三级混合集成电路装调工（高级）技能鉴定考试题库（含理论及实操）

（三级）混合集成电路装调工（高级）技能鉴定考试题库（含

理论及实操）

一、单选题

1.下列胶水涂覆方式不属于接触式的为（）。

A、时间压力式

B、螺旋泵式

C、压电式喷射

D、活塞式

答案：C

2.晶体管三个主要参数（）。

A、B值、夸脱值、截止频率

B、补偿率'跌落率'工作频率

C、体积'质量、价格

D、功率、电流放大倍数、电压放大倍数

答案：A

3.微组装过程中常见的键合焊盘有和封装金属盒体焊盘。

A、裸芯片焊盘、印制电路基板焊盘、薄膜电路基板焊盘

B、印制电路基板焊盘、薄膜电路基板焊盘

C、裸芯片焊盘,印制电路基板焊盘、薄膜电路基板焊盘、LTCC电路基板焊盘

D、裸芯片焊盘、印制电路基板焊盘、LTCC电路基板焊盘

答案：C

4.某电阻的色环排列是“橙白黑金棕”，此电阻的实际阻值和误差是（）。

A、39000±5%

B、39.OKO±1%

C、39.OO±1%

D、390.0O±5%

答案：C

5.密封性能筛选通常采用（）仪器。

A、显微镜

B、矢量网络分析仪

C、示波器

D、检漏仪

答案：D

6.金属陶瓷封装可用于微波分立器件封装和单片集成电路（MMIC）。用于分立器

件的金属陶瓷封装主要有同轴型和（）两种。

A、翅型

B、带线型

C、方形

D、金属化型

答案：B

7.风淋室在运动时，风淋喷嘴可以喷出（）的洁净强风。

A、高温烘烤

B、车间内部

C、低温处理

D、高效过滤

答案：D

8.集成电路是由（）组成。

A、二极管和电阻组成

B、三极管和电容组成

C、多种电子元件集成在一块芯片上

D、互感器和锂电容

答案：C

9.非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通

常为（）。

A、小于0.1mm

B\0.5~2.0mm

G2.0~3.5mm

D、大于3.5mm

答案：B

10.下面方法中不属于混合集成电路焊接技术的是（）。

A、倒装焊

B、波峰焊

C、激光再流焊

D、免清洗冲氮再流焊

答案：B

11.经过室温静置的湿膜，即可进行干燥，干燥的目的是（）。

A、指使印刷好的浆料膜硬化

B、使浆料中易挥发的有机溶剂蒸发掉

C、使图形固定

D、便于移动

答案：B

12.陶瓷针珊阵列（CPGA）封装围绕腔体的金属化密封环可以为金属盖板提供―

,从而实现对芯片腔体的气密封装。

A、导电胶粘接

B、激光钎焊

C、正空热压焊

D、共晶钎焊

答案：D

13.玻璃转化温度Tg是指高分子材料从向转变的温度。

A、橡月父态，玻璃态

B、玻璃态，橡胶态

C、固态，液态

D、固态、半固态

答案：B

14.平行封焊前需要对器件表面的氧化物、污垢、油和其他杂质进行清洁的原因

是（）。

A、残留物增大了内部水汽含量

B、残留物影响夹持操作

C、残留物影响外观检查

D、残留物增大了接触电阻，影响焊点加热的不均匀性，使焊接质量波动

答案：D

15.紫外线臭氧清洁通过反射mm和mm波长的辐射线进行清洁。

A、183,7；254.9

B、189.4；254.9

G189.4；253.7

D、184,9；253.7

答案：D

16.放大管芯工作在线性区，增大输入信号功率则放大倍数会（）。

A、增加

B、减小

C、不变

D、线性增加

答案：C

17.内埋元器件的电路片可以用下列哪种方法清洗？（）

A、气相清洗

B、超声清洗

C、等离子清洗

D、气相超声清洗

答案：C

18.超声波热压键合机为金线、金带键合的主要设备，对该设备要求不正确的是

。。

A、可不带显微镜

B、键合时间、超声功率、键合压力应可调

C、热台最高温度2150℃,且温度可调

D、键合弧身可调

答案：A

19.以下对于金丝焊球的描述哪些是错误的（）。

A、金丝焊球的优点有操作简单、焊接牢固（相对于楔形键合）

B、金丝焊球的缺点是焊接面积大

C、金丝焊球设备可以如楔形焊接设备一样用铝线进行键合

D、金丝焊球设备与楔形焊接设备一样使用超声波进行焊接

答案：C

20.以下不是精益生产主要特征的是（）。

A、拉动式生产

B、推动式生产

C、最大限度减少库存

D、实现准时化生产

答案：B

21.对于球形键合方式，（）参数不会影响键合的质量。

A、芯片焊盘区洁净度

B、芯片焊盘区的金属化层厚度与质量

C、压焊时间

D、批次数量

答案：D

22.增益和损耗的单位均可以用表示。

A、Hz

B、dB

C、dBc

D、Bm

答案：B

23.溶剂可以分成亲水溶剂和不亲水疏溶剂。一般说来，亲水溶剂在水中能完全

混和，下述为亲水溶剂的是（）。

A、酒精、甲苯、异丙醇、丙酮

B、氟利昂、三氯乙烷、二甲苯

C、酒精、乙醇、异丙醇、丙酮

D、酒精、乙醇、氟利昂'丙酮

答案：C

24.对焊缝可同时极性致密性与强度检测的方法是（）。

A、煤油试验

B、X光探伤

C、水压试验

D、B和C

答案：c

25.下列选项中，用于支撑和保护芯片的部件是（）。

A、引线框架

B、键合线

C、掩膜版

D、管芯

答案：A

26.环氧树脂类和聚酰胺类粘合剂都属于（）粘合剂。

A、热塑性

B、热固性

C、结构性

D、光敏性

答案：B

27.金属陶瓷封装一般采用制造，用90%~95%氧化铝陶瓷作绝缘，氧化钺

陶瓷作导热，金属作底盘和引线。

A、多层共烧陶瓷工艺

B、钎焊工艺

C、氧化镀金属化工艺

D、以上都是

答案：D

28.再流焊是在电路板的焊盘上预涂经过干燥、预热、融化、润湿、冷

却，将元器件焊接在印制板上的工艺。

A、助焊膏

B、焊锡膏

C、焊环

D、焊片

答案：B

29.清除焊点周围的碳化助焊剂时应使用（）。

A、洗板水

B、纯净水

C、丙酮

D、助焊剂

答案：A

30.对于FET场效应管，应按的顺序进行焊接。

A、漏、源、栅

B、源、漏、栅

C、漏、栅、源

D、源、栅、漏

答案：D

31.钎焊温度过高容易引起钎焊接头过热，故钎焊温度一般高于钎焊熔点

度为宜。

A、小于15

B、20-30

C、25-60

D、50-70

答案：C

32.钎焊后，钎料是受热液化后通过_____作用在钎缝内流动。

A、重力

B、毛细管

C、受热膨胀

D、吹风

答案：B

33.大功率混合集成电路需采用高导热率材料制作封装，下列哪种材料不适合?

