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文档简介
计算机组成原理
computerorganizationprinciple
通纪应用型人才培养系列救材
计算机组成原理
ComputerOrganizationPrinciple
原浩赵宝华主熔
*篇等教育出期社顾浩赵宝华
为?施彳步履*・上海分I社
第4章存储系统
本章要点
•与早期的以运算器为中心的计算机不同,现代计算机已
形成了以存储器为中心的系统结构。存储器和存储系统
已成为影响整个计算机系统最大吞吐量的决定性因素。
■本章讲解的思路是先讲存储系统,再讲组成存储系统的
存储器。
•重点讨论存储系统的层次结构、存储器的基本组成和工
作原理。
•存储系统和存储器是两个不同的概念,存储系统通常是
由几个容量、速度和价格各不相同的存储器,按一定的
体系结构组织起来而构成的系统。现代计算机都采用多
层次的存储器而构成一个分级的存储系统。
54竽数9步及就•上海先社
目录
4.1分级存储体系
4.2主存储器
4.3辅助存储器
4竽教才方发左・上海分3社
存储器为中心的计算机结构
传统计算机的五大部件:
1.输入设备
2.输出设备
.存储器
计算步骤3
和原始数.运算器:又叫
据4ALU
.控制器
图1.5存储器为中心的计算机结构框图5
主机现代计算机的三大部件:
CPU
I/O
MMALU1.CPU(运算器+控制器)
主算术逻辑部件
存设2.1/0设备
储
器CU备3.主存储器MM
控制单元
4竽教才方发左・上海分社
图1-6现代计算机的组成框图
4.1分级存储体系
4.1.1对存储系统的性能要求
1.存储容量
•存储器是用来存放程序和数据的重要部件,犹如一个
庞大的“数据仑库”。存储容量是计算机存储信息的
能力。被定义为存储器中可容纳的存储单元的总数。
•存储容量的基本单位是字节(8位二进制数码),还可用
KB、MB(兆)、GB(吉)、TB(太)、PB(皮)、EB、ZB、
YB来衡量。
2.存取速度
•存储器的存取速度通常由存取时间Ta、存取周期Tm和
存储器带宽心来参数来描述。
⑴存取时间Ta:又称访问时间或读写时间,指从启动一次
存储器操作到完成该操作所经历的时间。
2012-12-154竽教才方发左・上海羽注
存储容量单位
1kilobytekB=1000(103)byte
1megabyteMB=1000000(106)byte?一,
1gigabyteGB=1000000000(109)byte2,=w
1terabyteTB=1000000000000(1012)byte
1petabytePB=1000000000000000(1015)byte
1exabyteEB=1000000000000000000(1018)byte
1zettabyteZB=1000000000000000000000(1021)byte
1yottabyteYB=1000000000000000000000000(1024)byte
1nonabyteNB=1000000000000000000000000000(1027)byte
1doggabyteDB=1000000000000000000000000000000(1030)
byte
4竽教才方发左・上海分林土
4.1.1对存储系统的性能要求
(2)存取周期Tm:又叫读写周期,是指存储器进行一次完整
的读写操作所需的全部时间,即连续两次访问存储器操
作之间所需的最短时间。一般情况下,
Tm>Tao
(3)存储器带宽Bm:又称数据传输率,是指每秒从存储器进
出信息的最大数量。
为提高存储器的带宽,可采取以下措施:
•缩短存储周期。・增加存储字长。
・增加存储体。
(4)可靠性:是指在规定的时间内,存储器无故障读写的概率。
通常用平均无故障时间(MeanTimeBetweenFailures,
MTBF)来衡量。
2012-12-154竽教才方发左・上海分社
4.1.1对存储系统的性能要求
(4)功耗:是一个不可忽视的问题,是衡量环保性
“绿色计算机”的一个重要指标。它反映了
存储器件耗电多少,也反映了其发热的程度。
⑸性能价格比:是衡量存储器经济性能好坏的综
合性指标。这项指标与存储器的结构和外围
电路以及用途、要求、使用场合等诸多因素
有关。
每个字节的成本c=C/S(元/字节)
4竽教才方发左・上海分s社
4.1.2存储系统的分层结构
1.计算机应用对存储器要求的矛盾
•随着计算机硬软件系统的不断发展,计算机应用领域日益扩大,对
存储器的要求也越来越高。既要求存储容量大、存取速度快,又
希望成本价格低。这些要求自身矛盾,相互制约,在同一存储器中
难以同时满足。
•合理地分配存储容量、速度和成本的有效措施是实现分级存储.
