【MOOC】半导体物理与器件-常熟理工学院 中国大学慕课MOOC答案

【MOOC】半导体物理与器件-常熟理工学院中国大学慕课MOOC答案绪论小测验1、【判断题】半导体电阻率和电阻是相同的概念。本题答案：【错误】2、【填空题】半导体的导电能力介于导体和（）之间？本题答案：【绝缘体】量子力学基础11、【单选题】量子力学是物理学朝（）领域发展的结果。本题答案：【微观】2、【填空题】德布罗意物质波的本质是什么波？本题答案：【概率波##%_YZPRLFH_%##几率波】晶体能带随堂测验1、【多选题】下列哪些属于晶体能带的特点？本题答案：【禁带#允带#能带是由若干能级组成的不连续能带】2、【判断题】通常绝缘体的禁带宽度比半导体禁带宽度大。本题答案：【正确】3、【填空题】（）定理用于描述晶体中电子的运动行为。本题答案：【布洛赫】有效质量随堂测验1、【单选题】半导体能带顶部极值附近的电子有效质量具有什么特点？本题答案：【有效质量为负】2、【判断题】半导体内层电子所处的能带较窄，二次微商小，具有较大的有效质量。本题答案：【正确】3、【填空题】（）质量可以概括半导体内部周期性势场的作用。本题答案：【有效】半导体空穴随堂测验1、【多选题】下列说话正确的是？本题答案：【空穴是价带中少量的空状态#空穴带正电，具有正的有效质量#空穴的移动实质上是共价键中电子的移动。】随堂测验1、【单选题】室温时，下列半导体禁带宽度的大小顺序排列正确的是？本题答案：【砷化镓硅锗】2、【填空题】根据半导体能带结构的特点，可以将半导体分为直接带隙半导体和（）带隙半导体。本题答案：【间接】随堂测验1、【多选题】下列半导体分类，对应关系正确的有？本题答案：【元素半导体与化合物半导体#直接带隙半导体与间接带隙半导体#宽禁带半导体与窄禁带半导体#本征半导体与杂质半导体】阶段测试11、【单选题】试计算质量为1×10^(-30)kg,速度为1×10^6m/s的微观粒子的德布罗意物质波波长？本题答案：【6.62×10^（-9）m】2、【单选题】多晶可以看成是由若干个（）组成的。本题答案：【小单晶粒】3、【单选题】下图中（三条红线围成的）晶面的的晶面指数是？本题答案：【（322）】4、【单选题】原胞是晶体结构中体积最小的重复单元，它只包含（）个格点。本题答案：【1】5、【单选题】当晶体中原子的间距越来越近时，开始出现（），能级越（），分裂的程度越显著。本题答案：【电子共有化运动，高】6、【单选题】布洛赫波函数可以看着是振幅（）的平面波，波函数在某一点的强度代表电子出现的（）。本题答案：【周期性变化，概率】7、【单选题】绝缘体和半导体的能带类似，但绝缘体的禁带宽度一般要（）半导体的禁带宽度。本题答案：【大于】8、【单选题】一般把禁带宽度大于或等于（）的半导体材料归类为宽禁带半导体材料。本题答案：【2.3eV】9、【单选题】当半导体硅中掺入磷原子时，如果磷原子替代硅原子，电离后其效果是形成一个（）中心和一个多余的（）。本题答案：【正电中心，电子】10、【单选题】下列哪个能级是属于浅能级？本题答案：【EA1】11、【多选题】根据导电能力的大小，可以将物质分为哪几类？本题答案：【绝缘体#半导体#导体】12、【多选题】集成电路的行业模式可以分为哪几种？本题答案：【IDM#Fab#Fabless】13、【多选题】半导体晶体具有哪些特征？本题答案：【周期性#各向异性】14、【多选题】晶体结构可以抽象为（）加（）？本题答案：【晶格点阵#基元】15、【多选题】晶体中能带的特点有？本题答案：【能带与能带之间存在禁带#低能级形成的能带宽度一般小于高能级形成的能带宽度#能带是准连续的】16、【填空题】利用（）模型，可以对浅能级杂质的电离能进行估算？本题答案：【类氢】17、【填空题】若半导体中同时存在施主和受主掺杂，且施主掺杂浓度近似等于受主掺杂浓度，则该半导体称为（）半导体？本题答案：【高度补偿】18、【填空题】金刚石结构是由（）组成复式格子。本题答案：【面心立方】19、【填空题】（）是将杂质离子通过电场加速、磁场选择注入到半导体晶片以调控半导体电学性质的掺杂手段。本题答案：【离子注入】20、【填空题】根据能带结构的特点，可以将半导体分为直接带隙和（）半导体。本题答案：【间接带隙】随堂测验1、【多选题】下列说法正确的有？本题答案：【绝对0K时，费米能级以下的量子态全部被电子占据#温度不太高的情况下，费米能级以上的量子态几乎是空的】随堂测验1、【单选题】本征半导体的费米能级位于（）。