。

A、铜-鸨

B、铜-铝

G硅-铝

D、可伐

答案：D

34.职业道德的特征不包括：（）。

A、复杂性

B、继承性

G规范性

D、具体性

答案：A

35.在器件加电前必须按技术条件给出的最大电流进行并监测电源的电

流或电压。

A、接地

B、屏蔽

C、限流

D、限压

答案：C

36.在突缘电阻焊中，模具结构设计应遵循原则之一是保证外壳管帽与底座（）。

A、平行

B、同心

C、连接

D、紧密接触

答案：B

37.下面哪一种器件的信号质量（相位噪声）最好。（）

A、介质振荡器

B、锁相环（PLL）

C、石英晶体振荡器

D、数字信号发生器（DDS）

答案：C

38.中高粘度胶适合下列哪种点胶阀？（）

A、撞针式胶阀

B、活塞式胶阀

C、隔膜式胶阀

D\喷雾阀

答案：B

39.CW7805稳压管芯对地虚焊的情况下，输入9V,空载输出电压为多少（）。

A、5V

B、6V

C、8V

D、9V

答案：D

40.绝缘子的中心导体不能被弯曲和旋转，以免使其绝缘玻璃产生微裂纹而影响

腔体的（）。

A、气密性

B、可焊性

C、均匀性

D、保温性

答案：A

41.激光焊接按激光器的运转方式来分，可分为（）两类。

A、冲激光焊接和深穿入焊接

B、续激光焊接和传热融化焊接

C、脉冲激光焊接和连续激光焊接

D、传热融化焊接和深穿入焊接

答案：C

42.对于传统的塑料封装，如PDIP、PQFP、PSOP等，主要由装片胶、键合丝、引

线框架、塑封料组成。引线框架材料一般是（）。

A、无氧铜

B、白铜

C、194铜合金

D、紫铜

答案：C

43.为使焊料在基本金属上有良好的浸润流散，钎焊密封工艺在实际生产中选择

钎焊温度要比焊料流点高20~50℃左右。目前焊料一般选用Au80/Sn20共晶焊料,

它的熔点为,钎焊温度应选________o

A、280℃,300~330℃

B、260℃,280~300℃

G280℃,280~300℃

D、260℃,300~330℃

答案：C

44.超大规模集成电路的集成规模通常在（）。

A、10~100个元件

B、100~1000个元件

G1000100000个元件

D、10万元件以上

答案：D

45.对于散热要求高的应用场景，不宜选择下述哪种材料作为热沉载体。（）

A、氮化铝

B、氧化钺

C、可伐合金

D、鸨铜

答案：C

46.军用电子元器件筛选试验项目中属于非破坏性实验的是（）。

A、芯片剪切强度

B、电离辐射试验

G可焊性

D、低气压

答案：D

47.超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接，焊接处依

靠封接，因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因

素。

A、管帽变形

B、底座变形

C、镀金层变形

D、键合线变形

答案：C

48.半导体温差制冷器的作用是（）。

A、整流

B、测试

C、抽真空

D、制冷

答案：D

49.PN结正向连结时，P区接,N区接；PN结反向连结时，P区接,

N区接o

A、负；正；正；负

B、正；负；正；负

C、正；负；负；正

D、负；正；负；正

答案：C

50.在钎焊密封工艺中，常用的焊料是AuSV0焊料，它的熔点和流点是（）。

A、180℃

B、260℃

C、300℃

D、280℃

答案：D

51.环氧模塑料要在-4~4℃温度下储存，恢复常温时，需在_____温度下恢复。

A、10~18℃

B、22~28℃

C、30~48℃

D、40~48℃

答案：B

52.缺陷率是评价集成电路质量的一个重要指标，公式为：（）。

A、良品数/总数

B、总数/良品数

C、（总数-良品数）/良品数

D、（总数-良品数）/总数

答案：D

53.间隙对钎焊接头的强度有影响，一般来说间隙,抗拉强度高；间隙

抗拉强度降低。

A、大，增大

B、小，增大

C、小，减小

D、大，减小

答案：B

54.通常使用的密封保护气体氮气的水汽含量应小于（）。

A、50ppm

B、1OOppm

C\150ppm

D、200ppm

答案：A

55.无尘室中，清洁桌面时要求使用（）进行擦拭。

A、不掉屑餐巾纸

B、麻布

C,棉

D、无尘布

答案：D

56.波长为30cm的射频信号利用下面那一种长度的天线能使能量辐射最远。（）

A、15cm

B、5cm

Cv10cm

Dv60cm

答案：A

57.信号分析方法可以概括为两种，即时域分析法和频域分析法。下面属于时域

分析法的是（）。

A、分析振幅随频域变化的规律

B、分析相位随频率变化的规律

C、测量谐波分量功率

D、测量信号的周期和占空比

答案：D

58.印刷电路板通过波峰焊接时，其仰角为（）。

A、15。~20。

B、20°~30。

C、5°~10。

D、5°~7°

答案：A

59.在塑料封装中，使用的主要材料有导电胶、键合丝、、、BT树

脂基板、焊球等，根据封装种类不同有所差异。

A、引线框架、清洁剂

B、引线框架、环氧树脂

C、环氧模塑料、传送盒

D、环氧模塑料'清洁剂

答案：B

60.钎焊密封工艺的温度控制包括()。

A、升温速度、保温时间和降温速度

B、纤焊温度、升温速度和降温速度

C、升降温速度、保温时间、变温次数

D、纤焊温度、保温时间和升降温速度

答案：D

61.陶瓷焊球阵列(CBGA)封装和陶瓷焊柱阵列(CCGA)封装提供了在1mm节距下互

联端数超过_____的高可靠和高性能封装。

A、200

B、500

C、1000

D、2000

答案：D

62.多芯片组件(MCM)封装技术可概括为多层互连基板的制做和芯片连接技术两

大部分。MCM封装分类不包括()。

A、MCM-C

B、MCM-D

C、MCM-L

D、MCM-P

答案：D

63.低温玻璃密封工艺流程如下：配玻璃料T印刷T烘干T封引线框架T校验

TTT校验T清洗T电镀T测试T打印T包装。

