新一代高端半导体芯片系列产品研发及产业化项目二期基建工程报告表

建设项目环境影响报告表(污染影响类)项目名称：新一代高端半导体芯片系列产品研发及产业化项目二期基建工程建设单位(盖章):无锡英菲感知技术有限公司中华人民共和国生态环境部制一、建设项目基本情况 二、建设项目工程分析 三、区域环境质量现状、环境保护目标及评价标准 四、主要环境影响和保护措施 五、环境保护措施监督检查清单 六、结论 建设项目污染物排放量汇总表 附图1项目地理位置图附图2建设项目周围500米环境示意图附图3车间平面布置图附图4厂区平面布置及雨污水官网图附图5项目土地利用总体规划图附图6江苏省生态空间保护区域分布图附图7无锡市环境管控单元图附件1:江苏省投资项目备案证；附件2:信息登记单；附件3:营业执照；附件4:不动产权证书；附件5:现有项目环保手续；附件6:固废处置承诺及危废协议；附件7:建设项目排放污染物指标申请表；附件8:相关原料MSDS及VOC检测报告；附件9:环评委托书；附件10:环评编制合同；附件11:声明确认单；附件12:环评单位承诺书；附件13:环评公示截图；附件14:现场踏勘照片。1一、建设项目基本情况建设项目名称项目代码建设地点无锡市新吴区华秀路66号(东经120度20分49.9秒，北纬31度30分30.8秒)国民经济行业类别建设项目行业类别组装的)和试验发展四十五、研究和试验发展98.专业实验室、研究(试验)基地建设性质口新建(迁建)口改建口技术改造建设项目申报情形☑首次申报项目口不予批准后再次申报项目口超五年重新审核项目口□重大变动重新报批项目(核准/备案)部门(选填)新吴区行政审批局备案)文号(选填)锡新行审投备[2024]361号总投资(万元)环保投资(万元)环保投资占施工工期15个月是否开工建设口是：用地面积(m²)7530.33(新建建筑占地面积)设置情况无况规划名称：《无锡(太湖)国际科技园控制性详细规划科创区区管理单元动态更新》;审批机关：无锡市自然资源和规划局；公布时间：2023年09月08日。境影响况规划环评文件：《无锡(太湖)国际科技园环境影响报告书》;审查机关：无锡市环境保护局；规划环评审查意见文号：锡环管[2009]67号。规划跟踪评价文件：《无锡(太湖)国际科技园规划环境影响跟踪评价报告书》审查机关：无锡高新区(新吴区)安全生产监督管理和环境保护局2规划及规划环境影响析本项目位于无锡市新吴区华秀路66号，根据园控制性详细规划科创区-孵化区、科创区-研发区管理单元动态更新》,建设项目地块属于生产研发用地+科研设计用地，故本项目与土地利用规划相符，且本项目具备污染集中控制条件。本项目地理位置详见附图1,用地规划详见附图无锡太湖国际科技园的产业定位主要为发展IT设计、软件开发设计、创意产业等自主创新的高科技产业，一级服务于高科技产业的现代化服务业。本项目主要从事红外机芯模组的研发及生产工作，属于高科技产业，符合园区产业定位。(1)规划环评及审查意见的相符性分析持续改园总体态科技园，建立园区ISO14000环境管本项目主要从事红外机芯高技术含量项目、符合要业导升项目目录(2017年修订)》、《江苏省节工作若干政策措施的通知》(苏政发政办发[2007]115号)、《江苏省太湖污染防治条例》(2007年修订版)等强建设项目的环境管理将园区建成集3IT设计、软件开发设计、创意产业等技园应严格按照报告书中产业定位引进项目，不得引进非产业定位方向和项目一律不得开工建设时”制度。园布进区内发展的理念，进一步优化用地布局规逐步进行搬迁。保基础设加快建设区内截污管网和雨水排放系水质标准》(CJ3082-1999)中"有城结合太湖新城污水处理厂尾水回用系采取有效措施严格控制废气无组织排但应编制主要产业固废综合利用和安流、清污分流",生活污水经化粪池预处理后接管太照规范要求设置一般固废暂存区和危废堆场。4和应急措施恰当规模的扩建，并提前报批环评文件，经环保部门批准同意后实施。污水处理厂处理余量范围经对照可知，本项目的建设符合《关于无锡(太湖)国际科技园环境影响报告书的批复》(锡环管[2009]67号)的要求。(2)规划环评跟踪评价及审查意见的相符性分析本项目与《关于无锡(太湖)国际科技园规划环境影响跟踪评价报告书的审核意见》(锡环管新[2017]3号)相符性详见表1-2。见(一)园区位处太湖一级保护区位于新预处理后接管太湖新城污京杭运河。(二)按计划推进不符合用地规划及产模组的研发及生产工作，项目所在地规划为“生产研发用地”,符合《无锡 (太湖)国际控制科技园控制性详细规划》,用地定位。待本项目建成后将及时完成环保“三同时”验收。(三)加强、完善园区环境管理。2017措施。本项目将按照园区环境管由上表可知，本项目建设与区域规划环评及跟踪5析本项目主要从事C3976光电子器件制造和M73验发展，经查实，不属于《产业结构调整指导目录(2021年修订版)》(中华人民共和国国家发展和改革委员会令第49号)中的鼓励类、限制类和淘汰类；不属于《无锡市产业结构调整指导目录(试止类项目；不属于《无锡市制造业转型发展指导目录(2012年本)》(锡政办发〔2013〕54号)中的限制类和淘汰类；不属资项目目录》(2015年本)中禁止投资项目；不属于《江苏省产业结构调整限制淘汰和禁止目录(2018年本)》中限制淘本项目不属于《环境保护综合名录》(2021年版)中“高污染、高环境风险产品名录",也不属于高耗能行业，符合放建设项目生态环境源头防控的指导意见》中相关要求。本项目位于无锡市新吴区华秀路66号，根据《江苏省国家级生态保护红线规划》(苏政发[2018]74号)或《省政府关于印发江苏省生态空间管控区域规划的通知(苏政发[2020]1号)》,本项目与国家级及江苏省生态红线最近保护目标之间关系见下表。距离(m)红线区域范围控区类别生态锡市区)护区南生态空间管6贡湖锡东饮用水水源保护区南南的陆域。保护区域由上表可知，项目选址符合《江苏省国家级生态保护红线规划》(苏政发[2018]74号)以及《省政府关于印发江苏省生态空间管控区域规划的通知(苏政发[2020]1号)》中的相关要项目所在地大气环境为环境空气质量功能二类地区，根据《无锡市环境状况公报》(2023年度)的无锡市区基本污染物质量监测数据，评价区O₃未能达到《环境空气质量标准》(GB3095-2012)的二级标准，根据无锡市人民政府2019年1月29日印发的《无锡市大划(2018-2025年)》到2025年除O3以外的主要大气污染物浓度达到GB3095-2012二级标准；地表水监测中，京杭运河地表水氮、总磷监测值均能满足《地表水环境质量标准》(GB3838-2002)中的IV类标准要求。项目所在地声环境质量满足《声环境质量标准》因此项目的建设符合环境质量底线标准。本项目主要从事红外机芯模组的研发及生产，位于无锡市新吴区华秀路66号。所使用的能源主要为水、电能，物耗以及能耗水平较低，不会超过资源利用上线。本项目用水水源来自市政管电，能满足本项目的需求。本项目位于无锡市新吴区华秀路66号，根据《关于无锡(太湖)国际科技园规划环境影响跟踪评价报告书的审核意见》(锡环管新[2017]3号)中无锡(太湖)国际科技园产业发展负面清单一览表，本项目相符性分析类别内容发展指导目录(2012年本)》有毒有害物质的码头。保护相关文件中禁止引进的项目。排放恶臭气体的研发型企业和项本项目不排放有毒废气和恶臭气体。