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文档简介
2025年光电子技术与应用考试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1.激光产生的必要条件不包括以下哪一项?A.粒子数反转分布B.光学谐振腔C.泵浦源提供能量D.自发辐射占主导答案:D解析:激光产生需要三个必要条件:粒子数反转分布(实现受激辐射占优)、光学谐振腔(选模与反馈)、泵浦源(提供能量激励)。自发辐射是普通光源的特征,激光依赖受激辐射。2.半导体激光器(LD)与发光二极管(LED)的核心区别在于:A.材料不同B.是否存在受激辐射C.输出光的方向性D.工作温度范围答案:B解析:LD通过受激辐射实现激光输出,具有阈值电流和相干性;LED仅通过自发辐射发光,无阈值且相干性差。两者材料可能相同(如GaAs),方向性和温度范围是结果而非核心区别。3.电光调制器中,半波电压Vπ的定义是:A.使输出光强调制深度达到50%所需的电压B.使光相位变化π弧度所需的电压C.使光偏振态旋转90°所需的电压D.使光强完全消光所需的电压答案:B解析:电光调制中,外加电压引起晶体折射率变化,导致光相位变化。半波电压Vπ是使相位变化π所需的电压,此时光强调制深度达到100%(从最大到最小)。4.光纤的数值孔径(NA)主要由以下哪组参数决定?A.纤芯折射率n1和包层折射率n2B.纤芯直径和工作波长C.光纤长度和损耗系数D.模场直径和色散系数答案:A解析:数值孔径NA=√(n1²-n2²),反映光纤捕捉光的能力,与纤芯和包层的折射率差直接相关。5.PIN光电二极管中,I层(本征层)的主要作用是:A.减少结电容,提高响应速度B.增加掺杂浓度,提高量子效率C.降低暗电流,提高信噪比D.增强光吸收,扩展响应波长答案:A解析:PIN二极管的I层为高阻本征层,加宽耗尽区,减少结电容(C=εA/d,d增大则C减小),从而提高响应速度;同时I层厚度增加可增强长波长光吸收,但主要目的是降低电容。6.以下哪种器件属于外调制器?A.直接调制的半导体激光器B.马赫-曾德尔(MZM)电光调制器C.垂直腔面发射激光器(VCSEL)D.雪崩光电二极管(APD)答案:B解析:外调制器独立于光源,通过外加电场改变光的相位或振幅(如MZM);直接调制是通过电流调制激光器输出,属于内调制。7.光纤的色散不包括:A.模式色散B.材料色散C.波导色散D.偏振模色散答案:无(注:原题可能存在设计问题,实际光纤色散包括模式色散、材料色散、波导色散,偏振模色散属于模式色散的一种特殊形式)。若选项为“D.吸收色散”,则答案为D。本题假设正确选项为D(偏振模色散属于模式色散的细分),实际需根据题目设定调整,此处按常规分类,正确选项应为无,可能题目存在笔误,暂修正为“吸收色散”作为错误选项,答案选D。8.激光谐振腔的纵模数量由以下哪个参数决定?A.腔长L和工作波长λB.腔的损耗系数C.激活介质的增益带宽D.镜面反射率答案:A解析:纵模频率间隔Δν=c/(2nL),纵模数量N=Δν_gain/Δν(Δν_gain为增益带宽),但直接决定因素是腔长和波长(n为介质折射率)。9.雪崩光电二极管(APD)的主要优点是:A.低噪声B.高响应速度C.内部增益,提高灵敏度D.宽光谱响应答案:C解析:APD通过雪崩倍增效应实现内部电流增益(增益可达10-100),提高弱光探测灵敏度;但噪声(倍增噪声)高于PIN二极管。10.以下光电子器件中,属于相干探测器件的是:A.光伏型探测器B.光热型探测器C.外差探测器D.光电导型探测器答案:C解析:相干探测(外差探测)利用信号光与本振光的干涉,需要探测器响应拍频信号;光伏型、光电导型属于直接探测器件,光热型响应光功率变化,无相干性。二、填空题(每空2分,共20分)1.激光的三个基本特性是______、______、______。答案:高相干性、高方向性、高亮度(或单色性)2.半导体激光器的阈值电流密度Jth与温度T的关系可表示为Jth(T)=J0exp(T/T0),其中T0称为______,其值越大,激光器的温度特性越______(填“好”或“差”)。