【MOOC】《感测技术》(武汉理工大学)章节作业慕课答案

【答案】《感测技术》(武汉理工大学)章节作业慕课答案

有些题目顺序不一致，下载后按键盘ctrl+F进行搜索第1章绪论第一章单元测验1.单选题：下列指标全部属于静态特性指标的是

选项：

A、线性度、灵敏度、幅频特性

B、相频特性、精度、迟滞

C、时间常数、精度、灵敏度

D、迟滞、重复性、线性度

答案：【迟滞、重复性、线性度】2.单选题：属于传感器静态指标的是

选项：

A、固有频率

B、阻尼比

C、时间常数

D、重复性

答案：【重复性】3.单选题：表示传感器对被测物理量变化的反应能力的指标是

选项：

A、线性度

B、灵敏度

C、重复性

D、精度

答案：【灵敏度】4.单选题：某温度传感器测量范围为+50~+200摄氏度，现发现在100摄氏度处误差最大，误差为3摄氏度，那么其精确度值为___%。

选项：

A、3.0

B、2.0

C、1.5

D、6.0

答案：【2.0】5.单选题：传感器输入逐渐从最小输入值增加到最大输入值，然后逐渐减小到最小输入值时的过程中，同一输入值对应的输出值不相等属于传感器静态特性的哪一种

