雨课堂学堂云在线《电子材料性能（长安大学 ）》单元测试考核答案

注：不含主观题第1题单选题(1分)哪些材料不属于电子材料A陶瓷电容器材料B半导体材料C磁性材料D水泥第2题多选题(2分)电子材料根据应用可分为AFunctionalelectronicmaterialsBStructuralelectronicmaterialsCOrganicelectronicmaterialsDInorganicelectronicmaterials正确答案：AB第3题多选题(2分)电子材料及器件在使用过程中需要注意的环境影响都有A温度，压力，或机械因素B化学颗粒及尘埃C霉菌及昆虫D辐射正确答案：ABCD习题第1题判断题(1分)真空状态中没有任何粒子第2题判断题(1分)真空度越高，压强越小第3题判断题(1分)可以使用一种泵直接从大气一直工作到超高真空第4题单选题(1分)影响蒸发速率的最关键参数是A镀料B真空度C蒸发温度D源基距第5题单选题(1分)电阻蒸发源适用于哪种材料的蒸发A难熔金属B非难熔金属C化合物D难熔合金第6题单选题(1分)蒸发源易与发热材料产生化学反应宜采用哪一类形状A丝状B舟状C篮状D坩埚类第7题多选题(2分)电子束蒸发相比电阻蒸发具有的优点有（）A蒸发难熔金属B污染小C热效率高正确答案：AB习题第1题判断题(1分)可以通过溅射的方法对材料的成分进行分析第2题判断题(1分)以一定能量的离子轰击靶材表面，就会发生溅射现象第3题判断题(1分)直流溅射可以用来溅射金属、化合物等靶材第4题多选题(2分)磁控溅射相比直流、射频溅射的优点有（）A低损伤B高沉积速率C低温D系统简单正确答案：ABC第5题多选题(2分)可以采用哪种方法进行化合物半导体的制备（）A直流溅射B磁控溅射C射频溅射D反应溅射正确答案：BCD第6题单选题(1分)靶中毒易发生在哪种溅射技术中A直流溅射B磁控溅射C射频溅射D反应溅射习题第1题判断题(1分)CVD过程中，化学反应只发生在固体表面第2题判断题(1分)CVD沉积需要尾气处理第3题判断题(1分)热CVD可以在耐热性较差的基片上成膜第4题多选题(2分)以下哪种CVD技术具有低温沉积的特点A光CVDBPECVDC热CVDDMOCVD正确答案：AB第5题单选题(1分)以下哪种CVD沉积会引起薄膜损伤A光CVDBPECVDC热CVDDMOCVD第6题单选题(1分)若光吸收波长小于184.7nm，采用光CVD激发方式有A紫外光激发BCO2激发C借助汞原子激发D借助Ar激发习题第1题判断题(1分)有机载体参与厚膜的组成第2题判断题(1分)玻璃软化温度高，则烧结温度高第3题判断题(1分)当浆料印到基板上后，浆料应像液体一样具有很好的流动性第4题多选题(2分)厚膜浆料一般是哪一类的流体A塑流型B触变型C涨流型D牛顿型正确答案：AB第5题单选题(1分)浆料的流变特性主要通过（）调节A功能相B粘接相C有机载体D切应力第6题判断题(1分)印刷后，可直接把浆料置于烘干工艺处理习题第1题判断题(1分)丝网印刷的过程中，浆料流变性始终保持不变第2题判断题(1分)丝网目数越大,图形分辨率越高第3题判断题(1分)丝网印刷的掩模图形是一种正掩模第4题判断题(1分)干燥时升温速率越快越好第5题单选题(1分)溶剂挥发主要发生在哪个阶段A氧化阶段B还原反应阶段C低温预热阶段D膜层凝固阶段第6题单选题(1分)最高烧成温度一般高于玻璃软化点（）℃左右A100B200C350D400第7题多选题(2分)哪个情况可能会导致厚膜中产生气孔A烧成温度过高B烧结气氛C增长保温时间D降温速率提高正确答案：AD习题第1题判断题(1分)经典自由电子理论推导的电子气对金属热容的贡献与实验相符第2题单选题(1分)在能带理论中，哪种状态可以导电A满带B空带C部分占据第3题单选题(1分)以下哪些不属于载流子A电子B原子C空穴D离子第4题判断题(1分)离子晶体中的缺陷对电导有一定贡献第5题多选题(2分)材料的电导率取决于A所带电荷B载流子类型C迁移率D载流子浓度正确答案：ACD习题第1题判断题(1分)材料的电阻率只跟材料本身相关第2题多选题(2分)膜电阻不是一个常数，随（）而变化。A长度B宽度C厚度D电阻率正确答案：CD第3题判断题(1分)所有材料的电阻值总是期望随温度的变化越小越好。