《电工电子》课件-09 常用半导体器件

第九章常用半导体器件第二节半导体二极管第三节特殊二极管第四节晶体管第二节半导体二极管

半导体二极管的伏安特性半导体二极管的主要参数一、半导体二极管的伏安特性+P区－－阳极N区－－阴极阳极阴极1.正向特性死区电压硅管0.5V

锗管0.1V

正向导通电压硅管0.7V

锗管0.3Vi(mA)u(V)反向击穿电压死区GeSi2.

反向特性反向饱和电流很小，可视为开路，反向电压过高，电流急增，二极管发生击穿。导通电压VD二、半导体二极管的主要参数1.最大整流电流IF

二极管允许通过的最大正向平均电流。2.最高反向工作电压URM

保证二极管不被击穿允许加的最大反向电压。3.最大反向饱和电流IR

室温下，二极管加最高反向电压时的反向电流，与温度有关。

例：如图，E＝5V，二极管正向压降忽略不计，画出uo波形。EVDuiuO10ui(V)ωtui<EVD截止

uo=Eui>EVD导通

uo=ui5uOωt5

利用二极管的单向导电性可对输出信号起限幅作用。例：二极管组成电路如图，设二极管导通电压为0.3V，试求输出电压UF。+3VUF－12VR0VVD1VD23

>0>－12VVD1率先导通，

UF＝3－0.3＝2.7VVD2截止解：第三节特殊二极管

稳压管

稳压管是一种特殊的二极管，具有稳定电压的作用。

稳压管工作于反向击穿区。特点：电流变化大，电压变化小。一、稳压原理稳压管：１）加正向电压时同二极管２）加反向电压时使其击穿后稳压i(mA)u(V)反向击穿电压VS

１．稳定电压UZ

正常工作下，稳压管两端电压。同一型号的稳压管分散性较大。２．稳定电流IZ

正常工作下的参考电流。大小由限流电阻决定。３．动态电阻rZrZ=△U/△IrZ越小，稳压效果越好。二、稳压管参数返回例1、如图，已知UZ=10V，负载电压UL（）（Ａ）5Ｖ（Ｂ）10Ｖ（Ｃ）15Ｖ（Ｄ）20ＶAVS20V15kΩ5kΩUL

稳压管的工作条件（１）必须工作在反向击穿状态。（２）电路中应有限流电阻，以保证反向电流不超过允许范围。第四节晶体管

晶体管的基本结构和类型晶体管的电流分配和放大原理晶体管的特性曲线晶体管的主要参数温度对晶体管的影响一、晶体管的基本结构和类型基极集电极发射极NPN型VTPNP型VT二、晶体管的电流分配和放大原理IBRBEBICRCECIE基极电流很小的变化，将引起集电极电流一个很大的变化。直流放大系数交流放大系数1.输入特性曲线

三、三极管特性曲线IB＝f(UBE)︳UCE=常数IB(μA)UBE(V)UCE=0UCE≥1

发射结、集电结正偏，两个二极管正向并联。

集电结反偏，IB减小UCE>1IB变化很小，与UCE=1曲线重合。2．输出特性曲线饱和区截止区放大区

截止区IB≈0，IC≈0，UBE≤0

放大区

IC＝βIB

饱和区

UCE≤UBE

IC(mA)UCE(V)IB＝0μAIB=20μAIB=40μAIB=60μAIB=80μA2．极间反向电流

ICBO：发射极开路，基极与集电极间的反向饱和电流，受温度影响大。

ICEO：基极开路，集电极与发射极间的穿透电流。四、三极管主要参数1．

放大倍数

集电极最大电流ICMIC<ICM

集电极—发射极反向击穿电压UCEO

基极开路，加在集电极和发射极间的最大允许工作电压。

UCE<UCEO

集电极最大允许功耗PCMICUCE<PCM3．极限参数五、温度对晶体管的影响温度对ICEO、ICBO的影响

ICEO、ICBO随温度上升急剧增加，温度每升高10°，ICBO约增加一倍。温度对锗管的影响比较大。温度对β

的影响温度增加，β

随之增加。3.温度对UBE

的影响温度增加，UBE

随之减少。例1：由晶体管各管脚电位判定晶体管属性（1）

A:1VB：0.3VC:3V（2）A:－0.2VB:0VC:－3V如何区分硅管和锗管如何区分NPN、PNP管如何区分三个极A.︱UBE︳≈0.2V(锗管）

︱UBE︳≈0.7V(硅管）B.步骤：1.区分硅管、锗管，并确定C极（以相近两个电极的电压差为依据，

UBE硅＝0.7V／UBE锗＝0.2V～0.3V）

2.区分NPN、PNP管（NPN：VC最高

，PNP：VC最低

）

3.区分三极（NPN：VC>VB>V