本题答案：【禁带中线】2、【多选题】关于本征半导体，下列说法哪些是正确的？本题答案：【本征半导体的载流子浓度来源于本征激发#本征半导体，电子浓度等于空穴浓度#一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小】3、【判断题】本征半导体是杂质半导体中的一种。本题答案：【错误】随堂测验1、【单选题】对于单一掺杂的n型半导体，低温下，其载流子主要来源于？本题答案：【施主杂质电离】2、【多选题】下列说法正确的有？本题答案：【半导体器件一般工作在强电离区#杂质半导体处于强电离状态时，其载流子浓度基本不变】3、【判断题】杂质能级上电子的分布规律与能带中的电子分布规律一致。本题答案：【错误】随堂测验1、【单选题】服从玻尔兹曼统计律的半导体具有哪个特征？本题答案：【其费米能级位于禁带内，且同导带底、价带顶的距离较远】随堂测验1、【单选题】下列哪个式子代表微分欧姆定律？本题答案：【】2、【多选题】下列哪些是电阻率的单位？本题答案：【#】3、【判断题】空穴的漂移运动方向与电场方向一致。本题答案：【错误】随堂测验1、【多选题】下列说法正确的是？本题答案：【半导体的电阻率决定于载流子浓度和迁移率#本征半导体的电阻率随温度增加而单调下降】2、【填空题】在低于室温的条件下，杂质半导体的载流子浓度主要由提供？本题答案：【杂质电离】阶段测验21、【单选题】简并半导体，必须要用（）分布函数来描述电子和空穴的统计分布规律。本题答案：【费米】2、【单选题】费米能级越高，代表系统中有更多（）能量的电子，费米能级以上的量子态几乎是（）。本题答案：【高，空的】3、【单选题】电子直接从价带跃迁到导带的过程称为（）。本题答案：【本征激发】4、【单选题】本征半导体的载流子来源于（）。本题答案：【本征激发】5、【单选题】电子占据杂质能级不可能发生的的情况是（）。本题答案：【2个电子同时占据1个杂质能级】6、【单选题】对于单一掺杂的n型半导体，其一般的电中性条件是（）。本题答案：【】7、【单选题】高温本征激发区，单一掺杂的n型半导体，其电中性条件可以简化为（）。本题答案：【】8、【单选题】电离杂质的散射几率与温度的关系为（）。本题答案：【】9、【单选题】晶格声学波振动，代表（）的振动。本题答案：【原胞质心的振动】10、【单选题】强电场情况下，载流子温度()与晶格温度()的关系为（）。本题答案：【】11、【多选题】处于强电离区的单一掺杂n型半导体，具有哪些特征？本题答案：【##】12、【多选题】质量作用定律体现在哪些方面（）？本题答案：【与费米能级无关#对于给定的半导体材料，只取决于温度#】13、【多选题】下列关于本征半导体，说法正确的有？本题答案：【本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体#本征半导体的费米能级位于禁带的中线附近#本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度#本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降】14、【多选题】半导体的散射机构包括（）。本题答案：【电离杂质散射#声学波散射#光学波散射#晶格振动散射】15、【多选题】关于杂质半导体电阻率随温度的变化关系描述正确的有（）。本题答案：【低温下，半导体的电阻率随温度的升高而下降，主要因为载流子浓度随温度升高而升高，且杂质电离散射几率随温度升高而下降#高温下，当本征激发称为主要矛盾时，其电阻率随温度升高而下降#当温度升高到杂质基本电离，且本征激发不显著时，晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素】16、【判断题】对于给定的半导体，其费米能级不随温度变化而变化。本题答案：【错误】17、【判断题】本征半导体制作的器件，其电学性质具有较好的温度稳定性。本题答案：【错误】18、【判断题】一般情况下，禁带宽度越大的半导体，其器件的极限工作温度越高。本题答案：【正确】19、【判断题】本征激发占主导地位时，非简并半导体的费米能级趋于禁带的中线位置。本题答案：【正确】20、【判断题】特定温度下，对于给定的半导体材料，电导率是常数，与电场无关。本题答案：【错误】21、【填空题】单位场强下的平均漂移速度称为（），它反映了载流子做漂移运动的能力。本题答案：【迁移率】22、【填空题】（）是一把标尺，标志着半导体中电子填充能