第4题单选题(1分)纯金属的电阻率主要是由（）引起的A晶格散射B晶界散射C杂质散射D缺陷散射第5题多选题(2分)薄膜的电阻率受（）影响A晶格散射B晶界散射C杂质散射D缺陷散射正确答案：ABCD第6题单选题(1分)纯金属的电阻率随温度的升高而（）A增大B减小C不变D增大或减小第7题单选题(1分)半导体的电阻率随温度的升高一般呈()趋势。A增大B减小C不变D增大或减小第8题判断题(1分)由于材料内部自由电子不规则的热运动而引起的噪声是热噪声习题第1题单选题(1分)复合薄膜导电材料结构中起导电作用的是（）A顶层B中间层C底层D粘附层第2题多选题(2分)复合薄膜导电材料结构中中间层的作用是（）A导电B粘附C阻止扩散D降低成本正确答案：CD第3题单选题(1分)钛-钯-金薄膜结构中钛的作用是（）A导电B粘附C阻止扩散D降低成本第4题单选题(1分)镍铬-铜-钯-金结构中铜的主要作用是（）A导电B粘附C阻止扩散D降低成本第5题判断题(1分)透明导电材料的透过率与材料的禁带宽度有关。第6题判断题(1分)ZnO:Al由于无毒、储量丰富等性能优于ITO。习题第1题单选题(1分)厚膜浆料的电性能由（）决定A功能相B粘接相C有机载体D触变剂第2题多选题(2分)导体膜与基片的键合主要类型有（）A玻璃键合B氧化物键合C玻璃氧化物混合键合D离子键合正确答案：ABC第3题单选题(1分)贵金属导体浆料Ag在使用中的主要问题是（）A导电性差B成本高C银离子迁移D润湿性差第4题判断题(1分)贵金属Ag导体浆料可以通过添加适量Pd改善其迁移问题。第5题判断题(1分)贵金属导体浆料Au的粘接类型只有玻璃型。第6题多选题(2分)如何改善Au导体附着性问题A加入PtB加入PdC制成无釉导体D添加Bi2O3正确答案：ABC第7题单选题(1分)贱金属导体材料Cu中使用中的主要问题是（）A导电性差B成本高C离子迁移D易氧化第8题判断题(1分)贱金属导体材料Al对PTC热敏电阻瓷体具有良好的欧姆接触特性，可作为其电极材料。习题第1题判断题(1分)碳膜的实际结构与石墨一样第2题判断题(1分)硅碳膜中SiO2可以增加了硅碳膜对基体的附着力，并使整个膜层的电阻率增大第3题单选题(1分)锡锑氧化膜中锑的掺入使氧化锡的导电率（）A增大B减小C不变D先增大后减小第4题单选题(1分)锑含量含量较高时，锡锑氧化膜电导率减小的原因是（）A锑空位B锑间隙原子C锑置换原子D锡空位第5题判断题(1分)一定条件下电阻率近似与铬含量成指数关系，故铬含量约高性能越好。第6题单选题(1分)采用哪种制备工艺，镍铬合金会出现分馏现象A溅射法B真空蒸发法C升华蒸发法D瞬间快速蒸发法第7题单选题(1分)Pd-Ag贵金属电阻浆料常用电阻的范围是（）A小于1Ω/(□/25.4um)B大于100kΩ/(□/25.4um)C几Ω/(□/25.4μm)~100kΩ/(□/25.4μm第8题判断题(1分)Pd-Ag电阻在还原性气氛下阻值会大幅度降低，钌系厚膜电阻可在大气中烧成。习题第1题判断题(1分)在一定温度下，直流电阻为零是判断超导体的唯一标准。第2题单选题(1分)1911年，卡末林昂纳斯在（）材料中首先发现了超导特性AAuBAlCHgDFe第3题单选题(1分)1911年至今，超导材料和理论相关的诺尔奖有（）个A1B2C4D5习题第1题多选题(2分)超导材料的主要特性有ACompleteconductivityBMeissnereffectCJosephsoneffectDIsotopiceffect正确答案：ABCD第2题多选题(2分)以下哪些是超导材料的基本临界参数A临界电压B临界温度C临界磁场D临界电流正确答案：BCD第3题填空题(2分)超导体在磁场中的磁化行为可以分为____和____正确答案：:["第I类超导体"]正确答案：:["第II类超导体"]第4题单选题(1分)以下哪个设备或器件没有用到超导材料AIpadB核磁共振波谱仪C磁悬浮列车D量子干涉器件习题第1题多选题(2分)常压下具有超导特性的单质ACuBMgCVDAl正确答案：CD第2题多选题(2分)低温超导体包括A元素超导体B合金超导体C化合物超导体D铜基氧化物超导体正确答案：ABC第3题多选题(2分)化合物超导体的特点有A临界温度高B第二类超导体C临界磁场高D脆、难加工正确答案：ACD习题第1题多选题(2分)铜基氧化物超导材料的特性有A在正常态是都不良导体B属于第一类超导体C各向异性D具有钙钛矿层状结构正确答案：ACD第2题多选题(2分)铜基氧化物超导材料的性能描述正确的有A临界温度高B临界磁场高C载流能力强D脆性大，强度低正确答案：ABD第3题多选题(2分)铁基超导体的结构类型有A122型B11型C111型D1111型正确答案：ABCD习题第1题单选题(1分)与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。