答案:特征温度;好3.光纤的损耗主要包括______、______和______三类,其中______是光纤通信窗口(1.31μm和1.55μm)损耗的主要来源。答案:吸收损耗、散射损耗、辐射损耗;散射损耗(或瑞利散射)4.电光调制中,利用晶体的线性电光效应(Pockels效应)时,晶体必须属于______(填“中心对称”或“非中心对称”)点群;利用二次电光效应(Kerr效应)时,晶体可以是______(填“中心对称”或“非中心对称”)点群。答案:非中心对称;中心对称5.光探测器的量子效率η定义为______,其表达式为η=______(用电子数N_e、光子数N_ph、电子电荷e、光功率P、波长λ、普朗克常数h、光速c表示)。答案:单位时间内产生的光电子数与入射光子数的比值;η=(eλN_e)/(hcN_ph)或η=(eI)/(hνP)(I为光电流,ν为光频率)三、简答题(每题8分,共40分)1.简述激光振荡的阈值条件和增益饱和效应。答案:激光振荡的阈值条件包括增益条件和损耗条件:(1)增益条件:激活介质的小信号增益系数g0需大于等于谐振腔的总损耗系数α(包括吸收、散射、输出耦合等),即g0≥α;(2)相位条件:光在谐振腔内往返一次的相位变化为2π的整数倍(纵模条件)。增益饱和效应:当激光功率增大时,粒子数反转密度Δn因受激辐射消耗而减小,导致增益系数g随光强I增大而下降,最终达到动态平衡(g=α),此时激光输出功率稳定。饱和效应是激光器稳定工作的关键机制。2.比较直接调制与外调制的优缺点及应用场景。答案:直接调制:通过改变激光器注入电流实现输出光强调制,优点是结构简单、成本低;缺点是存在频率啁啾(电流变化引起载流子浓度变化,导致折射率变化,进而波长漂移),限制高速(>10Gbps)和长距离(>40km)传输。主要应用于短距离接入网(如局域网、5G前传)。外调制:利用独立调制器(如MZM)对连续激光进行调制,优点是啁啾小、调制速率高(可达100Gbps以上)、适用于长距离传输;缺点是结构复杂、成本高、需要额外光源。主要应用于骨干网、超高速传输系统。3.说明光纤色散对通信系统的影响及减小色散的方法。答案:影响:色散导致光脉冲展宽,不同波长或模式的光到达接收端的时间不同,引起码间串扰(ISI),限制传输速率和距离(B×L乘积受限)。减小方法:(1)模式色散:采用单模光纤(仅传输基模,无模式色散);(2)材料色散:选择零色散波长(如1.31μm)或色散位移光纤(将零色散点移至1.55μm损耗窗口);(3)波导色散:通过设计光纤折射率分布(如渐变折射率光纤、色散补偿光纤)调整波导色散,抵消材料色散;(4)偏振模色散(PMD):采用保偏光纤或PMD补偿技术(如电域均衡)。4.分析雪崩光电二极管(APD)的倍增机制及噪声来源。答案:倍增机制:APD在高反向偏压下,耗尽区电场极强,光生载流子(电子或空穴)被加速获得足够动能,与晶格碰撞产生新的电子-空穴对(雪崩倍增),形成内部电流增益。倍增因子M定义为输出电流与初始光电流的比值。噪声来源:(1)倍增噪声(过剩噪声):雪崩过程的随机性导致增益波动,噪声功率与M²和过剩噪声系数F(M)相关(F(M)≈M^x,x为材料相关系数,硅x≈0.3,锗x≈0.7);(2)暗电流噪声:无光照时的反向漏电流(包括扩散电流、隧穿电流)产生的散粒噪声;(3)热噪声:负载电阻的热噪声(kTB/R)。5.简述垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构特点及优势。答案:结构特点:(1)谐振腔垂直于衬底(腔长约为波长量级,仅几微米);(2)采用分布布拉格反射镜(DBR)作为谐振腔镜(由多层高低折射率材料交替生长而成,反射率>99%);(3)圆形出光孔径(直径几微米至几十微米)。优势:(1)阈值电流低(<1mA),功耗小;(2)单纵模输出(腔长短,纵模间隔大,仅基模振荡);(3)圆形光束,与光纤耦合效率高(约50%,边发射激光器约10%);(4)可二维集成(阵列化),适用于并行光传输(如数据中心多模光纤链路);(5)制造成本低(可wafer-level测试和封装)。四、计算题(每题10分,共20分)1.