A、芯片装架；键合；熔封

B、键合；芯片装架、熔封

C、熔封；键合；芯片装架

D、芯片装架；熔封；键合

答案：A

64.在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，必须确定的基本规范包括（）。

A、焊接电流、焊接电压和电极压力

B、焊接电流、焊接时间和电极压力

C、焊接电流、焊接电压和焊接时间

D、焊接时间、焊接材料和电极压力

答案：B

65.常用电子元器件的检测方法为：固定电阻器检测、熔断电阻器检测、

_、PTC检测、NTC检测'压敏电阻检测'光敏电阻检测等。

A、多余物检测

BxAOI检测

C\电位检测

D、PIND检测

答案：C

66.“8S”管理方法比“7S”管理方法多出的内容是（）。

A、素养

B、学习

C、清扫

D、节约

答案：B

67.电阻按照封装来分，分为（）。

A、贴片电阻'插件电阻

B、水泥电阻、功率电阻

C、色环电阻'标码电阻

D、插件电阻、功率电阻

答案：A

68.双极晶体管的高频参数是（）。

A、二极管

B、三极管

C、晶体管

D、场效应管

答案：C

69.预热温度越高应力（）。

A、越大

B、越小

C、大小变化

D、不确定

答案：B

70.对于内引线键合进行键合强度的拉力测试，失效类别不包含（）。

A、颈缩点处引线断开

B、引线与金属化层之间的界面剥离开（键合失效）

C、金属化层浮起

D、芯片脱离底座

答案：D

71.在粘封工艺中，选用胶粘剂的原则之一是胶粘剂的透气性和透湿性：器件粘

接面部位的漏气因素取决于粘接面的胶层分布情况、粘接剂的涂层厚度和胶粘剂

自身透气性和透湿性能。因此必须选用的胶粘剂。

A、透气率大、透湿性小

B、透气性大、透湿性大

C、透气性小、透湿性小

D、透气性小、透气性大

答案：C

72.平行缝焊的焊轮椎顶角可影响（）的大小。

A、焊接压力和焊点

B、焊接速度

C\焊接电流

D、焊接温度

答案：A

73.下列选项中，（）属于超声键合设备或热超声键合设备的结构。

A、精密的送丝（金属丝）系统

B、划片刀

C、去离子水喷嘴

D、载片台

答案：A

74.在阻值调整后，还应进行直流负荷试验。即在电阻上加上相当于额定

功率的直流电压，负荷时间为5s。但对于阻值低于200Q,不进行此项实验。

A、1倍以下

B、2~5倍

G10~100倍

D、1000倍左右

答案：B

75.下列属于干法清洗的是（）。

A、喷淋清洗

B、超声清洗

C、等离子清洗

D、气相清洗

答案：C

76.下列关于在包装盒运输过程中的静电防护措施不正确的是（）。

A、MOS器件可以用金属铝箔箱将外引线短路

B、最好将器件插入导电泡沫塑料中

C、器件装运时使用抗静电塑料管（袋）

D、使用纸质包装袋或塑料袋传递

答案：D

77.陶瓷无引线式载体（LCCC）、陶瓷针珊阵列封装（CPGA）、有引线陶瓷片式

载体（LDCC）、陶瓷四边引线扁平封装（CQFP、CQFJ）等一般用于封装。

A、分立器件

B、无源器件

C、集成电路

D、光电器件

答案：C

78.环氧模塑料主要由______、硅微粉和各种添加剂组成。

A、环氧树脂

B、催化剂

G粘附剂

D、惰性填充剂

答案：A

79.下列哪项行为是进入车间时不应该做的（）。

A、暴露头部或面部的头发

B、缓慢移动

C、不把手机带入车间

D、戴防静电手套

答案：A

80.点接触二极管的触丝通常使用（）。

A、铝丝

B、铜丝

C、鸨丝

D、金丝

答案：C

81.物体上产生或趋于产生形变的力，由单位面积上所施加力来度量，描述的

力的概念。

A、弹力

B、应力

C、拉力

D、重力

答案：B

82.影响集成电路芯片的可靠性因素主要有（）。

A\静电'高温'湿度

B、机械损伤'介质损伤、老化

C、设计缺陷'材料缺陷、制作工艺缺陷

D、上述全部

答案：D

83.电阻焊利用（）通过上焊件和下焊件的紧密接触形成电阻时，产生剧热使焊

件接触处局部熔化达到熔接。

A、低电压大电流

B、高电压大电流

C、电阻加热

D、高频摩擦

答案：A

84.以下不属于多层片式陶瓷电容基本工艺流程的是？（）

A、流延

B、印刷

C、叠层

D、电阻层印刷干燥

答案：D

85.常用的电阻焊有点焊、突缘电阻焊和（）。

A、平行缝焊

B、四边焊

C、直线焊

D、合金焊

答案：A

86.下列属于剪切力测试仪器的是（）。

A、推拉力测试仪

B、拉力强度测试仪

C、剥离强度测试仪

D、附着力测试仪

答案：A

87.金锡合金焊料(80Au/20Sn)的熔点温度是O。

A、183℃

B、221℃

G280℃

D、350℃

答案：C

88.密封腔体内水分的主要来源不包括()。

A、通过封装缺陷从外部进入的水分

B、管壳内部材料吸附/释放的水分

C、封盖时密封材料放出的水分

D、腔体外安装的零部件引入的水分

答案：D

89.功率混合电路封装使用到的材料包括Cu、Mov覆铜材料、和BeO等。

A、I22033

B、AIN

C、AlSi

D、Si022

答案：B

90.军用混合集成电路中半导体分立器件和集成电路芯片评价要求，在中间电测

试前应进行目检和内部目检、温度循环、机械冲击或试验。

A、恒定加速度

B、老炼

C、稳态寿命

D、非破坏引线键合强度

答案：A

91.金属和半导体接触分为：（）。

A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触。

B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触。

C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触。

D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触。

答案：B

92.以下属于耗能元件的是（）?