这是一种把几种存储技术结合起来、互相补充的折衷方案。
左图是三级存储体系的结构图。该层次结构规律是:
•价格逐次降低;■容量依次增加;
・访问时间逐渐增大;
使用上述三级存储体系,从CPU看,存储速度接近于上
层的高速缓冲存储器(最高),容量及成本却接近最低
层的辅助存储器(最低),这大大提高了计算机系统的性
能价格比。
图4-2三级存储体系结构示意图
4竽教才方发左・上海分g社
2.存储器访问的局部性原理
•程序往往重复使用它刚刚使用过的数据和指令,实脸表明,
一个程序用90%的时间去执行仅占10%的代码。
•分层结构的存储系统的实现是建立在程序访问的局部性
原理上的,原理主要体现在以下三个方面:
⑴时间方面:在一小段时间内,最近被访问过的程序和数据
很可能再次被访问。即当前正在使用的信息很可能是后
面立刻就要使用的信息,程序循环和堆栈等操作中的信息
便是如此。
(2)空间方面:最近被访问过的程序和数据,往往集中在一小
片存储区域中。以顺序执行为主流的程序和数据(如数组)
就是如此。
⑶在指令执行顺序方面:指令顺序执行比转移执行的可能性
要大(大约5:1)。4竽教彳方及欣・上海分社
2.存储器访问的局部性原理
•在图4-2所示的三级存储系统中,各级存储器中存放的
信息必须满足以下两个原则:
(1)一致性原则:即同一个信息会同时存放在几个级别的存
储器中,此时,这一信息在几个级别的存储器中必须保持
相同的值。
⑵包含性原则:指处在内层(靠近CPU)的存储器中的信息一
定包含在各外层的存储器中,即内层存储器中的全部信
息一定是各外层存储器中所存信息中一小部分的副本。
中央处理器CPU存储器访问的局部性原理是存储系统层次结构技术
B可行性的基础。根据这个原理才有可能把计算机频
高速缓冲存储器”、,,,、1_J,,,
.繁访问的信息放在高速存储器中,而把不经常用的
主存储[(内存)I信息放在低速、低价的存储器中。
5|辅助存二器(外语4竽数才步收就・上海分社
图4-2三级存储体系结构示意图’
3.存储层次的性能参数
■为简单起见,我们仅考虑由M]和M2两个存储器构成的两
级存储层次结构,并假设的容量、访问时间和每位价
格分别为S]、丁乂、PI,M2的参数为S2、1人2、P2O
⑴平均每位价格PP=PIA+PA
当S1WS2时,P^P2"+S2
(2)命中率H
•在层次结构的存储系统中,某级存储器的命中率是指
CPU访问存储系统叱在该级存储器中找到所需信息的
概率,即CPU命中的访问次数与总访问次数之比。
•命中率H一般用模拟的方法来确定,即通过模拟执行一
组典型程序,分别记下访问M1和M2的次数N]和N2则:
2012-15—Ni+N2失效率F=1-H4手教彳出履就・上海宪社
3.存储层次的性能参数
(3)平均访问时间TA
•TA是与命中率关系密切的最基本的评价指标
•丁人=小什(1—52=小]+FTA2
•可见,命中率H愈大愈好,H愈接近于1,则TA愈趋近于
TAI,CPU能获得最佳的平均速度。提高H的途径有:
••提高辅助软硬件的性能;
•・扩大Mi的存储容量以尽可能多地装入有用信息,减
少M2的调度次数。
4竽数4步及就・上海分3社
举例
某计算机系统的内存由Cache和主存构成,Cache的存取周
期TAI为45ns,主存的存取周期TA2为2。。、。已知在一段
给定的时间内,CPU共访问内存4500次,其中340次访问
主存,隶:
(1)Cache的命中率是多少?