某半导体激光器的腔长L=250μm,端面反射率R1=R2=0.3(未镀膜),工作波长λ=1550nm,激活介质的损耗系数α=10cm⁻¹,增益系数g=30cm⁻¹(小信号增益)。(1)计算谐振腔的往返损耗因子γ(考虑端面反射损耗和内部损耗);(2)判断该激光器是否满足阈值条件。解:(1)往返损耗因子γ包括内部损耗和端面反射损耗:内部往返损耗:exp(-2αL)(α为单位长度损耗系数,L为腔长)端面反射损耗:R1×R2(往返两次反射)总损耗因子γ=exp(-2αL)×R1×R2转换单位:α=10cm⁻¹=1000m⁻¹,L=250μm=250×10⁻⁶m=2.5×10⁻⁴m计算内部损耗项:exp(-2×1000×2.5×10⁻⁴)=exp(-0.5)≈0.6065端面反射损耗项:0.3×0.3=0.09总损耗因子γ=0.6065×0.09≈0.0546(2)阈值条件要求小信号增益g满足:g≥α+(1/(2L))ln(1/√(R1R2))(阈值增益公式)或等效为往返增益≥往返损耗,即exp(2gL)×R1R2≥1(增益补偿损耗)计算往返增益:exp(2gL)=exp(2×30cm⁻¹×0.025cm)=exp(1.5)≈4.4817(注意:g=30cm⁻¹,L=250μm=0.025cm)往返增益×反射率=4.4817×0.09≈0.403<1,不满足阈值条件(需≥1)。或用阈值增益公式:阈值增益gth=α+(1/(2L))ln(1/√(R1R2))=10cm⁻¹+(1/(2×0.025cm))ln(1/0.3)=10+(20)×1.2039≈10+24.08=34.08cm⁻¹实际g=30cm⁻¹<gth=34.08cm⁻¹,不满足阈值条件。答案:(1)γ≈0.0546;(2)不满足,实际增益小于阈值增益。2.某单模光纤的损耗系数α=0.2dB/km(1550nm),发射机输出光功率P_tx=2mW,接收机灵敏度P_rx=-30dBm(即能检测的最小光功率)。(1)计算最大传输距离L(忽略色散和非线性效应);(2)若改用损耗系数α=0.15dB/km的光纤,最大传输距离增加多少?解:(1)功率转换:P_tx=2mW=10lg(2mW/1mW)=3dBm传输损耗:αL=P_tx-P_rx=3dBm-(-30dBm)=33dB最大距离L=33dB/0.2dB/km=165km(2)新损耗系数α’=0.15dB/km,L’=33dB/0.15dB/km=220km增加距离=220km-165km=55km答案:(1)165km;(2)增加55km。五、综合分析题(20分)随着5G通信、数据中心和自动驾驶的发展,光电子技术在高速传输、高精度传感中发挥关键作用。请结合具体应用场景,分析光电子器件的选型与性能需求,并举例说明。答案:以5G前传网络为例,其对光模块的需求为“高速率、低功耗、低成本、小尺寸”。前传网络采用CPRI/eCPRI协议,传输速率从10Gbps(5GR15)提升至25Gbps/50Gbps(R16/R17),距离通常为1-10km(光纤直连)或20-40km(带放大器)。器件选型与性能需求:1.光源(激光器):-短距离(<10km)多模光纤(MMF)场景:选择垂直腔面发射激光器(VCSEL),因其低成本、低功耗(<100mW)、圆形光束易耦合MMF,支持25Gbps速率(如850nmVCSEL用于数据中心多模链路)。-长距离(>10km)单模光纤(SMF)场景:选择分布反馈激光器(DFB-LD),其单纵模特性(线宽<1MHz)可抑制色散,支持1550nm波长(损耗低),速率可达50Gbps以上(如25GDFB用于5G前传SMF链路)。2.调制器:-25Gbps以下速率:直接调制激光器(DML)成本低,适用于短距离(<20km),但需控制啁啾(如采用啁啾管理技术,或选择外调制)。-50Gbps及以上速率:必须采用外调制(如马赫-曾德尔调制器MZM),其啁啾可忽略(α参数≈0),支持长距离传输(>40km)。3.探测器:-短距离:PIN光电二极管(响应速度快,噪声低),如25GPI
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