A、电阻器

B、电容

C、电感

D、开关

答案：A

93.用胶粘接要经过（）o

A、胶接面涂粘接剂-叠合-固化

B、粘接面加工-粘接面清洁处理-涂覆粘接剂-叠合

C、涂覆粘接剂-叠合-固化

D、粘接面加工-固化-涂覆粘接剂-叠合

答案：B

94.THT技术的含义是（）o

A、通孔插件技术

B、表面贴装技术

C、径向插件技术

D、轴向插件技术

答案：A

95.薄膜集成电路的特点不包括（）。

A、电路图形精度较高（相对于PCB）

B、基板尺寸稳定

C、与芯片热匹配良好

D、无法集成无源元件

答案：D

96.焊接的烙铁头温度一般在（）°C。

A、600左右

B、350左右

G800左右

D、200左右

答案：B

97.采用环氧粘接剂对金属和陶瓷封装的管壳进行盖板密封的主要缺点是（）。

A\成本局

B、初期无法通过氨检漏试验

C、高潮湿环境中无法长期保证内部水汽含量

D、周期长

答案：C

98.关键设备是大型、精密、重型稀有设备，并应挂（）标牌。

A、紧密设备

B、工程借机

C、维修

D、关键设备

答案：D

99.为控制气密封装产品的内部水汽含量，封装设备的控制要素不正确的是（）。

A、连接通道的双重门不应同时打开

B、干燥箱的整体密封性，同时箱体内应保持正压

C、可向干燥箱内直接送入工具或其他材料

D、控制干燥箱中氮气的水汽含量

答案：C

100.以下防静电措施不正确的是（）。

A、人员进入净化间以前，必须净化服'净化鞋、净化帽、头发网罩、口罩'手

套（头发网罩'口罩、手套具体视情况而定）等穿戴整齐。

B、经风淋室按规定吹风后方可进入净化间。

C、进入工作岗位前，首先用手触摸静电释放球，然后进行人体防静电测试、防

静电手环测试等。

D、人员在工位前操作时，不需要佩戴防静电手环。

答案：D

101.以下操作过程中，从包装盒中取出键合线的顺序正确的是（）。

A、②③④①

B、②④③①

C、②①④③

D、②④①③

答案：B

102.下列说法不正确的是：（）。

A、不能用裸手直接接触镀金和镀银件

B、产品不能叠放

C、接触微电子产品时，必须要有效的防静电措施

D、在净化间内可以使用铅笔，橡皮但不能使用锂刀和砂纸

答案：D

103.微组装过程中，焊接和返修温度都不能超过导电胶的（）。

A、分解温度

B、最高工作温度

C\玻璃相转化温度

D、固化温度

答案：B

104.在芯片大小相同时，胶层太厚或太薄其热阻都大，最佳厚度为（）微米。

A、40

B、50

C、60

D、70

答案：B

105.真空烘焙常用的参数不包括（）。

A、150℃真空10h

B、150℃氮气焙烤72h,接着在150℃真空焙烤16h

G120℃真空焙烤12小时

D、85℃真空焙烤48h

答案：D

106.厚膜集成电路的丝印工艺使用的是（）氧化铝陶瓷基板。

A、60%~66%

B、70%~76%

G80~86%

D、90%~96%

答案：D

107.系统级封装（SIP）的特点不包括（）。

A\成本局

B、轻、薄和便携

C、高性能

D、多功能化

答案：A

108.电子束焊是一种新颖、高能量密度的方法。

A、波峰焊

B、熔化焊

C、手工焊

D、浸焊

答案：B

109.焊接有色金属，如铅、黄铜时应该（）。

A、防止局I温爆炸

B、局温中暑

C、通风排毒

D、A和B

答案：C

110.多层共烧陶瓷封装技术对于制造具有信号、地、电源、键合区和的

复杂封装来说是非常有利的。

A、密封层

B、收缩容差

C\热导率

D、低介电常数

答案：A

111.导线裁剪是（）。

A、允许有负误差

B、允许有570%的负误差

C、允许有20-40%的正误差

D、允许有570%的正误差

答案：D

112.请从下列设备中选出固晶机（）。

①②③

④⑤⑥

A、①

B、②

C、③

D、④

E、⑤

F、⑥

答案：E

113.清洁电烙铁所使用的海绵应沾有适量的（）。

A、酒精

B、丙酮

G干净的水

D、助焊剂

答案：C

114.在塑封工艺中，为完全固化大部分环氧模塑料，需要在（）之间进行4小时

的后固化。

A、140~150℃

B、170~175℃

G200~210℃

D、240~250℃

答案：B

115.剪切力常常用来表征微电子封装工艺水平，下列工序中不需要检测剪切力的

是（）。

A、共晶焊接

B、手工钎焊

C、金丝楔形键合

D、粘接

答案：c

116.下列粘接剂属于热固化机理的为（）。

A\环氧股，如德邦6607

B、UV胶

C、厌氧股，如乐泰222

D、硅橡胶

答案：A

117.对集成电路的检测目的是判别集成电路的引脚排列及好坏，检测的方法不包

括（）。

A、电阻检测法

B、压力检测法

C、电压检测法

D、波形检测法

答案：B

118.塑封模具温度取决于模塑料的温度性能、流动性能及物理特性,一般采用（）。

A、185℃±5℃

B、165℃±5℃

G175℃±5℃

D、195℃±5℃

答案：C

119.芯片粘接后，导电胶的高度不应超过芯片厚度的（）。

Ax1/4

Bx1/3

Cx1/2

D、3/4

答案：C

120.开关件基本检测方法，下列说法不正确的是（）。

A、首先直观检查开关操纵柄是否松动,能否正常装换到位。

B、可用万用表R错1档测量器接触电阻。开关处于接通状态时，所测量的阻值

应为0,至少小于0.5Q。

C、在测量接触电阻基础上表帮接线不变，将量程转换到R错100K档，同时将开

关转换到断开状态，测试所测量的电阻应为无穷大，至少大于几百千Q。

D、在测量接触电阻基础上表帮接线不变，将量程转换到R错10K档，同时将开

关装换到断开状态，此时所测量的电阻应为无穷大，至少大于几百千Q。

答案：C

121.可焊性试验方法中的浸渍试验作为引线的评价方法广泛使用，要求焊料所覆

盖的面积占整个面积的（）。

A、50%

B、75%

C、85%

D、95%

答案：D

122.键合设备调试时，首先进行,之后是,当键合头系统调

试完毕后，再进行,最后对焊接好的金线进行质量分析。

A、键合力标定，扫描超声波频率，焊接试验

B、扫描超声波频率，键合力标定，焊接试验

C、键合力标定，焊接试验，扫描超声波频率

D、扫描超声波频率，焊接试验，键合力标定