险较大的项目入区。较小。综上所述，建设项目符合国家、地方产业政策，项目选址符合区域总体规划，并能够满足生态保护红线、环境质量底线以及资源利用上限的要求。根据《江苏省太湖水污染防治条例》规定，太湖流域划分为三级保护区：太湖湖体、沿湖岸五公里区域、入湖河道上溯十公里以及沿岸两侧各一公里范围为一级保护区；主要入湖河道上溯十公里至五十公里以及沿岸两侧各一公里范围为二级保护区；其他地区为三级保护区。建设项目位于太湖流域一级保护区内。78域管理条人民共和国国务院号，2011年当依法关闭”。染、电镀等行业。他主要入太湖河道，自河口1万米上溯至5万米河道岸线内及其岸线两侧各1000米范围内，禁止下列行为：(一)新建、扩建污水集中处理设施排污口以外的排污口；(三)扩大水产养殖规模”;不涉及5000米范围内，淀山湖岸线内和岸线周边2000米范围内，太浦河、新孟河、望虞河岸线内和岸线两侧各1000米范围内，其他主要入太湖河道自河口上溯至1万米河道岸线内及其岸线两侧各1000米范围内，禁化学品的贮存、输送设施和废物回收场、垃圾场；(二)设置水上餐饮经营设施；(三)新建、扩建高尔夫球场；(四)新向水体排放污染物的建设项目；(六)本不涉及《江苏省太湖水污染防治条第四十三条规定：太湖流域一、二、三级保护区禁止下列行为：(一)新建、改建、扩建化学制浆造纸、制革、酿造、理等环境基础设施项目和第四十六条规定用品；(三)向水体排放或者倾倒油类、渣废液、含病原体污水、工业废渣以及其山采石，或者进行破坏林木、植被、水生行为。门的危废仓库和一般由上表可知，本项目建设与《太湖流域管理条例》、《江苏省太湖水9机物污染控制(1)所有产生有机废气污染的企业，应优先采用环保型原辅产单元或设施进行密闭，从源头物排放。(2)鼓励对排放的VOCs回收利用，并优先在生产系统内小，对环境影响可忽略不法有机物排放总量指标的不足部分，可以依照有关规定通过排污小，对环境影响可忽略不营者应当履行防治挥发性有机物发性有机物污染控制技术，规范确保挥发性有机物的排放符合相小，对环境影响可忽略不行挥发性有机物回收或者净化设系统产生的废气应当收集和处当密闭储存、运输、装卸，禁止敞口和露天放置。无法在密闭空间进行的生产经营活动应当采取小，对环境影响可忽略不由上表可知：本项目建设与挥发性有机污染防治相关文件的相关要求控区国土空间管控细则(试行)的通知》(锡政规[2023]7号)的相符性分根据苏政发[2021]20号文和苏政规[2023]7号文区是指大运河无锡段主河道两岸各2千米的范围。核心监控区(除大运河无锡段主河道外)划分建成区、滨河生态空间与核心监控区域。建成区是指核心监控区内，城镇开发边界以边界以外的村庄建成区。滨河生态空间是指核心监控区(城市、建制镇)外，大运河无锡段主河道两岸各1千米的范围。核心监控区其他区域是指核心监控区内除建成区、滨河生态项目距离东北侧的京杭大运河1.2km,在建成区内，属于核心监控区内的建成区。本项目与苏政发[2021]20文和苏政规[2023]7号文相符性分析如发大运河江苏段核心监控区国土空间管控暂行办发[2021]20号)在地属于生产新建厂房进行子器件制造和M7320工程和目不涉及老城区传统风貌和护区。(一)老城区传统风貌指世界文化遗产中住房城乡建设等相关主管部门意见。内容生产工艺、装备、原四替代的污染治理设施替代传统工艺、普通装备、高挥发性原料、落后的污染治理设施进设备，工艺先进。从场址选取、厂区布局、厂房设计、设备选型等方面充分考虑环境保护的需收集、环境风险防范等问题。生产工艺选用的各种涂料、厂房建筑用总量控制、碳达峰碳中和目标、生态环准入条件。项目。程中中收强化项目的节水设计，提高项目中水回水平以上。强化生产过程中的物料回收利用，鼓励有条件的挥发性有机物排放企业(如印等技术实现物料回用强化固体废物源头减量和综合利用，配同样的设计水平和环保要求，提升回收效率，需外送利用处置固体废物和危险单位。治污设施提高高效率项目审批阶段必须征求水、气、固体等是否已达到目前上级要求的最先进水用可行性技术，提高治污设施的标准和要求，对于未采用污染防治可行技术的项目不予受理；鼓励采用具备应用案例治理方案》的要求，对挥发性有机物要有效收集、提高效率，鼓励采用吸附、吸收、生物净化、催化燃烧、蓄热燃烧等多种治理技术联合应用的工艺路线；组织排放控制标准》的相关要求。对于物的废气进行全收集和治理。对涉水、天然气锅炉必须采用低氮燃烧技术，工本项目不涉及锅炉、工业炉由上表可知，本项目符合《关于在环评审批阶段开展“源头管控行动”的工作意见》文件要求。7、与《关于印发<江苏省地表水氟化物污染治理工作方案(2023-2025年)>的通知》(苏污防攻坚指办[2023]2号)的相符性内容污分流、清污分流”,鼓励企业采用“一企一管，明管(专管)输送”的收水分类收集、分质处理。新建企业含氟废水不得接入城镇污水处理设施，现有企业已接管城镇污水集中收集处理设施的须组织排查评估，认定不能接入的限期退出，认定可以接入的须经预处理达标后方可接入由上表可知，本项目符合《关于印发<江苏省地表水氟化物污染治理工作方案(2023-2025年)>的通知》文件要求。本项目是否清洁原检测项目碳酸钙氧烷挥发性有机化合物限量》本体型硅类≤原样配比)是是本项目使用的为密封胶，结合本项目使用工况，VOC含量为6g/kg,符合《胶粘剂挥发性有机化合物限量》(GB33372-2020)要求中的本体型胶粘剂中其他(VOC含量≤100g/kg)。因此，本项目使用的密封胶属于低VOCs原辅料。综上所述，建设项目符合国家、地方产业政策，项目选址符合区域总体规划，并能够满足生态保护红线、环境质量底线以及资源利用上限的要求。二、建设项目工程分析建设内容无锡英菲感知技术有限公司成立于2016年，位于无锡市新吴区华秀路66号，自建芯片研发厂房，主要致力于集成化、低功耗、低成本和高性能传感器及其应用的研发，核心团队成员在非制冷红外焦平面芯片及MEMS之一，可广泛应用于体感温度实时成像检测、行人识别与交通流量控制、公司现有一期“无锡英菲感知技术有限公司新一代高端半导体芯片研发项目(一期)”已获得环评批复且通过环保“三同时”竣工验收。现全厂主要从事化合物半导体芯片和MEMS传感器的研发，年研发化合物半导体芯片6000片、MSMS传感器15000片。本项目拟投资14000万元，在现有厂区内利用公司自有存量土地，新建芯片厂房2、研发楼、甲类仓库、门卫房、非机动车棚、地下车库、地下消防事故池和连廊等建筑，共计占地面积约7530.33平方米，建筑面积约44131.69平方米。并建设红外机芯模组研发及生产线，该模组主要用于智慧安防、自动驾驶夜视等民用领域。扩建项目设计能力为年研发红外机芯模组2000件，年生产红外机芯模组28000件。本项目建成后，全厂设计能力为：年研发红外机芯模组2000件、化合物半导体芯片6000片、MSMS传感器15000片；年产红外机芯模组28000件。该项目已于2024年4月26日获得新吴区行政审批局的立项备案意项目代码：2210-320214-89-01-373766。根据《中华人民共和国环境保护法》和《中价法》中的有关规定，项目需开展环境影响评价工作。对照《建设项目环境影响评价分类管理名录(2021年版)》,本项目红外机芯模组研发类别属于“四十五、研究和试验发展"中“98专业实验室、研发(试验)基地15——其他(不产生实验废气、废水、危险废物的除外)告表。