CN119400509B 一种包含电磁屏蔽材料的复合电缆及其制作方法 （宝新高分子科技(广州)有限公司）

(12)发明专利(10)授权公告号CN119400509B(65)同一申请的已公布的文献号(73)专利权人宝新高分子科技(广州)有限公司镇大纲领纲东路13号131栋101室朱集潮刘海波黄璐璐(74)专利代理机构广东理济律师事务所H05K9/00(2006.01)一种包含电磁屏蔽材料的复合电缆及其制作方法本发明公开一种包含电磁屏蔽材料的复合电缆及其制作方法，一种包含电磁屏蔽材料的复护套包裹导电线芯，屏蔽层嵌设于绝缘护套中，屏蔽层包括半导体和石墨烯，条状的半导体通过熔炉中加热至熔融状态，在熔融的半导体表面涂覆石墨烯，冷却得到半导体与石墨烯的屏蔽体，每两根屏蔽体形成空间双螺旋结构，由多根屏蔽体编织形成编织带状结构。一种制作上述的复合电缆的方法，将石墨烯线芯与金属铜芯结合得到导电线芯；然后依次在导电线芯上覆上内绝缘利用半导体与石墨烯在导电线芯外周编织形成21.一种包含电磁屏蔽材料的复合电缆，包括绝缘护套、导电线芯和屏蔽层，所述绝缘护套包裹导电线芯，所述屏蔽层嵌设于所述绝缘护套中，其特征在于：所述屏蔽层包括半导体和石墨烯，所述半导体呈条状，将条状的半导体通过熔炉中加热至熔融状态，在熔融的半导体表面涂覆石墨烯，冷却得到所述半导体与石墨烯的屏蔽体，每两根屏蔽体相互缠绕形成空间双螺旋结构，由多根双螺旋结构的屏蔽体编织形成编织带状结构，其中所述石墨烯呈蜂巢晶格片状结构、石墨烯在半导体表面形成致密的覆盖层，所述石墨烯堆叠的层数为5-8层，所述半导体加热温度为1415℃~1500℃;并且在所述屏蔽层表面涂覆有聚氨酯涂层；所述屏蔽体之间的间隙通过间隔排布的碳纳米管连接，其中所述碳纳米管与所述屏蔽体之间通过导电银胶连接或超声纳米焊接。2.根据权利要求1所述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆，其特征在于：所述聚氨酯涂层混合粘接剂涂覆在所述屏蔽层表面。3.根据权利要求1所述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆，其特征在于：所述半导体的截面呈圆形，所述石墨烯的截面呈圆环形，所述石墨烯的厚度大于或等于半导体的半径。4.根据权利要求1所述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆，其特征在于：所述半导体与石墨烯制作成屏蔽体时，还通过相同体积的半导体与石墨烯通过高温压合的方式形成条状的屏蔽体，其中所述半导体与所述石墨烯的成分百分比为1:1。5.根据权利要求1所述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆，其特征在于：所述绝缘护套包括由内至外依次排布的内绝缘层、散热层、防水层和外绝缘层，其中所述内、外绝缘层由聚乙烯材料制成，所述屏蔽层设在散热层与防水层之间。6.根据权利要求5所述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆，其特征在于：所述导电线芯由金属铜芯和石墨烯线芯制成，所述石墨烯线芯环绕金属铜芯外周。7.根据权利要求5所述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆，其特征在于：所述导电线芯由两根金属铜芯组成，所述两根金属铜芯表面均涂覆石墨烯涂层，两根金属铜芯之间彼此绝缘并相互缠绕形成双绞线。8.