(2)CPU访问内存的平均访问时间TA是多少?
(3)Cache-主存系统的效率是多少?
解:⑴命中率H=(4500-340)/4500=0.92o
⑵CPU访存平均时间TA=0.92X45+(1-0.92)X200=57.4ns
⑶-主存系统的效率
cachee=TA1/TA=45/57.4=78%
2012-1-154竽数才步收就・上海分社
4.1.3虚拟存储器
1.虚拟存储器的基本概念
如图所示,虚拟存储器建立在主存一辅存物理结构的基础上,是由附
加硬件装置及操作系统存储管理软件组成的存储体系,它将主存
和辅存的地址空间统一编址,形成一个庞大的存储空间。
基本思想:通过某种策略,把辅存中的信息一块块地调入主存,给用
户提供一个比实际主存容量大得多的地址空间。此时,用户感觉
到好像具有一个容量足够大的存储系统。
)4竽数才步及就・上海分法土
2.虚拟存储器的特点
(1)多个进程可共享主存空间
虚拟存储器把主存空间划分为较小的块(页面或段),并以块
为单位分配给各进程。这样,多个进程就可共享一个较小
的主存空间。
⑵程序员不必做存储管理工作
虚拟存储器自动对存储层次进行管理,不必程序员干预。
⑶采用动态再定位,简化了程序的装入
虚拟存储器中采用页式、段式和段页式管理,可使同一程序
很方便地装入主存中的任意一个位置执行。
4竽数4步及就・上海分林土
3.页式虚拟存储器
•在页式虚拟存储器中,把虚存空间和实存空间划分为等
长的块,称为虚页和实页,每页长度是2的整数赛,通常为
512或几KB。
•每个地址由两部分组成:页号和页内地址。信息往内存
调入以页为单位的,所以实地址与虚地址间的页内地址
相同。因此,虚-实地址的转换主要是虚页号向实页号的
转换,这个转换关系由页表给出。
•存储管理软件根据主存的运行情况,自动为每个程序建
立一张页表,存放在主存的特定区。页表的内容按虚页
号顺序排列,页表长度等于该程序的虚页数。每一虚页
的使用情况占用一个存储字,叫页表信息字。该信息字
包含装入位、修改位、替换控制位和实页号等。
54竽数才步收就•上海分社
页表
实(主存)空间
替换
虚页号装入位修改位控制位实页号
12
17
14
15
1>6(b)实页与虚页的对应关系
图4-5页表
(a)程序A的页表
4竽教才方发左・上海分8社
2012-12-15
(2)地址转换机构
•每个程序都有一张页表放在主存,每张页表都有一个页
表起始地址。程序运行时,由页式存储管理系统中的存
储管理软件把该程序的起始地址读到页表基址寄存器。
•因CPU送来的地址是程序虚地址,故必须进行虚-实地址
转换,图4-6中①表示页表索引地址由基址寄存器内容和
虚页号拼接而成,②是根据页表索引地址读出页表信息
字。③是检测页表信息字中装入位的状态,④是拼接一
个完整的实地址,CPU以此实地址访问主存。
页表基址寄存器程序虚地址来自CPU
页表起始地址虚页号页内地址
页表率引地」①④
主存实地址图4.6虚•实地址转换
址
实页号页内地址
页表区
②
页夫附班
2012-12-1^)[面有效④4竽教中出发小・上海痴士
一,,0"一■无效
举例
例:已知某系统采用页式虚拟存储
页表地址
器方案,某程序中一条指令的虚地装入位实页号
址是:000001111111100000,该程序
007H10001
的页表起始地址是0011,页面大小
是1K,页表中有关单元最后4位是・・.