因此，建设单位委托环评单位编制该项目的环境影响报告表。环评单位以环评导则和相关法规标准为编制依据，编制了本项目环境影响报告表。本项目所涉及的安全、消防、卫生等问题不属于本评价的范围，请公劳动定员：原有项目员工200人，本项目新增员工800人，共1000工作制度：原有项目全厂年生产天数300天，8小时单班制，本项目本项目设有食堂供应员工用餐，不设浴室、宿舍等生活设全厂主体工程及产品方案见表2-1,建设规模见表2-2。原项目主要从事化合物半导体芯片和MSMS传感器的研发，本项目主要从事红外机芯模组的研发及生产。工程名称(车间、时数(h)生产车间红外机芯模组028000件/年年研发车间红外机芯模组02000件/年2000件/年化合物半导体芯片015000片/年15000片/年0类别设计能力酸碱仓库不变有机溶剂仓库不变特气分配间不变甲类仓库0///公用给水自来水管网纯水不变排生活污水16水0水经化粪池/隔油水经污水处理站水处理厂不变0不变不变一般清洗废水不变不变不变空调废水0供电+400万/不变/废气有机废气炭吸附装置不变处理有机废气含氟废气附干式尾置不变处理含氟废气酸性废气二级碱液喷淋洗涤塔不变处理酸性废气油烟废气油烟净化/新增处理食堂油烟废气废水不变处理含氟清洗废水、划片废水酸碱中和不变处理含氟清洗废却废水、制纯废噪声高噪声设备(风机、空压机等)隔声罩、消声器等设施不变/优化布局优化布局不变/固废一般固废堆场不变危险废物仓库危废仓库危废仓库险废弃物危废仓库危废仓库原辅材料的消耗见表2-3,设备清单见表2-4。表2-3主要原辅材料消耗一览表序号1电子元器件万个0/20/30/增原4镜头0/502/6密封胶0碳酸钙45%~52%、聚二甲76/8英寸硅片盒0硅片器82寸晶圆片盒0导体芯片94/6寸晶圆片盒0硅片块0蒸发料(Ti)g0蒸发料(Pt)g0蒸发料(Au)g0蒸发料(Al)g0高纯Al源个110高纯As源个110高纯Ga源个110高纯Sb源个110高纯In源个110高纯Be源个110高纯Si源个110高纯TeGa源个110三甲基铝0三甲基铝钇L0钇甲醇L0玻璃瓶(5L,纯度：99%)/乙醇L0/100%异丙醇0100%异丙醇/丙酮0丙酮/I线光刻胶0丙二醇单甲醚乙酸脂涂胶DUV光刻胶0面活性剂0.1%110含0.95%氟和1.25%氪的氖气曝光显影剂0四甲基氢氧化铵25%、水显影0聚酰亚胺旋涂0040%NH₄F=1:6(体积比)0(体积比)0氢氧化钾0L5500类EKC清洗液01-甲基-2-丙醇50-100%、蚀刻后残留物去除液0氨气220沉积0笑气000四氟化碳7700330氦气220氧气000氯气0氯化硼220氩气110220溴化氢0八氟环丁烷00甲烷220氢气110高纯氮L550/吨0/098.3%硫酸L0玻璃瓶(浓度：95%)L0玻璃瓶(L纯度99%)L0L550L0研磨L0呋喃环氧20%、环氧树脂甲酸L0甲酸0/0/0/陶瓷片片0L00金丝0铟330铟片碱0公用0聚合氯化铝食品级次氯酸钠0离子膜液碱00无磷环保型前处理絮凝剂0/前处理还原剂0/无机消泡剂L0/乙醇(擦拭用)660/丙酮(擦拭用)660/理化性质密封胶>100℃,相对密度(水=1)为1.39,/LDso大鼠>内容数量(台/套)02/前置标定06/0/060/0/高低温试验箱03/箱0/01/黑体0//01/空压机01原项目/1010区(万级)/1010/1010/1010/1110金相显微镜/1010白区一(百20/1010/1010/1010/2020台阶仪1010/3030区(万级)/1010/3030/2020/10101010黄光一区(百级)10101010明场缺陷检测/1010暗场缺陷检测/1010/2020自动涂胶显影机/20201010/5150薄膜灰区(万级)4040四探针测试设备/4040白区二(百晶圆键合机/4040封测一区(百级)探针台/4240/10102120回流炉/4040晶相显微镜2020/2120区/4040半自动湿法腐蚀设备/3330/1110/1110白区三(百/1110烘箱/24201110黄光二区(百级)11101110明场缺陷检测/1010暗场缺陷检测/1010/2220自动涂胶显影机/3330避震台/11101110通风工作台/1110/1110热板/1110/1010冰箱/1110离子束沉积台/1010区(万级)电子束蒸发台/1110溅射金属沉积/1010感应蒸发台(铟)/1110积/1110ICPCVD薄膜沉积/2120ICP刻蚀机/1110ICP刻蚀机(金/1110/1110ICP刻蚀机/1110ICP刻蚀机/5050/1110封测二区(千级)/1110金相显微镜/1110贴膜机/1110/1110/3130/1010/1110晶圆减薄机/1010探针台1010/1210自动引线键合机/1110/1110/1110/1110自动点胶机/1110共晶炉/2120排气台/1010分子束外延设备/2120外延区(千快速退火炉1110定制扩散炉/1010/1110/1110/1010缺陷显微成像扫描分析系统/1010本项目位于江苏省无锡市新吴区华秀路66号，本项目厂房东侧为北京中石伟业科技无锡有限公司，南侧为空地，西侧为纽豹智能识别技术(无本项目全厂内划分为芯片厂房2、研发楼、甲类仓库、门卫房、非机动车棚、地下车库、地下消防事故池和连廊等不同的功能区域。详见附图5、生产工艺流程及产污环节分析5.1、施工期工艺流程及产污环节分析G1粉尘 G1粉尘 门窗制作屋面制作 管线安装附属工程*整及施工场地周围挡挖方。施工过程中有施工污水产生。现浇钢砼柱、梁：根据施工图纸，首先进行钢筋加工主要包括调直、下料、剪切、接长、弯曲等物理过程，然后进行钢筋的绑扎，安装于架好模板之处。混凝土大部分应使用商品砼，少量现浇砼的向搅拌机料斗中依次加入砂、水泥、石子和水，装料量为搅拌几何容积的连续进行灌筑，在下一层初凝前，将上一层混凝土灌下，并捣实使上下层砖墙砌筑：首先进行水泥砂浆的调配，用水泥砂浆抄平钢砼柱、梁的基面，利用经纬仪、垂球和龙门板放线，并弹出纵横墙边线。然后在弹好线的基面上按选定的组砌方式进行摆脚，立好匹数杆，再据此挂线砌筑。一般采用铺灰技砌法和铲灰挤砌法，砖墙砌筑完毕后，进行勾缝。要污染物是加工器械产生的噪声，工人的生活污水，各种废弃的下角料等屋面制作：屋面由结构层、防水层和保护层组成。防水、刚性防水和涂料防水三种做法，该项目采用柔性防水。平屋面做法是在现浇制板上刷一道结合水泥浆，851隔气层一道，用水泥珍珠岩建隔热层，再抹20~30毫米厚、内掺5%防水剂的水泥砂浆，表面罩一层1:6:8防水水泥浆(防水剂：水：水泥)瓦屋面做法是在现浇制板上刷一道结合水泥浆，抄平，粉挂瓦条和水主要污染物是搅拌机的噪声、拌制砂浆水和人工的生活污水，碎砖瓦、抹灰、贴面：抹灰先外墙后内墙。外墙由上而下，浆。主要污染物是搅拌机的噪声、拌制砂浆时的砂浆水，废砂浆和废弃的油漆施工：该项目仅对外露的铁件进行油漆施工，先刷两遍调和漆。因需进行油漆作业的工件很少，油漆使用量较少，施工期短，挥发的有机废气量小，且呈无组织面源排放模式，对周围环境的影响下水道等施工，主要污染物是施工机械的噪声、扬尘、拌制砂浆时的砂浆产生点废气间断工机械连续类间断于施工，其余接管新城水处理厂生活污水间断厂噪声噪声连续设置隔音屏障、距离衰减噪声连续固废施工建筑垃圾间断生活垃圾间断由环卫部门统一清运处理红外机芯模组的研发和生产是相互依赖的过程。