根据权利要求1所述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆，其特征在于：所述碳纳米管的两端支撑于两根屏蔽体上，每组屏蔽体之间通过金属箔连接，使屏蔽层整体围合形成中空管状结构，所述金属箔连接在所述屏蔽体的两端，所述屏蔽体在屏蔽层上堆叠形成若干层网格结构。9.一种制作上述权利要求1-8任一项所述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆的制作方步骤S01:将石墨烯线芯编织缠绕在金属铜芯的外周、其间压合紧密或加热熔合为一步骤S02:将导电线芯浸没于聚乙烯材料中，覆上内绝缘层，内绝缘层冷却后再覆上高温硫化硅为材料的散热层；步骤SO3:将半导体通过熔炉加热升温至1415℃~1500℃,使其表面形成熔融状态，然后在半导体表面喷覆石墨烯、冷却后得到所述半导体与石墨烯的屏蔽体，将碳纳米管的两端以导电银胶粘接或超声纳米焊接的方式连接在其中两根屏蔽体上，再进行旋转形成空间双螺旋结构，呈空间双螺旋结构的屏蔽体进行编织形成中空的编织带并作为屏蔽层套装在散热层的外周；3步骤SO4:在屏蔽层的表面依次涂覆聚氨酯涂层和防水胶，凝固后再将电线浸没于聚乙烯材料中，取出凝固后形成外绝缘层。4技术领域[0001]本发明涉及电缆制作技术领域，尤其是涉及一种包含电磁屏蔽材料的复合电缆及其制作方法。背景技术[0002]电线用以传输电力、电信号，主要由线芯以及包裹在线芯上的绝缘包皮组成。线芯通常将两根具有绝缘保护层的铜导线按一定密度互相绞在一起，每一根导线在传输中辐射出来的电波会被另一根线上发出的电波抵消，降低信号干扰的程度，这种双绞线比较多应用于网线中。在一些对屏蔽要求比较高的使用场合，显然不能满足屏蔽要求。当电线在磁场强度高的场合中使用时，电线容易发热、由于电流通过磁场中会产生磁场力，使电线产生一定的振荡，并且产生电动势导致电压升高等影响信号正常传输和影响电线使用寿命的现象。因此，寻求一种能够克服在强磁场中使用、且屏发明内容[0003]本发明的目的旨在提供一种包含电磁屏蔽材料的复合电缆及其制作方法，利用半导体与石墨烯结合制作屏蔽体，再缠绕形成双螺旋结构而形成屏蔽层，构建出隔离电磁干[0004]为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案是：一种包含电磁屏蔽材料的复合电缆，包括绝缘护套、导电线芯和屏蔽层，绝缘护套包裹导电线芯，屏蔽层嵌设于绝缘护套中，屏蔽层包括半导体和石墨烯，半导体呈条状，将条状的半导体通过熔炉中加热至熔融状态，在熔融的半导体表面涂覆石墨烯，冷却得到半导体与石墨烯的屏蔽体，每两根屏蔽体相互缠绕形成空间双螺旋结构，由多根双螺旋结构的屏蔽体编织形成编织带状结构，其中石墨烯呈蜂巢晶格片状结构、石墨烯在半导体表面形成致密的覆盖层，石墨烯堆叠的层数为5-8层，半导体加热温度为1415℃~1500℃;并且在屏蔽层表面涂覆有聚氨酯涂层；屏蔽体之间的间隙通过间隔排布的碳纳米管连接，其中碳纳米管与屏蔽体之间通过导电银胶连接或超声纳米焊接。[0005]本发明采用上述技术方案，由半导体和石墨烯结合为一组，相互缠绕在一起，然后将多组缠绕的半导体和石墨烯缠绕组合编织形成螺旋编织带状的屏蔽层，每组屏蔽体形成的螺旋结构，其间提供过碳纳米管连接，使得整个编织带状的屏蔽层导通并且形成空间结构，使得屏蔽层的厚度提高，能够更好的反射和减弱电磁波能量，提高屏蔽层的导电性，更好的将外部干扰信号导入大地。将屏蔽层应用于电线电缆中，屏蔽层能够形成屏蔽磁场的氨酯涂层还具有吸波效应，能够吸收或大幅减弱其表面接收到的电磁波能量，提高电磁屏蔽效果。