实页号。300H10011
求:某指令地址(虚地址)变换后
■・■
的主存实地址。
307H->11100
解:页表起始地址是0011,由虚地址
可得虚页号为00000111,因页面大
小是1K,页内地址是10位。得页表
地址为0011000001ll(307H),由此
得主存实地址是11001111100000。
2012-12-154竽教才方发左・上海分社
举例
为?施彳步履*・上海分I社
(3)快表
•问题:页式虚拟存储器至少要访存两次,一是读取页表
项;第二步才能访问数据本身。有时,访问页面失效,访
存的次数就更多.
•解决办法:把页表中最活跃的内容存放在一个小型高速
存储器中,构成一个快表。
■工作原理:快表用于存放近期常用的页表项,其内容是页
表部分内容的一个副本。这样,进行地址变换叱只要直
接查快表,仅当快表不命中叱才需访问主存中的页表。
•页式虚拟存储器的优点:因页面长度固定,页表设置方便,
操作简单,开销小。
•缺点:因页面长度固定,程序不可能正好是页面的整数倍,
最后一页的零头将无法利用而形成碎片。同叱由于页
不是逻辑上独立的实体,致使程序的处理、保护和共享
都造成困难。
2012-12-154竽数才步及就・上海痴士
4.段式虚拟存储器
■特点:是与模块化程序相适应的一种虚拟存储器。段是
按照程序的逻辑结构划分的,段的长度因程序而异。
•段表:驻留在主存中,实际上,段表是程序的逻辑结构段
与其在主存所存放的位置之间的对照表。它的每一行记
录了某段对应的若干信息,含段号、装入位、段起点和
段长等。
•虚-存地址变换:CPU根据虚地址访存叱先将段号与段表的起始地址
相拼接,形成访问段表对应行的地址,再根据段表内装入位判断该
段表基址寄存■几日、田、、十井、田
C段是h否-已T碉入王存。若已1调
段表起始地址段号段内地址
虚地址入主存,则从段表中读出该
段在主存中的起始地址,与段
内地址(偏移量)相加,得到对
段表1地址应的主存实地址。
实地址
左竽数彳步履就・上海痴士
主存地址
段式虚拟存储器的虚-存地址变换
5.段页式虚拟存储器
•段式虚拟存储器的优点:因段的分界与程序的自然分界
相对应,故具有逻辑独立性,易于程序的编译、管理、
修改和保护,也便于多道程序共享。
•缺点:因段的长度不固定,起点和终点不定,给主存空间
分配带来麻烦,容易在段间留下碎片而造成浪费。
•段页式虚拟存储器是段式虚拟存储器和页式虚拟存储
器的结合
•设计思想:先将程序按逻辑结构分段,再把每段划分为
若干大小相等的页。程序和主存和辅存之间调入调出
是以页面为单位进行的,但它又可以段为单位实现程
序共享和保护。因此,它兼顾了段式和页式虚拟存储
器的优点。
•缺点:地址变换时需多次查表备竽数彳步收就•上海分社
4.1.4Cache一主存结构
•Cache一主存体系结构,是在CPU与主存之间再增加一级
或多级能与CPU速度匹配的高速缓冲存储器Cache,来解
决计算机系统速度的瓶颈问题。
1.Cache的特点
⑴Cache由存取速度较高的SRAM组成,其速度与CPU相当。
(2)Cache与虚拟存储器的基本原理相同,也是基于程序访问
的局部性原理。但Cache的控制和管理全部由硬件实现。
(3)Cache的价格昂贵,为保持最佳的性能价格比,Cache的容
量应尽量小。
注:图中L1为
CPU片内高速
缓存,L2为片
外高速缓存。
图的位置
4-9Cache4竽教彳方及欣・上海痴土
Cache的实例
图4-9A高速缓存与畅销商品
超市畅销商品完全借鉴Cache的管理思想,把流动量大的
商品放在超市的入口处,并经常用畅销商品替代相对滞销
的商品,促进商品流动的速度。
4竽教才方发左・上海痴士
ZCache的读写过程
⑴读操作:
当CPU执行读操作叱由地址总线发地址信号,地址信号