答案：A

123.如图为（）设备的主界面。

A、装片机（即固晶机）

B、身频预热机

C、键合机

D、塑封机

答案：D

124.引线键合强度试验样品至少包含5个元件上的最少根键合弓I线。

A、5

B、10

C、15

D、20

答案：B

125.表示电气装置，设备或元件的连接关系，是进行配线、接线、调试

不可缺少的图纸。

A、电气系统图

B、电气接线图

C、电气原理图

D、电气布置图

答案：B

126.设备、仪器接近周检的时期时，（）。

A、操作人员应送检，不能送的应通知相关管理部门；

B、操作人员等待相关管理部门的通知；

C、任务繁重，为了保计划节点，可以短期超期使用；

D、操作人员先自检，不合格得出再送到相关部门检定。

答案：A

127.下列使用双组份环氧胶保护正确的是（）。

A、重量较大的模块，如带载板的模块

B、尺寸较大的基板或元器件，如单边尺寸210mm的陶瓷电路片、LTCC及模块

C、跨接在盒体与基板上的软基材电路片

D、ABC

答案：D

128.在装片机界面进行添加银浆操作的时候，需要点击（）将银浆模组移出，便

于添加银浆。

A、ChangeEpoxy

B、LongSqueeze

C、hangeCoIIet

DvMareriaI

答案：A

129.芯片粘接后，导电胶的高度不应该超过芯片厚度的（）。

Ax1/4

Bv1/3

C、1/2

D、3/4

答案：C

130.面方法中不属于混合集成电路焊接技术的是（）。

A、倒装焊

B、激光再流焊

C、免清洗充氮再流焊

D、波峰焊

答案：D

131.万用表欧姆挡校零方法，下列说法不正确的是（）。

A、欧姆挡校零具体方法是：将红、黑表棒接通，此时表针向右侧偏转，调整有

。字母的旋钮（在万用表的面板上有这个旋钮），使表针指向0。处。

B、在更换不同欧姆挡量程时，均要进行一次校零。

C、在RX1Q挡时，因为校零时流过电表的电流为零，所以对表内电池无消耗。

D、当RX1。挡无法校到OQ时，说明万用表内的一个1.5V电池电压不足，要更

换这节电池。

答案：C

132.当测试条件为VI=VIH或VI=VIL、I0H=-20UA、Vcc=2V时,测得74HC138

为良品的静态工作电流最大值是（）。

符号■忒条件♦小■大单位

Vcv-2V19

low**20Vd5V44

Vi3Vnt<x

高电丫'-，出电JkV<JMVcc-6V59V

Vn

h产4mA.SV384

I*，力nA、Vu6V534

Vee-2V01

In20|iAVeeM5V01

Vi«Vmor

低电f*册电VgVti-6V01V

VIL

Im-4mA.V<T-43V033

lot-S2mA・VCC-6V033

VI-VCCof0,犍入高Mk电平）、

蛤人电流li—*1M

VcEOV

济金工作电诙levVf«Vccor0,20.V<L6.0VSOJ1A

A、80口A

B、160uA

C、-80|dA

D、-160|iA

答案：A

133.混合电路的多层陶瓷封装通常由______层氧化铝组成。

A、2

B、3

C、4

D、5

答案：B

134.采用平行封焊对镀金柯伐盖板和柯伐底座进行熔焊,局部密封温度大约为（）。

A、600℃

B、800℃

G1500℃

D、2500℃

答案：C

135.第一次加加电前，下列哪种做法是不正确的（）。

A、在显微镜下对照装配图检查所有连线是否正确

B、用三用表检查各馈电端口对地电阻是否正常

C、用三用表检查各控制端口对地电阻是否正常

D、直接加电测试

答案：D

136.为控制气密性封装产品的内部水汽含量，封装设备的控制要素不正确的是（）。

A、连接通道的双重门不应同时打开

B、干燥箱的整体密封性，同时箱体内应保持正压

C、可向干燥箱内直接送入工具或其他材料

D、控制干燥箱中氮气的水汽含量

答案：C

137.下列四个选项中，哪个不属于楔形键合设备的工艺参数。（）

A、压力

B、超声功率

C、烧球电流

D\超声时间

答案：C

138.额定功率为10W的三个电阻，R1=10O,R2=40O,R3=250Q,串联接于电路

中，电路中允许通过的最大电流是（）。

A、200mA

B、0.5A

C、1A

D、250mA

答案：A

139.锡铅焊膏再流焊的峰值温度为（）度。

A、180

B、280

C、230

D、400

答案：C

140.一放大管芯额定电压为3V,电流为50mA,稳压电压提供5V电压需要串入多大

电阻才能使管芯稳定工作（）。

A、200

B、300

C、400

D、500

答案：c

141.金线键合穿丝时，先打开线夹开关，用镜子将丝一次穿过______,最后拉

动很少长度的金丝，最后关闭线夹开关。

A、导线器，线夹，给线孔和劈刀垂直孔

B、线夹，导线器，给线孔和劈刀垂直孔

C、线夹，导线器，劈刀垂直孔和给线孔

D、导线器，线夹，劈刀垂直孔和给线孔

答案：D

142.军用混合集成电路和多芯片组件的电试验参数、数值、极限值和条件应符合

________的规定。

A\国军标

B、企军标

C、适用详细规范

D、设计师要求

答案：C

143.陶瓷封装一般采用______工艺制造，用90%-95%氧化铝陶瓷做绝缘，有

黑色和白色陶瓷之分。信号输入/输出端口采用耐熔金属（鸨或铝等）支撑金属化

并钎焊引线围框。

A、多层共烧陶瓷

B、陶瓷

C、金属化

D、复合基板

答案：B

144.胶封工艺流程如下：器具、工件清洗T称量配胶T搅拌T排气T■

TT校验。

A、涂胶；固化；胶粘

B、涂胶；粘接；固化

C、固化；涂胶；粘接

D、固化；粘接；涂胶

答案：B

145.74HC138为良品的输入电流最大值是±1nA,其测试条件是（）。

•数符号■成条件■小♦大单位

Va«2V19

-20pAVaVSV44__

VfVlHor

高电收出电压V<HBV<x«6V5.9—V

V«

l(*r-UmA.Vcv*45V384—

lt»i-*52mA.VccH^V534—

Vev-2V—01

l(**20pAVa*4-SV—01

VJ=VJHor

抵电册电伍V(MVcc-6V—01V

Vn

Ira=4mA,V<x-=45V—033

h=S2mA・VCC=6V033

V1sVeear0(输入厢抵电T).