本发明的复合电缆，由半导体和石墨烯组合为一组，相互缠绕在一起，然后将多组缠绕的半导体和石墨烯缠绕组合编织形成螺旋编织带结构，嵌入绝缘护套中环绕在导电线5部干扰信号导入大地，提高电磁屏蔽效果。[0006]上述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆，聚氨酯涂层混合粘接剂涂覆在屏蔽层表面。聚氨酯涂层起到吸收电磁波能量的作用，削弱电磁波的辐射。[0007]上述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆，半导体的截面呈圆形，石墨烯的截面呈圆环形，石墨烯的厚度大于或等于半导体的半径。石墨烯与半导体的结合，提升吸收及散射电磁波的性能，防止电磁波穿透而引起反作用电场，从而达到电磁屏蔽的效果。当电磁波通过石墨烯时，石墨烯的电子会受到激发并发生能级跃迁，耗散部分电磁能量。[0008]上述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆，半导体与石墨烯制作成屏蔽体时，还可通过相同体积的半导体与石墨烯通过高温压合的方式形成条状的屏蔽体，其中半导体与石墨烯的成分百分比为1:1。由对半的半导体与石墨烯高温压合的方式制作屏蔽体，提供不同的制作工艺。[0009]上述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆，绝缘护套包括由内至外依次排布的内绝缘防水层之间。[0010]上述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆，导电线芯由金属铜芯和石墨烯线芯制成，石墨烯线芯环绕金属铜芯外周。加入石墨烯材料，能够提高导电线芯的电导率。[0011]上述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆，导电线芯由两根金属铜芯组成，两根金属铜芯表面均涂覆石墨烯涂层，两根金属铜芯之间彼此绝缘并相互缠绕形成双绞线。[0012]上述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆，碳纳米管的两端支撑于两根屏蔽体上，每组屏蔽体之间通过金属箔连接，使屏蔽层整体围合形成中空管状结构，金属箔连接在屏蔽体的两端，屏蔽体在屏蔽层上堆叠形成若干层网格结构。金属箔为柔性导电材料，将多组屏蔽体连接后能够保证屏蔽层的整体柔韧性和导电性，在使用中将屏蔽层接地操作时，拨开绝缘护套外层后，屏蔽层能够进行一定程度的拉伸，便于操作。[0013]本发明还提供的另一技术方案是：一种制作上述的包含电磁屏蔽材料的复合电缆[0014]步骤S01:将石墨烯线芯编织缠绕在金属铜芯的外周、其间压合紧密或加热熔合为[0015]步骤S02:将导电线芯浸没于聚乙烯材料中，覆上内绝缘层，内绝缘层冷却后再覆上高温硫化硅为材料的散热层；[0016]步骤S03:将半导体通过熔炉加热升温至1415℃~1500℃,使其表面形成熔融状态，然后在半导体表面喷覆石墨烯、冷却后得到所述半导体与石墨烯的屏蔽体，将碳纳米管的两端以导电银胶粘接或超声纳米焊接的方式连接在其中两根屏蔽体上，再进行旋转形成空间双螺旋结构，呈空间双螺旋结构的屏蔽体进行编织形成中空的编织带并作为屏蔽层套装在散热层的外周；[0017]步骤SO4:在屏蔽层的表面依次涂覆聚氨酯涂层和防水胶，凝固后再将电线浸没于聚乙烯材料中，取出凝固后形成外绝缘层。