三次作业组调研报告七组

HeatingCarriers不稳定性（NegativeGateBiasTemperatureInstability，NBTI）和可动离子IosHeatingCarriers不稳定性（NegativeGateBiasTemperatureInstability，NBTI）和可动离子Ios1nTFT2nTFTIon∝W/L，P=Ion∝W/L，P=Ion·Vds也同样正比于W/L，W/L=100Lm/100Lm70.6℃，W/L=10Lm/10Lm用AtlasMutsumiKimuraTFT模式的测量，自加热退化还会表现出不同的特性。Ching-WeiLin2的H+时就减小了漏极（原来钝化的源极）PN钝化（depassivation12IoffIonIoffV12IoffIonIoffVtSS（1所示VtSS不是很大。这在Toshiyu-kiYoshida（ChargePump，CP）CP化不是很大。KowMingChangR1RchannelR1Vd3象。KowMingChangVdTFTTFT3象的研究也是十分重要的。YukiharuUraokan3象的研究也是十分重要的。YukiharuUraokanVtPVtn型器件相反的是，PIon损伤，引起器件性能退化。KowMingChangNBTINBTI（NegativeGateBiasTemperatureInstability，负偏置温度不稳定性）MOSFETNBTINBTI（NegativeGateBiasTemperatureInstability，负偏置温度不稳定性）MOSFETMOS现象就越严重，并且通常表现为和应力的时间成幂指数关系，和温度（125~320e严重pPSi-H区曲线的负向偏移与SSMOS-FET（2）NBTI①典型的直流NBTIVth往负向不断漂移。同时，IoffVg时稍微增加。然而，SS（4pMOSFET中，NBTISi/SiO2SiNBTI应力过程中，Si-HVSiNBTI应力过程中，Si-HVthnI-VVth2×104s之后，Vth电流5I-VNBTVgNBTNBTIVthhump现象（hump现象humphumpTFThump6VthVthIon6VthVthIonhump图 TFT结构示意图以及沟道边缘剖面C-V在第一阶段C-V曲线持续向正向漂移，在20000s时曲线开始往回向负向漂移。C-I-VC-VVgVfb7C-V（3）TFT的性能影响（（3）TFT的性能影响（电子运动的平均自由程远大于原子间距,NFMott、MHCohen、HFritzscheSR.Ovshinsky[1]内维尔•弗朗西斯•莫特（NevillFrancisMott,1905-1996）是一位英国物理学家，因为贡献“磁和无序系1977年诺贝尔物理奖。Si4Si4相关能的设想,提出了MDSUMottD+、D0、D（-意味着2D0→D++DD+、DD0D+、DUMottD+、D0、D（-意味着2D0→D++DD+、DD0D+、D8键密度会显著减小。研究表明，Ha-Si：HSi-H（SiH-HSi）n、分子氢SiHSi9Si：H109Si：H10图 图 Si-HSi-SiSi-Hx（x=1，2）实验上发现，a-Si：HEg（eV）CH（2）a-IGZOIGZO，IGZOZnO在非晶态的IGZO,Ga3+G3+能够抑制电子的注入,也就是说,Ga3+12IGZOX(HX-PES)，a-IGZOVBM1.5eV12IGZOX(HX-PES)，a-IGZOVBM1.5eV13(a)Zn、MgOa-IGZOFETa-Si:HTFT13X(HX-PES)3.2eV)a-IGZOVGSIoffIoff13(b)所示，在VBMsubgapDOSIoff的解释。subgapDOS VBM1.5eVa-IGZO10(cm−受VGS(＜1018(cm-3))TFTNe～CG·VGS/e受VGS(＜1018(cm-3))TFTNe～CG·VGS/eHX-PES10-19(cm-3)TFTa-IGZO5×10[1p20116[2ChineseofElectron 20059[3]2006[4]（PROGRESSINPHYSICS）.2013HosonoPresentsta