蛤人电而I——•1S

Vcv-6OV

龄态工作电流IceVt=VccorO*l»»=C.Vcr=60V—MlpA

A、VI=VccorOxVcc=4.5V

B、VI=VccorOvVcc=6.OV

C、VI=VIH或VI=VIL、Vcc=6.OV

D、VI=VIH或VI=VIL、Vcc=4.5V

答案：B

146.以下那种情况会造成铝线断裂（）。

A、送线不畅

B、焊头SEIUP不良

C、设备带走不良

D、以上都是

答案：D

147.元件引脚的剪脚高度为（）。

A、0.5mm以下

B、0.5-2.5mm

G2.5mm以上

D、3.0mm以上

答案：B

148.导线与接线端子的焊接形式不包括（）。

A、绕焊

B、钩焊

C、搭焊

D、插焊

答案：D

149.微组装过程中，焊接和返修的温度都不能超过导电胶的：（）。

A、分解温度

B、最高工作温度

C、玻璃相转化温度

D、固化温度

答案：B

150.厚膜基片制造的准备工作应按照工艺文件的规定，流程为（）。

A、检查基片-核对版图-启动烧结设备并设置程序-启动调阻设备并设置程序-准

备浆料等

B、检查基片-核对版图-准备浆料-启动烧结设备并设置程序-启动调阻设备并设

置程序等

C、核对版图-检查基片-准备浆料-启动烧结设备并设置程序-启动调阻设备并设

置程序等

D、准备浆料-检查基片-核对版图-启动烧结设备并设置程序-启动调阻设备并设

置程序等

答案：B

151.如图为（）设备的主界面。

A、装片机（即固晶机）

B、图频预热机

C、键合机

D、塑封机

答案：D

152.在CD4511的开短路测试中，向被测引脚施加TOOUA电流进行开短路测试

时，下面哪一个测试电压是在芯片为良品的电压范围内。（）

A、-0.6V

B、-2V

C、0.6V

D、2V

答案：A

153.塑封工序中，第二次醒料的塑封料要先使用，且必须在（）内用完。

A、6h

B、12h

C、24h

D、36h

答案：C

154.芯片粘接过程中，装片机点银浆之后进入（）步骤。

A、框架上料

B、芯片拾取

C、框架收料

D、烘箱银浆固化

答案：B

155.集成电路是由（）组成。

A、二极管和电阻组成

B、三极管和电容组成

C、多种电子元件集成在一块芯片上

D、互感器和锂电容

答案：C

156.DIP封装形式代表（）□

A、双列直插封装

B、环氧塑料封装

C、小外形封装

D、球栅阵列封装

答案：A

157.钎焊密封工艺的温度控制包括（）。

A、升温速度、保温时间和降温速度

B、纤焊温度、升温速度和降温速度

C、升降温速度、保温时间、变温次数

D、纤焊温度、保温时间和升降温速度

答案：D

158.超大规模集成电路的集成规模通常在（）。

A、10~100个元件

B、100~1000个元件

G1000100000个元件

D、10万元件以上

答案：D

多选题

1.在下列哪些情况下操作人员应按紧急停止开关，保护现场后立即通知当线技术

员处理。（）

A、机器运行正常

B、回流炉死机

C、回流炉突然卡板

D、回流炉链条脱落

答案：CD

2.对于芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备的一些要求是（）等。

A、平坦化

B、可靠性

C、外观精美

D、淀积

答案：ABD

3.以下关于引线键合说法正确的是（）。

A、拿键合线圈时不需要佩戴防静电手套，但需要用镜子来取线的一端进行相应

装线操作

B、料盒在传送过程中需平拿平放

C、键合机运行时，手不可靠近打线区，防止烫伤或压伤。

D、引线框架放入料盒和从料盒中拿取键合后的半成品时不能使键合线和引线框

架发生变形。

答案：BCD

4.对半导体集成芯片应该进行以下哪些检查？。

A、铝层

B、数量

C、键压区

0X表面氧化层

答案：ACD

5.下列选项中，属于半导体分立元件和集成电路装调工作通常使用的设备仪器的

有()o

A、电镀设备

B、X射线检查仪

C、烧结台

D、键合台

答案：ACD

6.再流焊工艺方式有()o

A、通风再流焊

B、光学再流焊

C、红外再流焊

D、气相再流焊

答案：CD

7.下列有关开短路测试描述正确的是（）。

A、开短路测试是一种检验芯片管脚内部对地或对VCC是否出现开路或短路的测

试方法

B、开短路测试本质是基于产品本身管脚的ESD防静电保护二极管的正向导通压

降的原理进行测试

C、管脚开路时测得的电压都接近0V

D、管脚短路时测得的电压都接近0V

答案：ABD

8.将键合线安装到自动键合机对应位置上时，下列选下中正确的操作有（）。

A、键合线尾端一侧朝外

B、键合线首端一侧朝外

C、用镜子夹持键合线进行穿线

D、手指允许直接接触键合线

答案：AC

9.良好的共晶焊接，需要控制好哪些工艺要素？（）

A、温度

B、焊料量

C、浸润表面

D、合金时间

答案：ABCD

10.影响互连的因素有哪些？（）

A、界面接触紧密性

B、连接的稳定性

C、膜层的附着力

D、表面污染

答案：ABCD

11.表面贴装技术的装配过程主要可以分为哪三大部分？（）

A、锡膏印刷

B、元器件贴装

C、再流焊接

D、薄膜制备

答案：ABC

12.电容的主要参数有（）。

A、容值

B、耐压值

C、耐温值

D、误差值

答案：ABCD

13.微组装工艺宜采用（）清洗方式。

A、气相清洗

B、等离子清洗

C、超声清洗

D、震荡清洗

答案：ABC

14.对丝网印刷的质量要求是（）等。