[0018]由于采用上述制作方法，本发明的电磁屏蔽复合电缆在金属铜芯上，石墨烯的高电子迁移率能减少铜中电子散射，降低电阻，从而显著提升材料的导电性；高温硫化硅达到6散热效果的同时还具有阻燃性能；屏蔽层利用半导体和石墨烯编织构建的螺旋编织带状结构，形成一道电磁屏蔽屏障，有效隔离外部的电磁干扰信号；聚氨酯涂层起到吸收电磁波的作用，减小电磁波辐射到电缆上的能量，防水层涂覆于屏蔽层表面，起到防水作用，在防水层外周最后覆上外绝缘层，达到电缆的最后一层绝缘。[0019]本发明取得的有益效果是：半导体加热到熔融状态后，将粉状的石墨烯涂覆于其表面，石墨烯与半导体熔合为一体，石墨烯在半导体表面形成致密的覆盖层，能够吸收和反射辐射于其表面的电磁波，减弱电磁波的能量，然后半导体与石墨烯组成屏蔽体，每两根屏蔽体通过间隔排布的碳纳米管连接，并缠绕形成空间双螺旋结构，再将多组双螺旋结构的屏蔽体组合形成编织带，实现了屏蔽层的厚度增加，利用碳纳米管及石墨烯的高导电性，在使用中接地，辐射到电缆表面的电磁波会被反射和吸收，并且在屏蔽层上产生的电流被迅速导入大地，实现了高屏蔽性能。其中屏蔽层表面涂覆的聚氨酯涂层为吸波材料，进一步吸收和减弱电磁波辐射的能量。将半导体加热到1415℃~1500℃,超过半导体熔点，使半导体表面开始形成熔融状态，石墨烯粉末能够均匀分布到半导体表面且冷却后结合牢固。本发明利用半导体和石墨烯编织构建出螺旋状的编织带，环绕在导电线芯外周，形成一道电磁屏蔽屏障，石墨烯具有良好的导电性，能够将外部的干扰信号导入大地，提升了电缆的电磁附图说明[0020]图1是本发明实施例复合电缆的剖面结构示意图；[0021]图2是本发明其他实施例的剖面结构示意图；[0022]图3是本发明的半导体与石墨烯组合形成双螺旋体形状的结构示意图；[0023]图4是本发明实施例的屏蔽层的局部结构示意图；[0024]图5是本发明实施例的屏蔽体的结构示意图；[0025]图6是本发明另一实施例的屏蔽体的结构示意图；[0026]图7上本发明实施例复合电缆的制作方法流程图。[0027]附图标记说明：绝缘护套1,导电线芯2,屏蔽层3,内绝缘层11,散热层12,防水层13,外绝缘层14,金属铜芯21,石墨烯线芯22,石墨烯涂层23,半导体31,石墨烯32,碳纳米管33,聚氨酯涂层34,金属箔35,屏蔽体3a。具体实施方式[0028]下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的说明。[0029]参照图1至图6所示，一种包含电磁屏蔽材料的复合电缆，包括绝缘护套1、导电线芯2和屏蔽层3,绝缘护套1包裹导电线芯2,屏蔽层3嵌设于绝缘护套1中，屏蔽层3包括半导体31和石墨烯32,半导体31呈条状，将条状的半导体31通过熔炉中加热呈熔融状态，在熔融的半导体31表面涂覆石墨烯32,冷却得到半导体31与石墨烯32的屏蔽体3a,每两根屏蔽体3a相互缠绕形成空间双螺旋结构，由多根双螺旋结构的屏蔽体3a编织形成编织带状的屏蔽层3,其中石墨烯在半导体表面形成致密的覆盖层、石墨烯呈蜂巢晶格的片状结构，石墨烯堆叠的层数为5-8层，半导体31加热温度为1415℃~1500℃;并且在屏蔽层3表面涂覆有聚氨酯涂层34;其中，聚氨酯涂层34优选涂覆在屏蔽体3a的表面上。其中，屏蔽体3a之间的间隙7通过间隔排布的碳纳米管33连接，其中碳纳米管33与屏蔽体3a之间通过导电银胶连接或超声纳米焊接。本实施方式的半导体31采用晶体硅，其熔点在1410℃,将其加热超过其熔点时，半导体31逐渐形成熔融状态，然后由拉伸机将其拉伸形成条状，在熔融状态的半导体31的表面上涂覆石墨烯粉，从而使石墨烯粉附在半导体31的表面，冷却凝固后石墨烯与半导体紧密结合，形成屏蔽体3a。