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文档简介

HAASSTechnicalregulationforinterplantingI本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定2西瓜套种甘薯栽培技术规程GB/T23416.3蔬菜病虫害安全防治技NY/T496-2010NY/T3537-2020DB41/T587-2009甘薯优质高产栽培DB41/T653-2010西瓜嫁接育苗垄上覆盖地膜，垄两边插细竹竿或竹片形成小拱棚骨架，小拱棚骨架最高点与垄面保持50～70cm34产地环境按2.0m配置一条种植带，包含一垄西瓜一垄甘薯，西瓜采用天地膜覆盖栽培，甘薯采用栽培，西瓜垄宽60cm，高20～25cm，垄上定植一行西瓜，选用可以满足西瓜育苗需要的日光温室或塑2月下旬至3月中旬西瓜播种，砧木播种比接穗提4质。然后将育苗穴盘和平盘摆于苗床中覆膜嫁接后白天温度保持25～28℃,不超过30℃,夜间18℃左右，盖膜，遮阴。3～5d后温度、肥水、选择背风向阳、地势高燥、土层深厚、肥沃疏松、排灌方便的砂质冬前或早春深耕30cm左右晒地，定植前10～15d造墒、施肥、耕地。耕地前每667㎡施入腐覆地膜，地膜厚度为0.008-0.015mm，宽度为1m，地膜选用应符合GB1373厚度0.1mm，宽度1.5m，天膜选用应符合定植5～7d后膜内温度高于38℃时，在天膜背风一侧的下方地面处间隔3～5m掀一个宽20cm，高5~育的适宜温度时，可以撤去天膜，西瓜在天膜内采用滴灌浇水，开花期控制浇水，幼果长至拳头大小时，浇膨5磷、钾三元复合肥10～15kg。西瓜果实膨大期每66瓜行两侧20cm处定植两行甘薯，株距40～45cm，采用斜插，插入深度10cm，或水平法，栽植深度5~西瓜拉秧后，甘薯进入结薯后期，管理方法按照DB4预防为主，综合防治。优先使用农业防治、物理防治、生物防治。使用化学防治时，应执行GB/T23416.3、GB/T23416.11和NY/T1276的规定，采收前16子叶和叶片上病斑初期为近圆形黄褐色500倍液或70%甲基硫菌灵茎蔓受害后最明显的特征是有琥珀色胶质物3000～5000倍液或75%百菌清治，5～7d喷一次，连喷2～3覆盖银灰反光地膜驱避，也可用黄板引诱。初发期用25%噻虫嗪7500倍液或10%吡7可用70%甲基托布津600倍时间为2～3min；或用96%恶霉主要为害块根及幼苗茎基部,幼苗呈黑

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