A、印刷膜厚度一致

B、尺寸精准

C、轮廓清晰

D、再现性好

答案：ABCD

15.对引线键合后的产品进行检查，以下哪些芯片属于质量不良的情况（）。

B、图2

C\图3

D、图4

答案：ABCD

判断题

1.矢量网络分析仪某校准通道修改了扫描点数后，不用再重新校准，可以继续用

于测量。

A、正确

B、错误

答案：B

2.倒装芯片键合是当今PBGA中使用最广泛的互联方式。

A、正确

B、错误

答案：B

3.测试不含MOS器件的集成电路时，不必采取防静电措施。

A、正确

B、错误

答案：B

4.双极晶体管中只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。

A、正确

B、错误

答案：B

5.金丝键合的键合区域长宽不宜小于2.5倍金丝直径。

A、正确

B、错误

答案：A

6.印好的湿膜应先置于室温下，依靠浆料本身的流动性使湿膜表面平整、丝网印

痕消失，静置时间越长越好。

A、正确

B、错误

答案：B

7.导电胶粘接未固化时，发现有胶溢出至芯片表面，造成短路隐患。可以采用乙

醇超声清洗去除。

A、正确

B、错误

答案：B

8.五色色环电阻的前三环为有效数字，第四环为误差，第五环为倍系数。

A、正确

B、错误

答案：B

9.GaAs场效应晶体管的芯片烧结通常用金锡共晶焊料片，为防止金中锡的氧化,

必须在纯氮保护气氛下加热操作。

A、正确

B、错误

答案：A

10.微间隙电阻焊是一种扩散工艺，使用分开的电极，电流从一半流到另一半。

适合于键合大直径线、带状线或铜这种难以键合的材料。

A、正确

B、错误

答案：A

11.热敏元件焊接时应采取必要的散热措施。

A、正确

B、错误

答案：A

12.灵敏度越大可以接收到越小的信号，所以接收机的灵敏度越大越好。

A、正确

B、错误

答案：B

13.设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50%。

A、正确

B、错误

答案：B

14.气密封装中水汽含量不得超过5000ppm的原因是，该数值低于0℃的露点，

从而保证了凝结任何水都会以冰的形式存在，不会引起液态水造成的损伤。

A、正确

B、错误

答案：A

15.金丝键合的键合区域长宽不宜小于2.5倍金丝直径。

A、正确

B、错误

答案：A

16.晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。

A、正确

B、错误

答案：A

17.纯净半导体是一种有用的半导体。

A、正确

B、错误

答案：B

18.钿-银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。

A、正确

B、错误

答案：A

19.在工作中，如果觉得机械真空泵电动机反转了，只要停一下电，然后把三相

电源中任意两根线相互倒一下就变成正转了。

A、正确

B、错误

答案：A

20.某元件与理想电流源串联，其等效关系为该理想电压源。

A、正确

B、错误

答案：B

21.射频信号通过导体传输时，金属导体截面中的电流分布是不均匀的，接近导

体表面层电流密度小，而导体中间部分电流密度大，近似地可以认为电流在导体

表面流动，这种现象称为趋肤效应。

A、正确

B、错误

答案：B

22.LTCC可采用Au、Ag、Cu等作为导体材料，可在较低温度(~850℃)下共烧。

A、正确

B、错误

答案：A

23.扼流线圈又称为扼流图、阻流线圈'差模电感器，是用来限制交流电通过的

线图，分高频阻流圈和低频阻流圈。

A、正确

B、错误

答案：A

24.装片要求芯片和引线架小岛的连接机械强度高，导热和导电性好，装配定位

准确，能满足自动键合的需要。

A、正确

B、错误

答案：A

25.丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加而减小。

A、正确

B、错误

答案：B

26.门阵列的基本结构形式有两种：一种是晶体管阵列，一种是门阵列。

A、正确

B、错误

答案：A

27.手动丝焊机价格是自动线焊机的1/3,价格便宜，操作灵活，适用于各种电

路与芯片的互连，相比全自动丝焊机效率较低。

A、正确

B、错误

答案：A

28.厚膜印刷制作厚膜电阻，其电阻的精度、电气稳定性和可焊性等技术指标，

与厚膜丝印质量有关。

A、正确

B、错误

答案：A

29.封装的基本功能包括电源供给、信号交流、散热、芯片保护和机械支撑。

A、正确

B、错误

答案：A

30.厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。

A、正确

B、错误

答案：B

31.热压键合：适合在耐高温的基板上键合，通过加热和加压，使焊区金属发生

塑性变形，破坏压焊界面上的氧化层，在高温扩散和塑性流动的作用下，使固体

金属扩散键合。

A、正确

B、错误

答案：A

32.在导电胶粘贴工艺中，银浆可以实现芯片在引线框架上的固定，使用之前需

要回温，除去气泡。

A、正确

B、错误

答案：A

33.感应钎焊特别适用于某些大型构件，如火箭上需要拆卸的管道接头的焊接。

A、正确

B、错误

答案：A

34.某封装器件内使用了锡铅(63Sn/37Pb)焊料，将该封装器件焊接至母板上时,

应优选锡银铜(96.5Sn/3Ag/0.5Cu)焊料及回流曲线。

A、正确

B、错误

答案：B