研发阶段需要考虑客户市场需求、技术可行性以及成本效益，而生产阶段则需要将研发成果转化为实际产品，同时保证产品的质量和成本控制现在技术突破推动产品创新，进而影响生产流程本项目在生产的同时开展研发测试活动，由于本项目研发、生产工艺一致，生产设备也能同时满足研发和生产的需求。因此本报告研发过程产排污环节与生产过程一并分析。电子元器、金属结构电子元器、金属结构件、PCB/PCBA、镜头密封胶组装图像测试功能测试高低温测试画质测试外观测试入库G1有机废气S3不合格品S4不合格品S5不合格品S6不合格品S7不合格品S8不合格品Si不合格品S2废线路板冷却水冷却水质检查，此工序产生不合格品Si、废线路板S₂。言)编写程序代码写入集成电路中。程序代码为二进制、十六进制或其他格式，具体取决于客户所需场景类型和要求，在烧录过程中，烧录工具与芯片连接，通过特定的接口(如JTAG或SWD接口)将程序代码传输到芯片中。封胶进行组装，此工序产生有机废气G₁。头焦距/像元间距)查表选靶，通过设置靶与背景的温差来观察靶的成像，成像刚好模糊所对应的正负两个温差的绝对值平均即MRTD,典型值为300mK。此工序产生不合格品S3。环境测试：将产品置于不同温度环境下进行产品耐温测试，主要目的在于当机芯处于不同环境温度中时，需要使机芯看温度与场景温度)。此时重点关注探测器均值，即所有像素点灰度的平均值。若探测器是14bit输出，则均值上限为16383。在室温下做0OC矫正，若0OC目标值是7000,探测器响应率为70K-1,则此时探测器可探测的场景温度范围大约在-80℃到150℃。此工序产生不合格品S4。成像的质量。测试中机芯保持工作状态，着重观察图像是否有横纹波动、能测试，主要目的在于测试红外机芯在极端温度环境下的电路、程序、结构性能以及功耗。电路不分主要考量芯片和电路设计在极端温程序部分主要考量机芯功能(如快门矫正)是否正常，结构部分主要基于不同组件膨胀系数差异、镜头无热化设计质量的考量，功耗用于计算电路电流(电压恒定),从而通过电路和芯片额定电流指导机芯设计优化。此画质检验：对最终产品的成像效果进行检查。观察功耗、探测器均值、类别产生点去向废气组装有机废气冷却废水空调空调废水员工生活生活污水固废不合格品相关单位回收利用噪声/生产设备距离衰减、厂房隔声生活用水：本项目营运期用水主要为员工生活用水，根用水量约12000t/a,损耗按15%计，产生生活污水102标准》(GB50015-2019)表3.1.10中“快餐店、职工及学生食堂”用水系堂用水量约7500t/a,损耗按15%计，产生食堂污水6375t/a。时间为2400h/a,则循环水量为576000t/a。补充水量按照2%计，则冷却塔补充水量为11520t/a,主要为定期排水和蒸发损耗水的补充，比例约为1:5,则冷却塔排放量为1920t/a,冷却系统重不添加阻垢剂等物质，冷却废水不含氮磷等污染物，接入污水管网。本项目使用水冷式空调，经过室内的风机盘管将水循环使用达到冷却目的，水冷式空调冷却循环流量为126t/h,共有18台水冷式空2721600t/a。补充水量按2%计，则水空调补充水量为54432t/a,主要为定9072t/a,水冷式空调循环系统中不添加阻垢剂等物质，空调水冷废水不含氮、磷等污染物，可直接接入污水管网。损耗1125损耗1125自来水污水处理厂 隔油池 空调用水9072 图2-3本项目水量平衡图单位：t/a本项目建成后全厂水量平衡图：新鲜用水纯水纯水制备损耗45360空调用水[循化量2721600损耗9600循环冷却水循化量576000损耗1125食堂用水6375隔油池6375损耗2250接管太湖生活用水12750→化粪池1275030117新城污水处理厂损耗13260酸碱中和冷却塔用水2340酸碱中和用设施循化量156000005082.4中水回用设施制纯废水1056一般清洗废763一般清洗水763物化处理物化处理648划片清洗648162刻蚀后清洗(HF槽)含氟清洗废水162L碱性清洗废113.4刻蚀后清洗(KOH槽)水113.4550.8刻蚀后清洗(其他)550.8清洗废液72预清洗7280光刻后清洗80929.6收集桶1480.4633.6去胶后清洗633.672研磨后清洗72损耗204喷淋塔用水36委托有资质循化量12000绿化用水1413挥发或进入土壤与项目有关的原有环境污染问题无锡英菲感知技术有限公司成立于2016年，位于无锡市新吴区华进行化合物半导体芯片和MSMS传感器的研发，年研发化合物半导体芯片6000片、MSMS传感器15000片。公司现有项目环评及验收情况见表2-8。“三同时”竣工验收审批部门验收时间验收部门新一代高端半导体芯片表无锡市行政审批局体芯片及7500片自主验收体芯片及7500片/建设中公司已于2021年7月26日首次申请取得简化管理排污许可证，证书编号：91320214MA1MQKN609001U。有效期限：2021.7.26~2026.7.25。现有项目主要从事化合物半导体芯片和MSMS传感器的研发，不涉及具体的生(1)MSMS传感器研发工艺流程图6、8英寸晶圆芯片预清洗预清洗多次循环沉积掩膜P胶→P胶→剂溅射金属1溅射金属1酸法刻蚀酸法刻蚀碱法刻蚀干法刻蚀△纯水研磨后清洗→L₁-13清洗废液(接下页)(接上页)沉积掩膜旋涂溅射金属1HF/BOE/AI腐蚀液、酸法刻蚀干法刻蚀干法刻蚀湿法去胶湿法去胶乙醇、纯水清洗烘干(接下页封装测试工艺)(接上页)(接上页)点胶点胶金线回流焊图例G——代表废气G1-10锡及其化合物S——代表固废有机废气W——代表废水S1-4废芯片△——电加热有机废气 注：所有湿法工艺后均有N₂吹干。现有项目使用的MEMS工艺类似于集成电路芯片中的CMOS工艺，主要种类有四类，即：1)薄膜的生长，如金属薄膜(Ti等),介质薄膜(SiO₂,SiNx)和有机薄膜(Ployimide);2)光刻，包括光刻胶的涂布、曝光以及显影；3)薄膜最后一道循环工艺与前道多次循环工艺的区别在于：①多次循环工艺中剥离工序使用NMP去除Pt、Au等金属层，最后一道循环不需要去除金属层，使用丙酮、类EKC清洗液或干法去除光刻胶；②研磨属于循环工艺中需先对晶圆芯片进行预清洗，清洗方式是将芯片在操作台内依次放入丙酮、乙醇、热)。该工序产生有机废气和废有机溶剂。纯水由纯水制备设备提供。沉积掩膜：化学气相沉积(CVD)是通过气态物质的化学反应在硅晶圆片表面淀积一层固态薄膜材料的工艺。化学气相沉积是以适当的流速将含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸汽引入反应室，在衬底表面发生化学反应并在衬底表面淀积薄膜的过程。本项目化学气相沉积相关工序简介见下表。本项目MEMS工艺采用CVD工艺的制程主要有二氧化硅(SiO₂)层、氮化硅(Si₃N₄)层。二氧化硅(SiO₂)沉积：采用CVD工艺，在硅基板上沉积反应生成二氧化硅(SiO₂)薄膜，通入的物料包括SiH₄、N₂O。典型化学反应式为：SiH₄+2N₂O→SiO₂+2N₂个+2H₂个氮化硅(Si₃N₄)沉积：采用CVD工艺，在硅基板上沉积反应生成氮化硅(Si₃N₄)薄膜。通入的物料包括SiH₄、NH₃。