经地址变换产生两种情况:命中或未命中。若为命中,说
明信息已在Cache中,CPU通过硬件电路直接访问Cache;
若不命中,说明CPU要访问的信息不在Cache中,那么CPU
就要访问主存,并把要访问的信息调入Cache。在把从主
存读出的信息存入Cache叱若Cache中无空闲的块,则利
图4-10Cache的读操作流程
⑵写操作
写操作比较复杂,因对Cache中保存的是主存中的某些信息
的副本,故有一个Cache与主存内容一致的问题。解决一致
性问题的方法因写操作的过程而异。目前常用:
①写直达法:又叫通过式写(Write-through)或通过式存(Store-
through),能随时保证主存.Cache的数据始终一致。
同时~——I,TL——-----------------
CPUCacheMM
CPUCacheMM
②写回法(Write-back):数据每次只是暂时写入Cache,并用标
志将该块加以注明,等需要将该块从Cache替换出来叱才
写入主存,故此法又叫标志交换法(Flag-Swap),其速度快,
但因主存中的字块未经随时修改,可能引起失效。
③数据只写入主存,同时将Cache中的相应块的有效位置0
使之失效。需要时从主存调入,方可作用。
2012-1"注:据统计,写操作在访存操作的4专板中也履淞・上海杀社
平均概率为16%左右,因此,A法实用‘
3.Cache的基本结构与工作原理
•Cache由以下三大模块组成:
⑴Cache存储体
•Cache存储体以扶为单位与主存交换信息,此时,Cache访
存的优先级最曲。
⑵地址映像变换机构
•功能是把CPU发来的主存地址转换成Cache地址。由于
主寿和Cache的块大小相同,块内地址是相对于块的起始
地兄的偏移量(即低位地址相同)。故地址变摸主要是主
存的块号(高位地址)与Cache块号之间的转换。地址映
像是决定命中率的一个重要因素
⑶替换机构
•当Cache中的可用空间已占满,无法接受来自主存块的信
息叱由Cache内的替换机构属一定的替换算法来确定应
从Cache内移出哪个块返回主存,而把新的主存块调入
替换机构是根据替V标毒板止上海.土
2012-1
常用算法
・随机法:思路是随机地选择被替换的块。优点是算法简
单、易于硬件实现,但因没考虑Cache块使用的“历史”
信息,反映不了程序访问的局部性原理,故失效率较高。
・先进先出法FIFO(First-InFirst-Out):此法选择最早调入的
块作为被替换的块,其优点也是容易实现。它还是不能
正确地反映程序访问的局部性原理。因为最先进入的块
往往是经常要用到的块。
・最近最少使用法LRU(LeastRecentlyUsed):这种方法的原
意是指选择近期最少被访问的块作为被替换的块,但因
实现困难,目前实现使用的LRU都只是选择最久没有访
问过的块作为被替换的块。此法所依据的是局部性原理
的一个推论:如最近刚用过的块很可能是马上要再用到
的块,则最久没用过的块就是最佳的被替换者。
•结论:LRU法和随机法分别因失效率低和实现简单而被广
泛应用。
2012-12-154竽教才方发左・上海分社
4.地址映像
•地址映像(变换)是指把主存地址空间映像到Cache地址空
间,即把存放在主存中的程序按某种规则蕖入Cache中。
地址映像的方法有以下三种:主存地址上tcache地址
⑴全相联映像
•是让主存中任何一块均可映像装入到Cache的任何一块
的位置上。该方式比较灵活,Cache的块冲突率最低,空
间利用率最高,但成本高,实现困难。
⑵直接映像
•是指主存中的每一个块只能被放置到Cache中唯一的一
个指定位置。此法简单、成本低、地址变换速度快、
易实现。但此法不够灵活,Cache中冲突概率最高、空间
利用率最低。
15瑞芋双中步履本,上海公社
(3)组相联映像
(3)组相联映像
