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文档简介

单晶硅各向异性刻蚀

与虚拟仿真实验学习目标熟悉单晶硅各向异性刻蚀原理熟悉单晶硅各向异性刻蚀液成分熟悉虚拟仿真实验操作单晶硅单晶硅由金刚石结构的立方晶胞有序重复组成，硅常用晶面上原子分布Si面密度:(100)2/a2(110)2.83/a2(111)2.3/a2晶面原子密度关系为（111）＞（110）＞（100）各向异性刻蚀原理在特定溶液中，晶面原子密度越大，刻蚀速率越低，形成各向异性刻蚀。logo材料表面（100）晶面，倾斜的侧面(111)晶面，与水平面夹角54.7°晶面刻蚀速率约为(111)晶面刻蚀速率的100倍单晶硅各向异性刻蚀液添加标题EDP（乙二胺+对苯二酚+水）添加标题TMAH（四甲基氢氧化铵）添加标题联胺添加标题氢氧化钠添加标题氢氧化锂添加标题氨水单晶硅各向异性刻蚀液氢氧化钾𝐒𝐢+𝟐𝐎_x001A_𝐇_x001B_−_x001B_+𝟒_x001A_𝐇_x001B_𝟐_x001B_𝐎→𝐒𝐢(_x001A__x001A_𝐎𝐇_x001B__x001B_𝟐_x001B_+氧化硅掩模单晶硅（100）（100）晶面（111）晶面单晶硅各向异性刻蚀虚拟仿真实验双击选择氢氧化钾刻蚀液将刻蚀液倒入刻蚀槽中双击打开刻蚀槽盖子。将腐蚀槽放入刻蚀槽中盖好刻蚀槽盖子，调节刻蚀温度并加热加热完成后，双击打开刻蚀槽盖子双击硅片花篮，将硅片花篮放入刻蚀槽中设置刻蚀时间并开始计时刻蚀计时完成后，双击硅片花篮，将硅片花篮放入溢流冲水槽中进行冲洗。

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