主要化学反应式为：该工序产生的废气主要为未参与反应的N₂O(以氮氧化物计)、NH₃。由于氮化硅(Si₃N₄)沉积较少使用，该工序使用SiH₄、NH₃作为沉积剂。旋涂：将一定量的有机材料如PI胶滴在晶圆表面，然后晶圆以一定的转速高速旋转，通过烘烤后，形成一定厚度的有机薄膜。旋涂过程中主要设备为匀胶机，旋涂法包括：配料，高速旋转，挥发成膜三个步骤，通过控制匀胶的时间，转速，滴液量以及所用溶液的浓度、粘度来控制成膜的厚度。该工序PI胶中未聚合的单体有机物产生有机废气。光刻：光刻包括涂胶、烘焙、曝光、显影等。涂胶是在基片表面通过高速转均匀涂上光刻胶的过程；烘焙是涂胶后烘干，以使光刻胶附着在晶圆片表面，形成固态薄膜，光刻胶是在90℃温度下烘干，光刻胶中的有机溶剂部分挥发成有机废气；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的基片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。基片基片涂胶后基片涂胶后基片曝光后基片曝光后基片显影后基片该工序光刻胶中的可挥发成分全部挥发，产生有机废气。曝光过程使用的F₂KrNe为含0.95%氟和1.25%氪的氖气，用量仅1kg/a溅射金属1:又称物理气相沉积(PVD),该过程为物理变化生长系统中，在一定的真空下，且通入Ar气体的条件下，在高压电场的作用下，真空腔室内的氩气经过辉光放电后产生高密度的Ar离子，并在电场的作用下加最后轰击靶材(如Ti靶),把靶材的原子溅射出来，溅射出来的金属原子最后沉积在晶圆上，形成需要的薄膜。金属99%以上都会淀积到晶圆表面形成金属薄根据产品需要，分别选用Ti靶材、Al靶材、Pt靶材、Au靶材进行真空金属溅该工序产生废靶材。集成电路工艺中应用的刻蚀技术主要包括液态的湿法刻蚀和气态的干法刻蚀两大类。湿法刻蚀和干法刻蚀示意图见下图。固体固体Gases能量(电浆)(Ion,RadicaD(Ion,RadicaD离子，原子气体(挥发性化合物)角度蚀刻湿法刻蚀：通过特定的溶液与需要刻蚀的薄膜材料发生化学反应除覆盖区域的薄膜，称为湿法刻蚀。本项目MEMS芯片湿法刻蚀根据溶液不同又分为酸法刻蚀和碱法刻蚀。酸法刻蚀：根据薄膜材料使用不同的酸腐蚀液，二氧化硅(SiO₂)层采用氢氟酸或BOE(氟化氢、氟化铵)来完成，BOE具有更稳定的刻蚀速率，氢氟酸、BOE分别在不同清洗槽使用。其反应方程式如下：溅射金属过程多余的铝采用Al腐蚀液(H₃PO4:HNO₃:CH₃COOH:H₂O=16:1:1:2(体积比)混合溶液)去除，该工序在35-60℃下进行，硝酸、磷酸参与反应，醋酸可以使硝酸的氧化过程变慢，以控制反应速度。其反应方程式如下：该工序氢氟酸、磷酸等使用过程产生酸雾废气，Al腐蚀过程产生二氧化氮，使用后的刻蚀液作为刻蚀废液处置。碱法刻蚀：在碱法腐蚀槽(80℃)内用一定浓度(25%)的氢氧化钾溶液在一定温度下腐蚀晶圆片中的硅材料，化学反应方程式为：Si+H₂O+2KOH=K₂SiO₃+KI腐蚀槽反应过程为：2Au+I₂→2Aul;Aul+KI→KAul₂使用后的刻蚀液作为废碱液处置。以上湿法刻蚀后需要用纯水进行清洗，产生的废水根据水质的不同采用不同的处理方式，具体清洗过程及废水去向见下表。HF槽→纯水清洗→N₂吹干→纯水清洗BOE槽→纯水清洗→N₂吹干→纯水清洗Al腐蚀槽→纯水清洗→N₂吹干→纯水清洗Al腐蚀槽→纯水清洗→N₂吹干→纯水清洗KI槽→纯水清洗→N₂吹干→纯水清洗置干法刻蚀：干法刻蚀是指利用等离子体激活的化学反应或者利用高能离子束轰击完成去除物质的方法。由于在刻蚀中不使用液体，故称为干法刻蚀。是在等离子气氛中选择性腐蚀基材的过程，刻蚀气氛通常含有F等离子体或碳等离子体，因此刻蚀气体通常使用CF₄这一类的气体。具体工艺原理是：在低压状态下，反应气体CF₄等母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体(成),反应腔体中的气体在电子的撞击下，除转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下达到SiO₂表面，在那里与被蚀刻材料表面发生物理化学反应，并形成挥发性的反应生成物脱离被蚀刻物多晶硅(Si)干法采用HBr、SF₆、Cl₂、CF₄的混合气体产生等离硅层发生反应，从而将多晶硅刻蚀掉。主要方程式如二氧化硅(SiO₂)干采用CFf、CHFSCC:Fcs、CHFC、Cfi、GFoSCo₂、H₂的混合气体产生等以CF₄为例主要化学反应式为：氮化硅(Si₃N₄)干法采用CFCFCFsCHC、CHFs、CHbF₂、SF6、He、O₂的混合气体产生等离子体与待刻蚀氮化硅层发生反应。主要化学反应式为：化铝将阻碍刻蚀的正常进行，故金属铝刻蚀分为两步：(1)去除自然氧化层：向腔体中通入BCl₃,BCl₃可将自然氧化层还原，应腔中的O₂和H₂O,从而降低氧化铝的生成速度。其反应方程如下：发生反应，从而达到对金属铝进行刻蚀的目的。该工序采用了C₂F₆、HBr、CF₄、SF₆、CHF₃、O₂、CO₂和BCl₃等一些特殊掺杂气体，并且蚀刻装置采用全封闭操作，产生的各类废气经排风管道统一收集。为湿法去胶和干法去胶。本项目去胶工段采用湿法/干法去胶搭配的方式进湿法去胶：是用有机溶剂清除晶圆片上多余的光刻胶及粒物和有机物。该方法在有机湿台中实现，将晶圆置于有别经过类EKC清洗液(光刻胶去除剂)(清洗槽温度约55℃)、ACE(丙酮)(清洗槽温度约为42℃)、IPA(异丙醇)(常温)、以及DIW(去离子水)(常温),最后经过在甩干机中完成干燥。该工序产生有机废气和废有机溶干法去胶：则是用等离子体将光刻胶剥除。如光刻胶通化学反应，生成气态的CO、CO₂和H₂O。械和化学的共同作用，去除多余的薄膜，实现晶片表面的全局平坦化。化学机械研磨过程主要由研磨机、研磨垫、研磨液组成。一个标准的化学机械研磨机如下图所示：晶圆片研磨机由研磨头、研磨垫以及和各种控制检测系统组成。CMP工艺的是将待研磨的晶片背面通过亲水张力或者真空吸附固定在一个以角速度w研磨头上，在一定的下压力及研磨液的存在下，它的表面被压在一个粘有垫以角速度op旋转的平台上做相对运动。研磨液通过多孔性抛光垫传到晶的化学成分与硅晶片产生化学作用，将不溶物质转化成易溶物质(化学反应然后通过磨粒的机械摩擦将这些易溶物质从晶片表面去除，研磨液被带走程),这使被研磨表面重新裸露，化学与机械作用相互配合，使反应继续c旋转的弹性研磨片上，它过程),(机械过下去，只有在化学作用与机械作用达到一个很精细的平衡时，才能实现表面低损伤高平整。CMP研磨结束后，采用纯水超声波清洗干净。研磨液成分包括二氧化硅、有机碱、水。该工序产生研磨废液，后续清洗产生清洗废液。装前，需进行划片，采用的金刚石刀片切割，形成磁传感精度划片，该过程中有微量硅粉产生，同时切割过程中刀口温度较高对切口产生一定影响，为有效的保护工件切口，同时消除迹道，需使用纯水进行冷却，用纯水直接冲洗，因此，在划片过程有废水产生。封装测试：首先经划片后的基片需进行性能中测，合格的基片方能中测的不合格率约为1%。另外购材料(不锈钢材料、Kova材料、钛合金材料以及陶瓷片)先经超声波清洗(清洗液为甲醇、丙酮、乙醇)后，再与合格的基片通过环氧胶、硅胶，激光焊等封装成成品。