35.电路上、焊料上等残留氧化物、引线键合焊盘上氧化物的清除宜采用等离子

清洗。

A、正确

B、错误

答案：A

36.厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作用时黏度迅速下降，外力消失后，黏

度迅速恢复原状。

A、正确

B、错误

答案：A

37.当导电胶溢出规定的粘接区域，且超出部分的宽度大于相邻导带间距的一半

判定为不合格。

A、正确

B、错误

答案：A

38.目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格

处理包装后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。

A、正确

B、错误

答案：A

39.（应加电子和空穴）两种载流子都参加导电的半导体（应加器件）称为“双

极型器件”。

A、正确

B、错误

答案：B

40.在某些情况下，绝缘体受离子污染、吸附潮气，或暴露于热和辐射下时，绝

缘性能会很快下降。

A、正确

B、错误

答案：A

41.二极管的正向电阻比反向电阻大。

A、正确

B、错误

答案：B

42.逻辑电路只能处理“非0即1”这两个值。

A、正确

B、错误

答案：A

43.MOS集成电路的关键尺寸是“源”和“栅”之间的距离。

A、正确

B、错误

答案：B

44.移相器等有相位和一致性要求的微波器件在丝焊和带焊时应尽可能保证丝和

带的长度一致。

A、正确

B、错误

答案：A

45.成卷的内引线必须严格保存，要求存放的环境是：洁净不易污染，相对湿度

为20%~50%,以免氧化。长期保存温度为10~15℃,最好保存在氮气箱内。

A、正确

B、错误

答案：A

46.利用芯片间蓝膜拉伸的绷片方法可同时达到裂片和绷片双重目的，因此它是

裂片的好方法。

A、正确

B、错误

答案：B

47.导电胶中含银量越多其导电、导热性能越好：银粉的颗粒越小，导电胶的导

电、导热性能越好，所以导电胶胶液中含银量越细越好、越多越好。

A、正确

B、错误

答案：B

48.斜视图仅用于表达机件倾斜部分的实形，其它部分在斜视图中不反映实形，

故不必画出，其断裂边界线以波浪线表示。

A、正确

B、错误

答案：A

49.阵列封装（BGA）具备更好的电性能主要是因为BGA用焊球代替引线，引出路

径短，减少了引脚延迟、电阻、电容和电感。

A、正确

B、错误

答案：A

50.微组装工艺应按温度从低逐步到高进行操作，各工艺应按共晶焊、再流焊（表

面组装）、倒装焊、粘片、引线键合、密封的次序降序排列。

A、正确

B、错误

答案：B

51.淀积前的薄膜基片，若有较大的尘粒沾污,会影响薄膜和基片之间的附着力。

A、正确

B、错误

答案：B

52.厚膜浆料是胶体与悬浮体的混合体。

A、正确

B、错误

答案：A

53.利用芯片间蓝膜拉伸的绷片方法可同时达到裂片和绷片双重目的，因此它是

裂片的好方法。

A、正确

B、错误

答案：B

54.热压键合机含有能调节输出超声波能量的超声波发生器。

A、正确

B、错误

答案：B

55.薄厚膜集成电路的制造技术一样。

A、正确

B、错误

答案：B

56.氮气的化学性质活泼，跟大多数物质起反应。

A、正确

B、错误

答案：B

57.印好的湿膜应先置于室温下，依靠浆料本身的流动性使湿膜表面平整、丝网

印痕消失，静置时间越长越好。

A、正确

B、错误

答案：B

58.键合强度试验分为非破坏性拉力试验和破坏性拉力试验。

A、正确

B、错误

答案：A

59.双极型晶体管中电子和空穴都参加导电。

A、正确

B、错误

答案：A

60.在工作中，如果觉得机械真空泵电动机反转了，只要停一下电，然后把三相

电源中任意两根线相互倒一下就变成正转了。

A、正确

B、错误

答案：A

填空题

1.粘封工艺常用胶粘剂有热固性树脂、热塑料树脂和橡胶型胶粘剂3大类，半导

体器件的粘封工艺一般选用（）或（）胶粘剂。

答案：热固性|橡胶型

2.金属腔体、盖板及绝缘子的清洗可采用。清洗，在加热的清洗剂中超声清洗，

接着冷却漂洗，然后蒸汽清洗，最后氮气吹干；表面污染严重或去除氧化物时,

应加入（）。

答案：超声气相I抛光剂

3.钎焊密封工艺主要用于（）和（）。

答案：陶瓷封装I金属陶瓷封装

4.常用共晶合金的熔点:金锡合金的熔点是（），金锦合金的熔点是（），金铭

合金的熔点是（），金硅合金的熔点是（），铝硅合金的熔点是（）。（请填写

对应温度，包括其单位）

答案：280℃1370℃1356℃1370℃1577℃

5.厚膜元件烧结的基本工艺因元件种类不同而相差较大，以工艺要求最严的钿一

银电阻为例，它的烧结分预烧结、（）、降温冷却三个阶段。

答案：烧结

6.金刚刀划片中要注意几个关键点：对刀刃、（）、刀头压力适当。

答案：走刀方向

7.预烧阶段升温速率太快，则浆料中有机物挥发太快，形成（）和（）；降温速

率太快也会使玻璃内部产生（）而影响膜的稳定性。

答案:气泡I针孔I应力

8.良好的润湿时，合金焊料固化后形成特有的（）面。不润湿时，焊料固化后呈

（）。

答案：凸型I聚球状

9.涂敷是在电路板特定区域运行机械的、化学的、电化学的、物理的方法施加塑

性的或非塑性的（），起到环境保护和（或）机械保护作用。

答案：非导电薄层涂料

10.确定峰值烧结温度的原则是：既要保证形成膜结构，获得最佳元件特性的各

种反应能充分进行，又不使膜元件性能发生恶化的()\()\()等反应以及

晶格畸