选项：

A、灵敏度

B、线性度

C、重复性

D、迟滞性

答案：【迟滞性】6.单选题：传感器的输出量通常为

选项：

A、非电量信号

B、电量信号

C、位移信号

D、压力信号

答案：【电量信号】7.单选题：属于传感器动态特性指标的是

选项：

A、通频带

B、灵敏度

C、重复性

D、线性度

答案：【通频带】8.单选题：传感器的动态标定是检验传感器的

选项：

A、频率响应指标

B、相位误差指标

C、延迟时间

D、动态性能指标

答案：【动态性能指标】第2章电阻应变传感器第二章单元测验1.单选题：应变片在接桥时，哪种桥路的输出线性度最差

选项：

A、全桥

B、半桥

C、单臂桥

D、线性度均相同

答案：【单臂桥】2.单选题：应变片在接桥时，哪种桥路的灵敏度最大

选项：

A、单臂桥

B、半桥

C、全桥

D、灵敏度都相同

答案：【全桥】3.单选题：应变片在接桥时，相反应变的应变片接桥臂的

选项：

A、相邻桥臂

B、相对桥臂

C、相邻或相对桥臂

D、同一桥臂

答案：【相邻桥臂】4.单选题：应变片在接入全桥时，相对桥臂

选项：

A、应接入相同应变的应变片

B、应接入相反应变的应变片

C、接入相同应变和相反应变的均可以

D、可不接应变片

答案：【应接入相同应变的应变片】5.单选题：应变片在接桥时，相同应变的应变片应接

选项：

A、相对桥臂

B、相邻桥臂

C、相邻桥臂或相对桥臂

D、任意桥臂

答案：【相对桥臂】6.单选题：影响半导体应变灵敏度系数K的主要因素是

选项：

A、应变片电阻率的变化

B、应变片长度的变化

C、应变片宽度的变化

D、以上都是

答案：【应变片电阻率的变化】7.单选题：影响金属导体应变灵敏度系数K的主要因素是

选项：

A、导体电阻率的变化

B、导体几何尺寸的变化

C、导体物理性质的变化

D、以上都是

答案：【导体几何尺寸的变化】8.单选题：电阻应变片的电阻相对变化ΔR/R与应变ΔL/L=ε之间是线性的，则k=

选项：

A、ΔR/R/ε

B、ΔR/R/L

C、ΔR/R/ΔL

D、ΔR/ΔL

答案：【ΔR/R/ε】9.单选题：下列哪一项是半导体应变片的主要优点

选项：

A、灵敏度高

B、非线性明显

C、温度稳定性高

D、准确度高

答案：【灵敏度高】第3章电感传感器第三章单元测验1.单选题：差动自感式传感器输出的电压信号是

选项：

A、调幅波

B、调频波

C、脉宽调制波

D、脉幅调制波

答案：【调幅波】2.单选题：变气隙式自感传感器适用于测量

选项：

A、量程较小的角位移

B、量程较小的直线位移

C、量程较大的直线位移

D、量程较大的角位移

答案：【量程较小的直线位移】3.单选题：差动变压器输出电压的（）可以表示活动衔铁方向。

选项：

A、有效值

B、最大值

C、频率

D、相位

答案：【相位】4.单选题：采用（），得到的输出信号技能反映位移的大小，也可反应位移的方向，并能消除零点残余电压，改善输出特性。

选项：

A、差动电桥

B、单臂交流电桥

C、带相敏整流的交流电桥

D、变压器电桥

答案：【带相敏整流的交流电桥】5.单选题：电涡流的贯穿深度与线圈激励电流频率成

选项：

A、正比

B、反比

C、平方关系

D、无关

答案：【反比】6.单选题：测量金属厚度，可以采用

选项：

A、自感传感器

B、高频电涡流传感器

C、低频电涡流传感器

D、差动变压器

答案：【低频电涡流传感器】7.单选题：差动变压器是利用两线圈的()实现非电检测

选项：

A、自感变化

B、互感变化

C、涡流变化

D、自感和互感变化

答案：【互感变化】8.单选题：高频电涡流传感器不能检查

选项：

A、铁质材料位移

B、铝质材料位移

C、铜质材料位移

D、塑料材质位移

答案：【塑料材质位移】第4章电容传感器第四章单元测验1.单选题：测量角位移，可采用（）电容传感器。

选项：

A、角位移式变面积型电容传感器

B、直线位移式变面积型电容传感器

C、变极板间距型

D、变极板间介电系数型

答案：【角位移式变面积型电容传感器】2.单选题：测量绝缘物质温度，可采用（）电容传感器。

选项：

A、角位移式变面积型电容传感器

B、直线位移式变面积型电容传感器

C、变极板间距型

D、变极板间介电系数型

答案：【变极板间介电系数型】3.单选题：测量液位高度，可采用（）电容传感器。

选项：

A、角位移式变面积型电容传感器

B、直线位移式变面积型电容传感器

C、变极板间距型

D、变极板间介电系数型

答案：【变极板间介电系数型】4.单选题：测量电介质的厚度，可采用（）电容传感器。

选项：

A、角位移式变面积型电容传感器

B、直线位移式变面积型电容传感器

C、变极板间距型

D、变极板间介电系数型

答案：【变极板间介电系数型】5.单选题：测量谷物湿度，可采用（）电容传感器。

选项：

A、角位移式变面积型电容传感器

B、直线位移式变面积型电容传感器

C、变极板间距型

D、变极板间介电系数型

答案：【变极板间介电系数型】6.单选题：测量电缆芯线的偏心度，可采用（）电容传感器。

选项：

A、角位移式变面积型电容传感器

B、直线位移式变面积型电容传感器

C、变极板间距型

D、变极板间介电系数型

答案：【变极板间距型】7.单选题：测量量程较大的直线位移，可以采用（）电容传感器。

选项：

A、角位移式变面积型电容传感器

B、直线位移式变面积型电容传感器

C、变极板间距型

D、变极板间介电系数型

答案：【直线位移式变面积型电容传感器】8.单选题：测量压力差，可以采用（）电容传感器。

选项：

A、角位移式变面积型电容传感器

B、直线位移式变面积型电容传感器

C、变极板间距型

D、变极板间介电系数型

答案：【变极板间距型】第5章热电传感器第五章单元测验1.单选题：在用热电偶测温度时，连入测量回路的仪表两端温度

选项：

A、必须保持相同

B、可以相同也可以不同

C、必须保持不同

D、分别与热端冷端温度相同

答案：【必须保持相同】2.单选题：热电偶回路总电动势与组成热电偶的两导体

选项：

A、长度有关

B、接触点温度有关

C、直径有关

D、导体中间温度有关

答案：【接触点温度有关】第6章压电传感器第六章单元测验1.单选题：下列哪种元件可以用于制造电子秤

选项：

A、高分子压电材料

B、压电陶瓷

C、金属丝应变片

D、石英晶体

答案：【金属丝应变片】2.单选题：在机械轴方向外力作用下，电介质表面产生电荷的现象称为

选项：

A、纵向压电效应

B、电致伸缩效应

C、横向压电效应

D、逆压电效应

答案：【横向压电效应】3.单选题：在电轴方向外力作用下，电介质表面产生电荷的现象称为

选项：

A、横向压电效应

B、纵向压电效应

C、逆压电效应

D、电致伸缩效应

答案：【纵向压电效应】4.单选题：下列哪种传感器不能用来测量静态力

选项：

A、金属箔应变片

B、半导体应变片

C、金属丝应变片

D、压电元件

答案：【压电元件】5.单选题：两相同压电元件（设两元件的等效电容值相等，电容量为C），在受到相同的力F作用时，输出电荷均为q；如采用串联输出，再次受到力F作用时，等效输出电荷为

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】6.单选题：压电传感器是利用压电材料的（）实现非电检测。

选项：

A、正压电效应

B、压阻效应

C、电致伸缩效应

D、逆压电效应

答案：【正压电效应】7.单选题：两相同压电元件（设两元件的等效电容值相等，电容量为C）采用串联输出时，等效输出电容为

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】8.单选题：两相同压电元件（设两元件的等效电容值相等，电容量为C），在受到相同的力F作用时，输出电荷均为q；如采用并联输出，再次受到力F作用时，等效输出电荷为

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】第7章磁电传感器第七章单元测验1.单选题：霍尔效应中，霍尔电势与

选项：

A、霍尔常数呈正比

B、霍尔元件厚度呈正比

C、磁场呈反比

D、霍尔常数呈反比

答案：【霍尔常数呈正比】2.单选题：霍尔传感器的零位误差主要由哪一项决定

选项：

A、寄生感应电势

B、直流寄生电势

C、温差电势

D、不等位电势

答案：【不等位电势】3.单选题：霍尔传感器将电流和（）的变化转换为霍尔元件的输出电压的变化。

选项：

A、磁场

B、电压

C、压力

D、电场

答案：【磁场】4.单选题：霍尔传感器的输出电压与控制电流强度成

选项：

A、反比

B、无关

C、正比

D、平方关系

答案：【正比】第8章光电传感器第八章单元测验1.单选题：光敏电阻是基于下列哪种效应的光电元件

选项：

A、光电发射效应

B、光电导效应

C、外光电效应

D、光生伏特效应

答案：【光电导效应】2.单选题：下列哪种光电元件的截止频率最高

选项：

A、光敏二极管

B、光敏三极管

C、光电池

D、光敏电阻

答案：【光敏二极管】3.单选题：光电池是基于下列哪种效应的光电元件

选项：

A、外光电效应

B、光生伏特效应

C、光电发射效应

D、光电导效应

答案：【光生伏特效应】4.单选题：光电式转速计不能用下面哪种光源

选项：

A、日光灯

B、发光二极管

C、白炽灯

D、红外光

答案：【日光灯】5.单选题：光敏二级管在进行光电检测时，在电路中工作于

选项：

A、正向导通状态

B、正向截止状态