在碳纳米管33与屏蔽体3a之间连接时，可由具有导电功能的含银粉的胶水在一定的固化温度下进行粘接，且能保证导电性；还可利用高频振动波传递到两个需焊接的物体表面，在加压的情况下，使两个物体表面相互摩擦而形成分子层之间的熔合，从而完成碳纳米管33与屏蔽体3a之间的连接。碳纳米管33与屏蔽体3a连接后，使每两根屏蔽体3a为一组，再通过编织缠绕形成双螺旋结构，然后由多组双螺旋结构的屏蔽体3a经过编织组成编织带状的屏蔽层3。其中碳纳米管具有良好的力学性能，抗拉强度达到50~200GPa,是钢的100倍；碳纳米管的硬度高，且拥有良好的柔韧性，可以拉伸。使得屏蔽结构牢固，不易被剥去电缆外皮时被刀片划伤，在首端或尾端接地时，能够拉伸缠绕接地，使屏蔽层3具有良好的结构牢固性和可操作性。[0030]在本实施方式中，将半导体31加热升温至1415℃,半导体31表面开始软化，并慢慢形成熔融状态，通过前述的拉伸机将半导体31拉伸成条状，继续加热升温，使半导体31的温升达到1500℃,此时半导体31的表面进入熔融状态，表面的半导体流动性更高。然后将石墨烯粉末喷覆于半导体上，使得石墨烯更好的与半导体相结合。[0031]石墨烯(Graphene)是碳的同素异形体，碳原子以sp²杂化键合形成单层六边形蜂窝晶格石墨烯。利用石墨烯这种晶体结构可以构建富勒烯(C60)、石墨烯量子点，碳纳米管、纳米带、多壁碳纳米管和纳米角。堆叠在一起的石墨烯层(大于10层)即形成石墨，层间通过范德华力保持在一起，晶面间距0.335纳米。本实施方式中的石墨烯堆叠的层数为5-8层。[0032]本实施方式中，将两根屏蔽体3a间隔放置，其间通过间隔的碳纳米管33连接，然后将相连的两根屏蔽体3a进行旋转，使之不断盘旋，最终形成双螺旋结构，如图3所示。螺旋结构的屏蔽体3a形成空间三维结构，再通过经编机进行编织成型，使多组双螺旋结构的屏蔽体3a相互缠绕组合形成编织带状的屏蔽层3.其中，屏蔽层3中空，其间用于穿过导体线芯，屏蔽层3起到电磁屏蔽效果。本实施方式的屏蔽层3能够在空间构筑起一道电磁屏蔽屏障，并且由于屏蔽体3a的双螺旋结构，在将其制作成编织带时能够增大屏蔽层3的厚度，从而加强了其屏蔽电磁干扰的能力。其中，形成编织带的屏蔽体3a之间，可通过接触式导通连接，多组屏蔽体3a之间相互缠绕连接。[0033]聚氨酯涂层34混合粘接剂涂覆在屏蔽层3表面。聚氨酯为吸波材料，能够吸收其表面辐射的电磁波能量，减弱电磁辐射的能量，协助屏蔽层3对电磁干扰的屏蔽效果。[0034]半导体31的截面呈圆形，石墨烯32的截面呈圆环形，石墨烯32的厚度大于或等于半导体31的半径。[0035]如图6所示，在其他实施例中，半导体31与石墨烯32制作成屏蔽体3a时，还可通过相同体积的半导体31与石墨烯32通过高温压合的方式形成条状的屏蔽体3a,其中半导体31与石墨烯32的成分百分比为1:1。可将半导体31加热呈半熔融状态，然后将石墨烯32贴合在半导体31表面，施加一定的压力使之结合。[0036]结合图1-6所示，屏蔽层3环绕导电线芯2设置，嵌设于绝缘护套1中，起到屏障的作用。每组的单根半导体31和石墨烯32相互缠绕、盘旋形成双螺旋结构。再将多组半导体31与8石墨烯32组成的双螺旋结构经过编织形成编织带，屏蔽层3形成编织带结构并同轴环绕导电线芯2,能够阻隔外部的电磁信号干扰，同时石墨烯32与半导体31结合后并进行接地，将干扰信号接入大地。[0037]在不同的实施例中，半导体31与石墨烯32之间的导通采用不同的方式实现。例如，每组半导体与石墨烯之间为接触式导通。在其他实施例中，每组半导体与石墨烯之间具有间隔，其间通过间隔排布的碳纳米管连接。