环氧胶为双酚A环胶为硅一氧(Si-O)键为主链的聚合物。产生的废气包括(2)化合物半导体芯片研发工艺流程40丙酮、异丙醇、纯水2、4寸晶圆片表面清洗表面清洗沉积掩膜沉积掩膜氨水(少量)湿法去胶湿法去胶干法刻蚀干法刻蚀湿法清洗湿法清洗(续上页)Ti靶材、Pt靶材、Au靶丙酮、NMP、类EKCC清洗液纯水研磨液纯水G2-10有机废气有机溶剂L2-16清洗废液L2-17研磨废液L2-18清洗废液划片(委外)甲醇、丙酮、乙醇清洗烘干G2-11有机废气L2-14废丙酮、废乙醇、废有机溶剂测试S2-4废芯片硅胶、金锡焊料金线乙醇、丙酮、甲酸、环氧树脂胶水、G2-12有机废气L2-19废丙酮、废乙醇、废有机溶剂注：所有湿法工艺后均有N2吹干。测试→S2-5废芯片图例G——代表废气S——代表固废W——代表废水L——代表废液图2-8化合物半导体芯片研发工艺流程图工艺说明：光刻、干法刻蚀、研磨、清洗、划片等工序与MEMS芯片相同，此处不再赘述。外延材料生长：基片(2英寸，GaSbGe、GaAs、InP、GaSb、InSb)采用MBE设TeGa源)在超高真空中的热蒸发效应(电加热)产生原子束打到基片上实现原材料分子级堆叠，从而得到光电材料的外延片。MBE设备每20天需用沾有双氧水的无尘纸擦拭清洗内腔一次。擦拭废物由于产生量极少且双氧水极易分解为水和氧气，故擦拭废物按一般固废处置。设备冷却介质采用液氮。表面清洗：由于半导体生产污染要求非常严格，为防止外购的晶圆芯片受到污染，需先对晶圆芯片进行预清洗，清洗方式是将芯片在操作台内依次放入不同的清洗槽中进行浸泡清洗(丙酮、乙醇、异丙醇、纯水，浸泡3-5min),浸泡后经烘箱烘干(电加热)。该工序产生有机废气，废有机溶剂经收集后委托有资质的单位处置。纯水由纯水制备设备提供。沉积掩膜：化合物芯片同MEMS芯片，工艺采用CVD工艺的制程主要有二氧化硅(SiO₂)层、氮化硅(Si₃N₄)层。化学反应式为：光刻：光刻包括涂胶、烘焙、曝光、显影等。工艺原理同MEMS芯片，此处不再赘述。湿法刻蚀：通过特定的溶液与需要刻蚀的薄膜材料发生化学反应除去光刻胶未覆盖区域的薄膜，称为湿法刻蚀。本项目化合物半导体芯片湿法刻蚀根据溶液不同又分为酸法刻蚀和碱法刻蚀。酸法刻蚀：SiO₂的湿法刻蚀采用氢氟酸或BOE(氟化氢、氟化铵)来完成，BOE具有更稳定的刻蚀速率，氢氟酸、BOE不同时使用。其反应方程式如下：碱法腐蚀：在碱法腐蚀槽(80℃)内用一定浓度(25%)的氢氧化钾溶液在一定温度下腐蚀晶圆片中的硅材料，化学反应方程式为：氨水一般搭配双氧水配成腐蚀液，化学反应方程式为：Si+2H₂O₂=SiO₂+2H₂O,SiO₂+2NH₄该工序产生的刻蚀废液、废碱液及后续清洗产生的清洗废液均经收集后委托有击完成去除物质的方法。由于在刻蚀中不使用液体，故称为干法刻蚀。工艺原理同MEMS芯片，此处不再赘述。有资质的单位处置。湿法去胶：是用有机溶剂清除晶圆片上多余的光刻胶及附着粒物和有机物。该方法在有机湿台中实现，将晶圆置于有别经过类EKC清洗液(光刻胶去除剂)(清洗槽温度约55℃)、ACE(丙酮)(清洗槽温度约为42℃)、IPA(异丙醇)(常温)、以及DIW(去离子水)(常温),最后经过在甩干机中完成干燥。划片(委外):化合物半导体芯片的研发该工艺委外进行，染物。的不合格率约为1%。另外购材料(不锈钢材料、Kova材料、钛合金材料以及陶瓷片)先经超声波清洗(清洗液为甲醇、丙酮、乙醇)后，再与合格的基片通过点胶、真空封装：采用激光将不锈钢外购件和KOVA外购件焊接，激光束能互联回流：先将外购带有铟电极的硅片经甲酸气体进行电极还原，同时依次放入不同的清洗槽中进行浸泡清洗(乙醇、丙酮，浸泡3-5min)。最后两者通过环氧胶用倒装互联机将两器件压合。浸泡废液经收集后委托有资质的单位处置。光窗光窗芯片陶瓷衬底金属外壳(2)现有项目水平衡图损耗450生活用水2550化粪池2550接管太湖新城污水处理厂损耗13260酸職中酸職中和循化量15600000中水回用设施新鲜用水纯水纯水制纯废水制纯废水一般清洗水763一般清洗划片废水物化处理划片清洗物化处理划片清洗648含氟清洗废水162刻蚀后清洗(HF槽含氟清洗废水162刻蚀后清洗(HF槽)刻蚀后清洗(KOH槽)刻蚀后清洗(其他)预清洗72光刻后清洗80去胶后清洗6336研磨后清洗72损耗204喷淋塔用水36循化量12000碱性清洗废5508清洗废液收集桶14804委托有资质收集桶14804委托有资质单位处置绿化用水1413挥发或进入土壤与项目有关的原有环境污染问题(3)现有项目污染物产生及排放情况根据现有项目“三同时”验收报告、环评报告，现有项况如下：根据“新一代高端半导体芯片研发项目(一期)”的环评及三同情况如下：污染物名1洗有组织二级活性炭吸附二级活性炭吸附不变间歇气筒2非甲烷总烃3有组织不变间歇气筒4氟化物(以56氟化物(以F计)、氯气、HBr有组织经SDK物理/化学吸附干式尾气处理装置后再进二级碱液喷淋洗涤学吸附干式尾气处理装置后再进不变间歇环评及三同时验收废气排气情况见表2-12。“三同时”竣工验收情况氟化物(以F计)0000氯化氢00氯气0000无组织/////氯化氢///////////////门窗05/////门窗06/////根据上表，现有项目有组织排放的硫酸雾、氯化氢、氟化物、氯气、异丙醇、非甲烷总烃均达到江苏省地方标准标准》(DB32/3747-2020)表3中的大气污染物排放限值；HBr达到上海市《大气污染物综合排放标准》(DB31/933-2015)表1中的大气污染物无组织排放的硫酸雾、氯化氢、非甲烷总烃厂界浓污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表3中的大气污染物排放限值，异丙醇达到北京市《大气污染物综合排放标准》(DB11501-201(DB32/4041-2021)表2中厂区内VOCs无组织排放限现有项目划片废水、含氟清洗废水、一般清洗废水、碱性清洗废水、冷却废水和制纯废水经厂区内废水处理站处理(调节+化学混凝沉淀粪池预处理后的生活污水经DW001号污水接管口接管太湖新城污水处理厂。根据“三同时”验收报告，现有项目废水污染物排放采样点采样时间日均值或范围日均值或范围根据上表，DW001污水总排放口中各项污染物日均浓度省《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表1中的间接排放限值。根据“三同时”验收报告，现有项目噪声排放情况见下表。昼间昼间综上，厂界噪声均达到《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)现有项目固废产生及排放情况见下表。表2-15现有项目固废情况一览表量(t/a)量(t/a)固废液态委托江苏永吉公司处置(酸法)液态(碱法)、液态回流液态液态用固态1光刻液态固废处置有限公司处置液态研磨液态废活性炭固态废矿物油设备维护液态旋涂液态委托江阴市锦置光刻液态固态固态49废芯片固态污泥半固态一般固态/回收利用设备维护固态/办公办公生活固体/现有项目固体废弃物专用的堆放场所设置在室内，地面防渗、防漏，现有项目固体废物均得到妥善处置。