•将主存空间按Cache大小等分成区后,再把Cache空间和
主存空间中的每一区都等分成大小相同的组。让主存各
区中某组的任何一块均可直接映像装入到Cache中对应
组中的任何一块位置上,即组间采用直接映像,而组内采
取全相联映像。因此,组相联映像实际上是全相联映像
和直接映像的折衷方案。
•图4-12(c)中,主存分成2区,每区4组,每组2块;Cache分为4
组,每组2块。主存的第9块(位于第1区的第。组)可映像到
第1组的Cache第0块或第1块。同区同组的第8号主存块
也可映像到第。组的Cache第0块或第1块。
•结论:目前,绝大多数计算机都采用直接映像、两路组相
联(即每组有2块)或四路组相联。其中采用得最多的是直
接映像方案。
2012-12-154竽教才方发左・上海痴士
上存,主:存
00
11
CacheCache
b0特点:
1主存中的每
9一个块只能
被放置到
669
77Cache中唯
一的一个指
特点:1414定位置
15
主存中的任一块15
可调入cache的任一
(a)全相联映像(b)直接映像
块位置,两者的地址转主存
换简化为块号的转换
第
0且r
jr
第
1且r
|r
且
第2F
T>第0区特点:
第
且r^
0且
r第
|r3TF
第14r^T组间采用直
jr
第2
到t
|rT9接映像,而组
第
乡
第40TF
3jm^T内采取全相
乡
第1TF
^T>第1区联映像
乡
第2TF
4^T
乡
第
53r
^T
(c)组相联映像
图4-12三种映像规则4竽数中步履就・上海痴士
WINDOWS中的虚拟存储管理
1.设置窗口
•Windows98:控制面板一系统一性能一高级设置
•Windows2000:控制面板一系统―>高级—性能选项—>虚拟内
存一更改
•WindowsXP:控制面板—性能与维护一系统-高级—性能
选项的设置—虚拟内存—更改
2.设置方法
⑴由Windows管理:物理内存够用时,虚拟内存容量可为0,不
够用叱虚拟内存最多可使用硬盘上全部可用空间。
⑵用户自行设置:可指定虚拟内存的最大和最小值。
3.建议:专业人员应选择后者。
4竽教才方发左・上海金社
WINDOWS中的虚拟存储管理
4.设置技巧
⑴自行设置虚拟内在的关键是设置最大值和最小值,有人认
为两者的值设置相同,可避免虚存在所在硬盘分区产生大
量碎片,且设置为物理内存的1.5倍为佳。其实应视实际
情况而定。可运行windows"系统工具”中“系统监视
器”,查看“正在使用的交换文件”的峰值,将它(或稍大)
作为虚存最小值,最大值设置为与最小值相同或稍大即可,
但不要把硬盘所有空间设置为最大值。
⑵若物理内存足够大,可考虑让系统优先使用物理内存,可用
写字板等编辑程序打开system.ini文件,在[386enh]项的底部
力口人命令行"conservativeSwapfileusege=1”即可。
⑶若要删除虚存,将其最大与最小值甚为0即可。
2012-1-15条由Qi由旭科•上海葡土
•主存储器(简称主存)又叫内存储器或操作存储器,用来
存放计算机运行期间所需要的程序和数据。
•主存通过地址总线、数据总线、控制总线与CPU和夕卜围
设备连接在一起(如下图)。
■地址总线用于选择主存储器的一个存储单元,其位数决
定可访问的存储单元最大数目,称为最大可寻址空间。
数据总线用于在计算机各功能部件之间传送数据,数据
r总线的位数(总线的宽度)与总线时钟频率的乘积,正比
于该总线所支持的最高吞吐(输入输出)能力。
•控制总线包括控制数据传送的读(read)、写(write)和
表示存储器操
CPU
AR注:作完成的准备
AR—地址寄存器就绪()控制
读/写地址总线DR—数据寄存器ready
---------------k—地址总线的位
连接其数据总线数线。