半导体31用于屏蔽层，可以帮助屏蔽层3将电荷均匀分布，并配合高导电率的石墨烯32将电磁辐射产生的干扰电流导入大地。[0038]半导体31与石墨烯32盘旋形成双螺旋结构，在将多组双螺旋结构的半导体31与石墨烯32组合形成编织带状的屏蔽层3,能够增大屏蔽层3的厚度，提高电磁屏蔽性能。[0039]屏蔽电缆的屏蔽原理是基于电磁波的反射、吸收和趋肤效应。屏蔽电缆的屏蔽层可以有金属编织网或铜泊，通过接地将外部干扰信号导入大地，从而减少对电缆的干扰。本发明的实施例中，半导体31能够起到均匀分布电场，降低局部电场强度，避免电场强度过高的作用；在半导体31上组合石墨烯32,其中石墨烯32可制作成条状、与半导体31形状相适配，石墨烯32与半导体31相组合形成双螺旋结构，从而组成电缆的屏蔽层3。利用石墨烯32磁场强度的环境中传输电信号，通过磁场中的电流会产生作用力，使得电缆会产生一定的振幅，而电缆的屏蔽层3属于导体，在振动中切割磁场中的磁感应线，导体在磁场中运动会产生一定的磁感应电流。本发明通过将半导体31与石墨烯32组合形成双螺旋结构，再将多组双螺旋结构的半导体31与石墨烯32组合编织形成编织带结构的屏蔽层3,使屏蔽层3具有较大的厚度，一方面反射电缆外部的电磁波，另一方面利用石墨烯32的高导电性在接地后将其产生的磁感应电流迅速导入大地。[0040]电缆中常用的屏蔽层为金属编织网或铜箔，通过反射外部电磁波，放置电磁波进入电缆内部，从而减少外部干扰信号的传入；屏蔽层还能够有吸收效应，屏蔽层的涡流会消耗电磁波的能量，将其转化为热能，从而减少干扰信号的强度；高频电磁波在导体表面的分布更为集中，屏蔽层可以有效阻止高频电磁波穿透，进一步减少干扰。[0041]而在本发明中，由半导体31和石墨烯32组成屏蔽层3,先由半导体31和石墨烯32组合形成双螺旋结构、并且在其间还通过接触导通或碳纳米管33导通，再由多组双螺旋结构的半导体31与石墨烯32组合编织成呈编织带状的屏蔽层3,使得本发明的屏蔽层3具有较大的厚度，其在导电线芯2的外周形成一道屏蔽网。电缆在磁场强度高的环境中运行时，外部的电磁波不能够渗透屏蔽层3,并且在屏蔽层3表面形成涡流消耗外部辐射过来的电磁波的能量，将其进行转化，并将高频电磁波在屏蔽层3的表面集中，最终通过接地将干扰信号通过转化引入大地，从而实现良好的屏蔽效果。[0042]在其他实施例中，半导体与石墨烯可以通过其他方式进行结合，例如将石墨烯作为涂层涂覆在半导体上，或者将石墨烯粉末加入半导体中，改变半导体的导电性。[0043]在本实施方式中，半导体由砷化镓、硅、硫化镉、磷化镓中的一种材料制成。每根半导体与石墨烯呈圆条状，表面形成的网格形状呈圆形、椭圆面呈网格形状，使得屏蔽层3呈现一种网格形态，环绕于导电线芯外周时，形成一个屏蔽网，在进行接地作业时可进行拉伸。圆条状的石墨烯与半导体，与相同长度的矩形相比，截面为9降低屏蔽层的电阻值。[0044]在本实施方式中，绝缘护套1包括由内至外依次排布的内绝缘层11、散热层12、防水层13和外绝缘层14,其中内绝缘层11、外绝缘层14由聚乙烯材料制成，屏蔽层3嵌设在散热层12与防水层13之间。[0045]导电线芯2由金属铜芯21和石墨烯线芯22制成，石墨烯线芯22环绕金属铜芯21外周。石墨烯材料具有高导电性，与金属铜芯21结合，提高导电线芯2例中，石墨烯材料还可通过加入金属铜液中，将石墨烯渗入铜芯中，提高铜芯的导电性。并且石墨烯还具有较高的耐腐蚀性和耐热性，改善金属铜芯21的电场分布，减少导体与绝缘层之间的气息，从而减少电场集中现象。