5)现有项目污染物排放总量类别环评核定排放量(t/a)实际排放量(t/a)废气有组织氟化物(以F计)00氯化氢0氯气00异丙醇非甲烷总烃总氮总磷氟化物(以F计)0无根据《无锡英菲感知技术有限公司新一代高端半导体芯片研发项目(一期)一般变动环境影响分析报告》,企业为进一步规范厂内废水排放后接管至太湖新城污水处理厂的生产废水，改为经中水回用系统处理后，回用45%,55%浓水继续接管至太湖新城污水处理厂进行集中处理。同时新增中水回用系统后，将产生废RO膜、废填料等危废。中水回用采用的砂滤、碳滤、超滤、RO的方案，经该套系统处理后，污染物50排放情况见下表：氟化物(mg/L)pH(无量纲)出水去除率(%)/回用水的水质标准参照执行《城市污水再生利用城市杂用水水质》(GB/T18920-2020)表1城市杂用水水质基本控制项目及限控制项目12化学需氧量(CODc)(mg/L)-3悬浮物(SS)(mg/L)-4氨氮(mg/L)55总氮(mg/L)-“以新带老”削减量生活污水0000总磷0总氮0生产废水氟化物(按F计)0总磷0总氮0氟化物(按F计)损耗450接管太湖新城污水处理厂酸碱中和冷却塔用水2340循化量15600000酸碱中和制纯废水1056中水回763一般清洗水763纯水3166.8物化处理物化处理划片清洗648刻蚀后清洗(HF刻蚀后清洗(HF槽)碱性清洗废刻蚀后清洗(KOH槽)水113.4刻蚀后清洗(其他)5508清洗废液预清洗光刻后清洗去胶后清洗研磨后清洗损耗204喷淋塔用水36循化量12000绿化用水1413委托有资质单位处置委托有资质单位处置单位处置挥发或进入土壤区域现状根据《2023年度无锡市环境状况公报》,与2022年相比，O3浓度下降6.7%,PM₂.5、SO₂浓度同比持平，PM₁o、NO₂、CO浓度同比上升2%、23.1%、9.1%。2023年度无锡市全市环境空气质量情况见表3-1。无锡84(GB3095-2012)二级标准进行年度评价，各市(县)、区臭氧浓度未达标，其余指标均已达标。综上，项目所在地属于不达标根据《中华人民共和国大气污染防治法》的要求期达标规划，明确限期达标，制定有效的大气污染防治措施。无锡市根据《无锡市大气环境质量限期达标规划(2018-2规划的规划范围为：整个无锡市全市范围(4650平方公里)。无锡市区面积1643.88平方公里，另有太湖水域397.8平方公里。下辖共5个区2个市(梁溪区、滨湖区、惠山区、锡山区、新吴区、江阴市、宜达标期限：无锡市环境空气质量在2025年实现全面达本项目废水接入太湖新城污水处理厂，尾水排入京杭运河。根据无锡环境监测技术有限公司于2022年1月4日~1月6日对太湖新城污水处理厂上、下游500m处地表水监测(报告编号：HJJC220061),京杭运河太湖新城污水处理厂排口上、下游500m监测断面COD、氨氮、总磷等监测值能满足《地表水环境质量标准》(GB3838-2002)IV类标准要求，检测及评价结果详见下表3-2。采样地点00000000由表3-2可见，各监测断面各监测因子均满足《地表水环境质量标准》(GB3838-2002)IV类水质标准。根据《无锡市区声环境功能区划分调整方案》(锡政办发[2018]157号文件),项目所在地区域声环境功能为2类区，执行《声环境质量标准》(GB3096-2008)中的2类标准。根据《2023年度无锡市生态环境状况公报》,2023年度无锡市区环境噪声值昼间≤57.1dB(A),达到《声环境质量标准》(GB3096-2008)表1中的2类标准要求，区域声环境质量状况良好。本项目利用现有场地，不涉及液体物料泄漏，正常工况下不存在地下水环境污染途径，本报告不开展地下水环境现状监测。土壤环境污染途径包括大气沉降、地面漫流、垂体物料泄漏，正常情况下不存在地面漫流的情况和垂直入渗的污染途径。故本项目对周围土壤环境产生的污染较小。因此本报告不开展土壤环境现状监测调查工作。保护目标本项目周围500米范围内无大气环境保护目标。全厂生活污水和污水处理站尾水均接管太湖新城污水排入江南运河。地表水环境保护目标见下表。/坐标/°0高差0相对排放口水力联系江南运河IV类标准纳污水体本项目厂界外500米范围内无地下水集中式应用泉等特殊地下水资源。污染准中的二级标准，详见表3-4。(GB3095-2012)表1中的二级标准-4160(8小时平均) 折算为1h平均浓度限值。水(环境)功能区划(2021-2030)的批复》,京杭运河水环境功能区为《地表水环境质量标准》(GB3838-2002)中的IV类水体，详见下表3-5。水域名京杭运河IV类水体无量纲根据《市政府办公室关于印发无锡市区声环境知》(锡政办发[2018]157号)的规定，项目所在地位于2类声环境行《声环境质量标准》(GB3096-2008)2类区标准，具体至见表3-6。类别昼间夜间2类区环境噪声标准本项目油烟废气执行《饮食业油烟排放标准(试行)》(GB18483-2001)规模为“大型”标准。表3-7饮食业油烟排放标准(摘录)规模小型中型大型对应灶头总功率(108J/h)≥1.67最高允许排放浓度(mg/m³)净化设施最低去除率(%)60光电子器件，废水排放标准应执行《电子工(GB39731-2020)表1标准，现有项目废水排放标准执行江苏省地方标准《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表1中的间接排放限值，因本项目依托原有废水排放口，相关废水标准从严执行，因此全厂废水排放标准执行江苏省地方标准《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表1中污水处理厂尾水排放执行《太湖地区城镇污水处理厂及重点工业行业主要水污染物排放限值》(DB32/1072-2018)表1中理厂污染物排放标准》(GB18918-2002)表1一级A标准。具体见表3-8。表3-8污水排放标准限值表单位：mg/L(pH为无量纲)类别(DB32/3747-2020)表1中的间接排总氮总磷3氟化物(以F计)《污水综合排放标准》(GB8978-1996)表4三级标准动植物油业行业主要水污染物排放限值》(DB32/1072-2018)表1中标准厂界噪声执行《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)中的2类标准，详见表3-9。厂界名级别(GB18599-2020);危险废物执行《危险废物贮存污染控制标准》总量控制本项目建设地所在区域属于"两控区"和太湖流污染防治条例》中规定的一级保护区。总量控制指标见表3-10。原项目本项目“以新带废气织000000000000000000000000织000氯化氢000000000总水量0总氮0总磷0动植物油000原项目本项目“以新带00委托资质000000000000000000废活性炭000000废矿物油00废芯片0010011污泥00000000回收00不合格品000食堂泔脚00四、主要环境影响和保护措施施工期环境保护措施本项目主要在无锡市新吴区华秀路66号上建设芯片厂房、物。施工期为2024年6月-2025年9月，各项施工活动不可避免的会对周围环境产生影主要包括废气、废水、噪声、固体废物等，而且以废气和施工噪声尤为明显。