SJ∕T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻_第1页
SJ∕T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻_第2页
SJ∕T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻_第3页
SJ∕T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻_第4页
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ICS31.260 2016-06-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布I——第1部分：总则；——第2部分：正向电压；——第3部分：反向电压和反向电流；——第4部分：总电容；——第5部分：串联电阻；——第6部分：辐射功率9——第8部分输射强度；——第1部分：峰值发射波长带宽；本部分为SJ/N2658的第15部分。本部分依据CB/-2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》的规定编写。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。1半导体红外发射二极管测量方法本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)热阻的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则SJ/T2658.14半导体红外发射二极管测量方法第14部分：结温SJ/T11394—2009半导体发光二极管测试方法3术语和定义SJ/T11394—2009界定的术语和定义适用于本文件。4一般要求测量热阻总的要求应符合SJ/T2658.1。5测量方法5.1.1测量原理图热阻的测量原理图见图1。本方法通过对被测器件施加不同电流，测量结温增量与通道耗散功率的2SJ/T2658.15—2016G₂——电流源；Mv——电压测量装置。图1热阻测量原理图5.2测量步骤热阻的测量按7列步骤进行：a)按图1连接测量系统，并按SI2658.14中测量步骤的a~c)测量Vr和VFi——第一状施加测量电流时的结电压，V;VFf——经过加热电流作用后再次施加测量电流时的结电压，Tx——器件参考点温度，C注1:器件热学测量的电试验法中最重要的问题之一是如何实现快速和准确测量第二个正向电压VFf,在被测器件撤除所加电流的瞬时，结温立即下降，但是电压测量和读数需要一定时间。因此所获得的测量数据有误差，通常要做出被测器件的冷却曲线从而对测量数据进行修正。注2:测量结-管壳热阻Rh(J-c)时，要使最大热流通过管壳顶面，其他任何一个面流过最小热流，这可以通过把一个“无穷大”热沉和管壳顶面热接触来实现。“无穷大”热沉表示它是一个在测量过程中没有温度变化的等热表面，在大多数情况下是难以实现的，实用中可以用内部嵌有热电偶的大块无氧铜来替代，把铜块的温升计入测量结果。在器件芯片/管壳/试验板/环境温度组合产生热平衡后，监视结表面温度(T)和管壳表面温度3SJ/T265

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