[0046]如图2所示，导电线芯2由两根金属铜芯21组成，两根金属铜芯21表面均涂覆石墨烯涂层23,两根金属铜芯21之间彼此绝缘并相互缠绕形成双绞线。由于双绞线的绞合设计，两股金属铜芯21构成的铜线之间的电磁场会相互抵消，从而减少对外界干扰的敏感度，起到了屏蔽作用。此外，双绞线的扭绞还能帮助消除自身的内部干扰和外部噪音干扰，提升数据传输的可靠性。[0047]如图4所示，在本实施方式中，碳纳米管33的两端支撑于两根屏蔽体3a上，每组屏蔽体3a之间通过金属箔35连接，使屏蔽层3整体围合形成中空管状结构，金属箔35连接在屏蔽体3a的两端，屏蔽体3a在屏蔽层3上堆叠形成若干层网格结构。在本实施方式中，屏蔽层3由三层或以上双螺旋状的屏蔽体3a组成，屏蔽体3a层叠，使得屏蔽层3内部不会有较大的空隙而泄露电磁波使电磁波直接穿透屏蔽层3。中空管状结构的屏蔽层3,环绕导电线芯2,形成一道屏障，将在强磁环境中的电磁干扰屏蔽于屏蔽层3外。金属箔35由金属材料制成，延展成薄金属片，用于连接每组屏蔽体3a,构建出空间管状的屏蔽层3结构，屏蔽体3a之间的间隙形成的孔洞表明屏蔽层3在剥去电缆的绝缘护套1外皮后，能够进行拉伸，具有一定的收缩性，以将屏蔽层3接地。并且屏蔽层3表面致密，起到强力吸收和反射电磁波能量的作[0048]参照图7所示，本发明实施方式还公开一种制作上述具体实施方式所述的电磁屏蔽复合电缆的制作方法，由以下步骤制得：[0049]步骤S01:将石墨烯线芯编织缠绕在金属铜芯的外周、其间压合紧密或加热熔合为[0050]步骤SO2:将导电线芯浸没于聚乙烯材料中，覆上内绝缘层，内绝缘层冷却后再覆上高温硫化硅为材料的散热层；[0051]步骤S03:将半导体通过熔炉加热升温至1415℃~1500℃,使其表面形成熔融状态，然后在半导体表面喷覆石墨烯、冷却后得到所述半导体与石墨烯的屏蔽体，将碳纳米管的两端以导电银胶粘接或超声纳米焊接的方式连接在其中两根屏蔽体上，再进行旋转形成空间双螺旋结构，呈空间双螺旋结构的屏蔽体进行编织形成中空的编织带并作为屏蔽层套装在散热层的外周；[0052]步骤SO4:在屏蔽层的表面依次涂覆聚氨酯涂层和防水胶，凝固后再将电线浸没于聚乙烯材料中，取出凝固后形成外绝缘层。[0053]步骤S01为制作导电线芯步骤，在步骤S01中，石墨烯线芯22为圆条状，缠绕在金属铜芯21的外周，然后加热升温，使金属铜芯21的温度上升到1090℃超过其熔点，金属铜芯21表面开始软化，然后将缠绕于金属铜芯21上的石墨烯线芯22加压压合在金属铜芯21上，以完成导电线芯2的制作；[0054]步骤SO2为在导电线芯上涂覆内绝缘层11与散热层12,将聚乙烯材料加热成熔融的液态，导电线芯2浸没并穿过聚乙烯材料，使聚乙烯覆在导电线芯2的外表，然后冷却成型后再通过同样的方式在内绝缘层11上覆上散热层12,其中散热层12可以由高温硫化硅制[0055]步骤SO3为屏蔽层的制作，在步骤S03中，半导施步骤中将半导体加热到1415℃或以上，使得半导体31的表面熔融，再将粉末状的石墨烯喷覆于半导体31的表面，使得半导体31表面覆上石墨烯32,冷却凝固后定型，使得石墨烯32包裹在半导体31的外周，形成用于制作屏蔽层3的屏蔽体3a;然后使用每两根屏蔽体3a、再在两根屏蔽体3a之间通过导电银胶粘接或超声纳米焊接的方式连接有碳纳米管33,然后利用经编机等设备将该两根屏蔽体3a的其中一端以其间的间距的中心线进行旋转，旋转形成空间双螺旋结构；再将多组双螺旋结构的屏蔽体进行编织形成编织带，使得编织带具有较厚的厚度和能够层叠较多的层数，将编织带作为屏蔽层3套装在散热层12的外周；[0056]在步骤SO4中，最后在屏蔽层3的表面涂覆吸波材料聚氨