4937.31—××××/IEC60GB/T4937(所有部分)均为一一对应采用IEC60749(所有部分),以保证半导体器件试验方法与国GB/T4937.31—××××/IEC60749-31

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