尘；推土机、搅拌机等作业处扬尘；临时物料堆场的风蚀扬尘；施工现场“三材”运输、上述各起尘环节多属于无组织排放，在时间和空间上均为污染程度，只能简单估算施工场地起尘量：根据有关资料推荐，施工期粉尘排放系数按3计，则施工中每月粉尘产生量为：7530.33×10⁴×3=2.259吨/月项目施工期按15个月计，则施工粉尘产生量为2.259吨/月×15月=33.885吨，这些粉尘基本上是土及砂土，其粒径较大，扬尘高度不高，一般都掉落在施工现场施工期对大气造成污染的主要是粉尘，控制施工期粉尘的主要措施如A.洒水抑尘装运土方时控制车内土方低于车厢挡板，减少途中撒落，对施泥等物料应及时清扫，砂石堆、施工道路应定时洒水抑尘。表4验结果。经试验表明：每天洒水4-5次，可使扬尘量减少70%左右，染距离可缩小到20-50m范围，因此本工程可通过该方式来减缓施工扬尘。距离(m)5不洒水洒水施工现场设置围栏或围墙，封闭施工，缩小施工现场扬尘和尾气扩散范围。露天堆放，即使必须露天堆放，也要注意加盖防雨布，减此外，根据《关于落实施工项目颗粒物和挥发性有机物(VO大气办[2021]7号),需执行以下要求：(一)加强源头管控：工程项目选用涂料的VOCs含量应符合现行国家标准《民用建筑工程室内环境污染控制规范》(用墙面涂料中有害物质限量》(GB18582-2020)。工程项目选合现行国家标准《室内装饰装修材料胶粘剂中有害物质限量》》(GB18583)、《建粘剂有害物质限量》(GB30982)等有关强制性标准要求。(二)设单位应在采购和质量巡查环节严格把控，发现采用不符合现行有关标准和设计要求的涂按要求进行抽检，做好台账记录；加强后续自查、巡查，发现不符合要求的涂料、胶粘剂应立即退场、不得使用；把是否使用合格的涂料、胶粘剂纳入到相制度中，对使用不合格材料的工序不予验收通过。(三)严格监督管理：1、施工现场严禁露天喷漆，有条件的焊接作业必须采取大气污染物收集处理措施料管理。涂料、胶粘剂、水性处理剂、稀释剂和溶剂等必须密闭保存；使用后的余料应及时封闭存放，废料及时清出；用完的废弃容器及时回收处理，不得露天堆放。3、建筑工程室内严禁使用有机溶剂清洗施工用具。4、各项目工地建立各类柴油机械(含机动车)进出场台账资料，加强使用过程中排放检查，杜绝冒黑烟等超标排放的违法行根据《省生态环境厅关于印发江苏省重点行业堆场扬尘污染防治指导意见(试行)的通知》(苏环办[2021]80号)文件相关要求，强化堆场扬尘污染控制。施工期间主要水污染物是建筑材料、设备的冲洗废水和施工队伍产生的生活污水冲洗废水中主要污染物为COD、SS,生活污水中主要污染物为pH、COD、SS、氨氮、总氮、总磷。冲洗废水排放的质和量是随机的，很难估算，应加强施工期管理，并建造沉淀池等污水临时处理设施，经处理后回用于施工用水。施工期民工集中，生活污水应妥善处置要求专门设工地厕所。施工生活污水主要含有COD、SS、氨氮、总氮、总磷等。施工生活污水经化粪池处理后达标接入污水官网，施工人员生活污水量可根据类比调查结果计算如下：施工人员生活污水排放量一般为人均20L/d,按施工工地人口最高峰100人计，生活污水中COD、SS、氨氮、总氮、总磷排放浓度分别为450mg/L、360mg/L、35mg/L、45mg/L、5mg/L,施工期为15个月(450天),施工期生活污水产生量约项目施工期的主要噪声源是施工机械设备操作运行中发散的噪声和建筑运输车辆噪62声，施工期施工机械噪声源强详见下表。结构电锯影响分析及对策措施：达到《建筑施工场界环境噪声排放标准》(GB12523-2011)(昼间/夜间≤70/55dB(A))要求。为减轻施工噪声对周围环境的影响，建议建筑单位用如下措施控制施工噪声：①制定科学的施工计划，合理安排；②工程在施工时，将主要噪声源布置在远离敏感点的地方，尽量采工单位应按照现行国家标准制定降噪措施，控制施工噪声，减少施工噪音对周边居民的影响，并对现场的噪声值进行监测和记录；③加强管理，施工及来往运输车辆禁止鸣笛；④加强对施工人员的监督和管理，促进其环保意识的增强，减少不必要如对施工用框架模板要轻拿轻放，不得随意乱甩，夜间禁止喧哗等。施工及来往运输车辆禁止鸣笛；⑤合理安排施工时间，夜间22:00~次日6:00时段内禁止施工；如总之，施工期噪声影响是短暂的、局部的，施工期结束，施工噪声也就随之结施工期的固体废物主要是工程施工中产生的施工垃圾及少量的施工人员生活垃圾，如废弃的碎砖、混凝土块、沙子及各种包装材料项目施工占地约7530.33平方米，有效施工面积按照100%计，施工垃圾按1.3吨/100平方米计，则产生的施工垃圾共约97.894吨。63最高峰100人计，生活垃圾产生量为50kg/d,施工期生运营期环境影响和保护措施根据《污染源源强核算技术指南准则》(HJ884-2018采用实测法、物料衡算法、产污系数法、排污系数法、类比①食堂废气油烟产生量为0.226t/a。本项目设置油烟净化装置，净化效率不低于85%,设计风量为20000m³/h,运行时间为1200h/a,则本项目油烟有组织排放量为0.0339t/a,排放浓度 (GB18483-2001)排放标准(2.0mg/m³)要求。②组装废气本项目组装过程中使用密封胶，根据建设单位提供的VOCs检测报告(SHAEC2211052902),VOC含量为6g/kg,密封胶使用量为100kg/a,则产生有机废气0.6kg/a,产生量极小，对环境影响本项目废水污染源主要有生活污水、食堂污水、冷却废水和空调废水，接管至太湖新城污水处理厂集中处理。类别污染物种处理能力生活用水生活污水-是总氮总磷4-隔油池-是总氮总磷4动植物油冷却废水生产废水-直接接管是空调废水生产废水一-直接接管是废水类别本项目综合废水放口放√处理厂非连续稳定排规律放口一般排口SS250总氮35总磷3动植物油总氮总磷物油由上表可知：本项目接管水质中的COD、SS、氨氮、总氮、省地方标准《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表1中的间接排放限值要求，动植物油可达到《污水综合排放标准》(GB8978-1996)表4三级标废水类别全厂接管废水放口处理厂非连续稳定排放口排口SS250氨氮20总氮35总磷3动植物油氟化物(以F总氮总磷物油F计)太湖新城污水处理厂位于无锡市太湖新城吴越路与菱湖河西侧。总设计总规模15万吨/日，一期工程5万吨/日采用A²/0工艺，于2004年8月1日开工，2005年8月竣工投入运行，并于2008期工程10万吨/日采用与一期改造后相同的污水处理工艺—改良型A²/0工艺，也太湖新城污水处理厂服务范围东到大运河、西至大浮山河及五里湖为界，总服务面积116.02平方公里，主要收纳该根据《无锡市太湖新城污水处理厂(5万t/d)升级改造工程项目环境影响报告表》审批意见(锡环表复[2007]109号),太湖新城污水处理行(GB18918-2002)一级A标准。太湖新城污水处理厂升级改造后的工艺流程见图4-1污水粗格栅污水稿曝气沉砂池曝气沉砂池污泥脱水机房初沉池污泥鼓风机房污泥鼓风机房污泥浓缩池厌氧池厌氧池缺氧池放放排A流淀池砂渣外运加药间→江南运河斜板淀池机械混合池紫外毒酒好池厌氧池缺氧池初沉池曝气沉砂粗格栅水污混混施污泥脱流施污泥浓缩图例：污水管线-污泥管线空气管线…砂渣走向2012年11月2012年12月2013年01月1化学需氧量(COD)2氨氮(以N计)*注：括号外数值为水温≥12℃时的控制指标，括号内为水温①处理规模的可行性分析太湖新城污水处理厂经过二期扩建工程建设后，其设