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自觉遵守考场纪律如考试作弊此答卷无效密自觉遵守考场纪律如考试作弊此答卷无效密封线第1页,共3页太湖创意职业技术学院《材料结构分析(二)》

2023-2024学年第一学期期末试卷院(系)_______班级_______学号_______姓名_______题号一二三四总分得分批阅人一、单选题(本大题共15个小题,每小题2分,共30分.在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的.)1、对于一种陶瓷基复合材料,要改善其韧性,以下哪种增强相的引入通常是有效的?()A.连续纤维B.颗粒C.晶须D.短纤维2、在研究陶瓷材料的电击穿性能时,发现击穿场强与陶瓷的气孔率有关。气孔率越高,击穿场强通常会()A.升高B.降低C.不变D.先降低后升高3、在研究材料的扩散现象时,发现扩散系数与温度之间存在指数关系。以下哪种机制可以解释这种温度依赖性?()A.空位机制B.间隙机制C.交换机制D.表面扩散机制4、复合材料的力学性能通常优于单一材料,那么复合材料力学性能的主要特点有哪些?()A.高强度、高刚度、低密度B.良好的韧性、抗疲劳性、耐腐蚀性C.可设计性强、性能各向异性D.以上都是5、在材料的失效分析中,应力腐蚀开裂是一种常见的失效形式。对于铝合金在氯化物溶液中的应力腐蚀开裂,以下哪种措施可以有效预防?()A.增加合金元素含量B.进行表面处理C.降低应力水平D.以上措施均有效6、一种新型的电致变色材料在电场作用下能够实现颜色的可逆变化。以下哪种材料类别最有可能具有这种性能?()A.过渡金属氧化物B.有机聚合物C.无机化合物D.以上均有可能7、在研究材料的热稳定性时,发现一种材料在高温下结构发生相变,导致性能下降。以下哪种测试方法可以有效地监测这种相变过程?()A.热膨胀测量B.热重分析C.差热分析D.高温X射线衍射8、在研究金属材料的晶体结构时,面心立方晶格的原子配位数是12,而体心立方晶格的原子配位数是8。以下关于这两种晶格结构特点的描述,正确的是()A.面心立方晶格的致密度高于体心立方晶格B.体心立方晶格的塑性优于面心立方晶格C.面心立方晶格的硬度大于体心立方晶格D.体心立方晶格的熔点高于面心立方晶格9、在分析材料的腐蚀防护方法时,发现一种金属采用阳极保护可以有效地减缓腐蚀。阳极保护的原理是()A.使金属处于钝化状态B.形成保护性氧化膜C.降低金属的电位D.增加金属的耐蚀性10、在研究一种新型金属材料的力学性能时,发现其抗拉强度明显高于传统材料,同时延展性也较好。以下哪种强化机制最有可能是导致这种性能提升的原因?()A.固溶强化B.细晶强化C.沉淀强化D.加工硬化11、超导材料在低温下具有零电阻和完全抗磁性等奇特性能。对于高温超导材料,其临界温度通常在什么范围内?()A.液氮温度以下B.液氦温度以下C.室温以上D.0-100K之间12、在研究材料的阻尼性能时,发现一种高分子材料在玻璃化转变温度附近阻尼性能显著提高。这是因为在该温度附近()A.分子链运动加剧B.自由体积增加C.内摩擦增大D.以上都是13、在陶瓷材料的制备过程中,需要控制烧结工艺以获得理想的性能。如果要制备具有高密度和高强度的陶瓷制品,以下哪种烧结方法可能最为合适?()A.常压烧结B.热压烧结C.放电等离子烧结D.反应烧结14、在研究材料的介电性能时,介电常数反映了材料储存电能的能力。以下哪种材料通常具有较高的介电常数?()A.陶瓷材料B.高分子材料C.金属材料D.半导体材料15、在研究材料的热性能时,热膨胀系数是一个重要参数。一般来说,金属材料的热膨胀系数()A.小于陶瓷材料B.大于陶瓷材料C.等于陶瓷材料D.与陶瓷材料无关二、简答题(本大题共3个小题,共15分)1、(本题5分)论述半导体材料的导电机制,比较本征半导体和杂质半导体的导电特性,并解释如何通过掺杂来调控半导体的导电性。2、(本题5分)解释高分子材料在溶液中溶解性良好的原因,讨论分子结构对溶解性的影响规律和在高分子材料加工中的应用。3、(本题5分)解释高分子纳米复合材料的结构和性能特点,以及其制备方法和应用前景。三、论述题(本大题共5个小题,共25分)1、(本题5分)全面论述金属塑性变形过程中的位错交互作用和增殖机制,以及对金属加工硬化和软化行为的影响。2、(本题5分)阐述陶瓷材料的制备工艺及其对材料性能的影响,包括原料选择、成型方法和烧结过程等方面。3、(本题5分)详细论述材料的表面等离子体共振现象及其在材料中的应用,分析金属纳米结构中的表面等离子体共振机制和光学特性的调控。4、(本题5分)全面论述材料的光催化性能,分析半导体光催化剂的原理和影响光催化效率的因素,论述光催化材料在环境治理如降解有机污染物、分解水制氢和空气净化中的应用和发展。5、(本题5分)深入探讨金属材料再结晶过程中的织构演变及其对材料性能的影响,以及控制织构的方法和应用。四、计算题(本大题共3个小题,共30分)1、(本题10分)已知一种半导体材料的禁带宽度为2eV,计算其对应的波长。2、(本题10分)某种陶瓷的热扩散系数为1.

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