SJ∕T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量_第1页
SJ∕T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量_第2页
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ICS31.080Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part7:Radiantflux中华人民共和国工业和信息化部发布ISJ/T2658.7—2015 性修改外主要技术变化如下： 1半导体红外发射二极管测量方法第7部分：辐射通量本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射通量的测量原理图、测量步骤以及规定凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则4一般要求5测量方法5.1测量原理图2SJ/T2658.7—2015积分球探测头A十注1:被测器件发射的光辐射经积分球壁步次反射，在球壁产生与辐射通量成比例的均匀光；光度攥测系统的探测；遮光屏为探测系统屏蔽了来自被测器件的直接辐射注2:可采用变角光度计测量。被测器件、遮光扉以及光度探测系统的探测积分球相比，表面被应该小很多；球内壁和通光屏表面应有一层于功率消耗产生的变化5.2测量步骤辐射通量的测量按下列步骤进行测头直接受到光辐射；b)调节电流源，给被测器件施加规定的正向电流I,用光度探测系统测量辐射通量值Φe。

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