他外围控制总线n—数据总线的宽
设备度
主存储器
4竽教才方发左・上海分出土
主存储器与CPU及外围设备的连接关系
422主存记忆元件
目前,主存储器中广泛使用的记忆元件是电子的,其材料是
半导体。
1.RAM记忆元件
随机存取存储器RAM的特点是能随机地存取存储器中的任
何一个存储单元,且与存取的时间和该单元的物理位置无
关。它要求记忆元件应具有以下特性:
・有两种稳定状态;
■在某外部信号的激励下,两种稳定状态能进行无限次相互
转换;
■在某外部信号的激励下,能读出这两种稳定状态;
・能可靠地存储。
e%弋教中士版淞・上海金社
1.RAM记忆元件
⑴SRAM记忆元件
•SRAM记忆元件有双极性和金属-氧化物-半导体
MOS(MetalOxideSemiconductor,MOS)开关两种。MOS开
关是一种由金属、氧化物和半导体组成的场效应管,其
符号下图所示,其中G为栅极,S为源极,D为漏极。当
W(连接栅极)为高电位叱MOS管导通,R点(连接漏极D)
与V(:c(连接源极S)同电位。但因W上所加的电位信号是
脉冲型的,脉冲去掉之后便处于不定状态。
为能稳定地记忆上曾加过高电压,不能
D1VccW
使用这样的单管MOS开关,必须使用具有
wL双稳态的触发器作为记忆元件。常用的
是6管MOS记忆单元。
15S]R4至数彳步及就•上海杀社
(l)SRAM记忆元件
①SRAM六管记忆单元电路
•在六管记忆单元电路中,[、T2组成双稳态触发器,下3、
丁4是负载管,T5、丁6作为记忆单元的选中开关(读写控
制门)。当记忆单元未被选中(字线W保持低电平)时,T5、
丁6管截止,触发器与位线隔离,保持原来的记忆状态不变。
当字线加上高电平时,T5、丁6管导通,该记忆单元被选中,
可进行读/写操作。
4竽数4步及就・上海痴士
①SRAM六管记忆单元电路
•写过程:W为高电位,选中字线,T5、76管导通,使读写控制门打开。写“1”时,
位线b'上送高电平,使72管导通,位线b上送低电平,使T1管截止。因T]、72的
连接呈反向耦合连接,使状态稳定,不会因写脉冲的的撤离而改变,只要Vy
上有+5电压,就能始终保持这一状态。写“0”时,位线b'上送低电平,使72管戴
止,位线b上送高电平,使T1管导通。
字线W高一"丁5尸6导通―H卖写控制门打开
•写"1"位线b,上为IWJ—►导通—►B为低—►B,低—►"1"1截止一►A局=1
・写“0”…位线b,上为低~^丁2截仁—B为高一B,高—Ti导$A低=0
字线
v5V・读过程:字线W高—T5,T6导通
ccW
♦
若原存1,即A高一b'f高“1”
LHT4
位线位线若原存0,即B高一―一高“0”
B
b'"b
T5T6
UBA’川
4竽教才方发左・上海会社
•DRAM记忆元件是靠MOS管栅极电容上的电荷保存信息,
也称电荷存储型记忆元件。
图4一16是单管动态MOS电路,它只由一个MOS管和一个电容
C组成。当字线W为高电平叱该存储单元被选中。
执行写操作叱如写“1”,位线处于高电平,对电容C充电;如
写“0”,位线为低电平,电容C上的电荷很快被释放掉。
执行读操作叱如原存“1”,电容C充有电荷,在位线上产生
电流,可视为读出“1”;如原存“0",电容C无电荷,故位
线上无电流,可视为读出“0”。
注意:当读操作结束时,
C的电荷已泄放完毕,
是破坏性读出,必须采取
再生措施。
力至教中广版加,上海会社
线b
图4-16单管动态存储电路
⑵DRAM记忆元件
•若将6管SRAM记忆单元电路中的两个负载管T3、下4去掉,
便形成了4管SRAM记忆单元电路,如图4-17所示。图中的
T丁2管不再构成双稳态触发器,而是靠栅极电容a、c
2茱P存储信息。
•4管动态MOS电路的集成度较高,但它还是靠栅极电容C],
C2来存储信息的,因此,必须每隔一定时间向栅极电容补
充一次电荷,此过程称为“刷新”。刷新周期一般为2ms。
字线W
位
线
2012-145数才步履就•上海初土
图4-17四管动态MOS电路
(3)MRAM(MagneticRandomAccess
Memory)记忆元件
•磁随机存取存储器MRAM是一种利用磁化特性进行数据
存取的内存技术。从存储机理上来说,它是用电子的自
旋方向来代表二进制的“0”和“1”。
与DRAM相比,MRAM有以下优点:
•MRAM是一种非易失性的存储元件;
•磁化过程非常短暂,存取速度快;
・存储密度已达到目前DRAM的水平;
•芯片材料以铁、铝为主,成本低。
人们预测:MRAM将是非常有前途的内存存储元件。
.MRAM字线
MRAM
接地
用电子的自旋方向代表“1”和“0”45数才步履就•上海兴社
图4-18MRAM的一个存取单元的工作原理
2.ROM(ReadOnlyMemory,ROM)记
忆元件
•SRAM和DRAM均为可读/写的随机存储器,当断电叱所
存储的内容立即消失,是易失性存储器。ROM是一种只
能读出、不能写入的非易失性存储器件。即使停电,它
所存储的内容也不会丢失。
•(l)ROM:通常指MROM(MaskROM),即掩膜式只读存储
器。它由芯片制造商在制造时写入内容。其基本存储原
理是以元件的有无来表示存储单元的信息(1或0),可用二
极管或三极管作为元件,其存储内容是不会改变的。
•(2)可编程的只读存储器PROM(ProgrammablcROM)
4竽教才方发左・上海金社
(2)可编程的只读存储器PROM
•从图4-19中可见,32X8(位)的PROM由32个8发射极的双
极型晶体管构成,每个发射极上装有一根熔丝,由5位地
址译码产生32条字选择线,分别与32个晶体管的栅极相
连,8个发射极通过熔丝构成8条位选择线(W7-W。)经读写
控制电路反向后从D7-D。输出。
写入:在集电极,加高压将需写1
的位线接地,大电流将熔丝烧断,
将需要写0的位线悬空,熔丝将
保持完好,完成一次性写入。
读出:Ec上加+5V电压,由地址译
码后被选的字线上有高电压,相
应的晶体管导通,有熔丝的位线
w7w6w5w4w3w2w唳为高电平,经反相后输出为0;反
写之,无熔丝的位置是空,经反相后
捽
制输出为1。
D7EDo
2012-12c
图4-1932X8位熔丝型PROM结构4竽教才方发本・上海•土
⑶可擦除可编程的只读存储器
EPROM(ErasablePROM)
•EPROM是一种可用紫外线擦除,允许用户多次写入信息的只读存储
器,目前广泛使用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成,叫
FAMOS型EPROM。
•平叱浮动栅上不带电荷,源极S与漏极D之间没有导电沟道,处于关
闭状态,表示存储的是“1”信息;当需要写“0”时,需在源、漏
极之间加上高电压(如+12V)和编程脉冲,此时,源、漏极间被瞬
间击穿,在PN结处集聚大量电子,这些电子通过绝缘层注入到浮
动栅上,使浮动栅带负电,浮动栅上的负电荷在氧化层下面感应
出正电荷迫使管子导通,表示存储的是“0”信息。高压撤除后,
因浮动栅被二氧化硅绝缘层所包围,浮动栅上的电子无处泄漏,
ED
S管子仍保持导通状态,使存储的
“0”信息保持不变。
字线一।______
EPROM,二
(a)
2012-12-15—位4竽教彳方及就・上海今社
图4-20EPROM结构示意图线
(3)可擦除可编程的只读存储器
EPROM(ErasablePROM)
•写入方法:先将原存储信息擦除。即用紫外线光对准芯片
上的圆形石英窗口(相距3cm),用一定波长的紫外线灯照
射10〜25分钟(时间随
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