A比绝缘体的大B比绝缘体的小C和绝缘体的相同第2题单选题(1分)对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减少掺杂浓度，费米能级会（）。A上移B下移C不变第3题单选题(1分)受主杂质电离、施主杂质电离、本征激发后分别向半导体提供（）。A电子和空穴、空穴、电子B电子、电子和空穴、空穴C电子、空穴、电子和空穴D空穴、电子、电子和空穴第4题单选题(1分)在热平衡状态时，P型半导体的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。A杂质浓度和温度B温度和禁带宽度C杂质浓度和禁带宽度D杂质类型和温度第5题单选题(1分)本征半导体是指（）的半导体。A不含杂质和缺陷B电阻率最高C电子密度和空穴密度相等D电子密度与本征载流子密度相等第6题单选题(1分)在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）。A在禁带中线处B靠近导带底C靠近价带顶D以上都不是第7题单选题(1分)如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。A施主B复合中心C陷阱D两性杂质第8题单选题(1分)对应于P型半导体，平衡状态时，多子、少子和本征载流子之间相互关系为（）。An0>p0>niBp0>n0>niCp0>ni>n0Dn0>ni>p0第9题多选题(2分)半导体的晶格结构类型包括哪些（）。A金刚石型B闪锌矿型C纤锌矿型D石墨型正确答案：ABC第10题多选题(2分)在硅、锗中掺杂Ⅲ族元素，以下描述正确的是（）。AⅢ族元素在硅、锗中电离过程接受电子BⅢ族元素在硅、锗中电离产生导电空穴CⅢ族元素在硅、锗中电离后并形成正电中心D此类杂质半导体为依靠价带空穴导电的P型半导体正确答案：ABD习题第1题单选题(1分)空间电荷极化是______电介质在电场作用下的一种主要的极化形式。A不均匀B均匀第2题多选题(2分)下列介质极化形式，哪些属于缓慢极化？A电子位移极化B离子位移极化、C偶极子取向极化D空间电荷极化正确答案：CD第3题填空题(2分)在外电场作用下，电介质内部沿电场方向产生____，在电介质表面出现____的现象称为电介质的极化。正确答案：:["感应偶极矩"]正确答案：:["极化电荷"]习题第1题多选题(2分)BaTiO3瓷半导化的途径有哪些？A施主掺杂法B强制还原法CAST法D氧化法正确答案：ABC第2题判断题(1分)聚合物薄膜电容器是常用的宽频电容器。第3题判断题(1分)二氧化钛及钛酸盐类是十分重要的温度补偿型陶瓷介电材料。习题第1题多选题(2分)衡量压电材料性能的参数有哪些？A压电系数B机电耦合系数C机械品质因数D频率系数正确答案：ABCD第2题填空题(2分)压电材料可以实现机械能和电能之间的相互转换。压电材料的压电效应包括正压电效应和逆压电效应。由机械效应转换成电效应的过程称为____，电效应转换成机械效应的过程称为____。正确答案：:["正压电效应"]正确答案：:["逆压电效应"]第3题填空题(1分)具有压电性的必要条件是晶体不具有____。正确答案：:["对称中心"]习题第1题多选题(2分)优异的热释电材料要满足以下哪些性能？A介电常数适中B介电损耗小C热释电系数大D热膨胀系数小正确答案：ABCD第2题填空题(2分)热释电效应产生的必要条件是具有____和存在唯一____。正确答案：:["自发极化"]正确答案：:["极轴"]第3题填空题(1分)当某些压电晶体温度发生变化时，晶体内的____会发生改变，在晶体两端面内产生大小相等、符号相反的电荷，这种现象称为热释电效应正确答案：:["自发极化"]习题第1题单选题(1分)现在普遍认为钛酸钡的自发极化是由于晶胞中钛离子的（）造成的。A位移B有序无序排列第2题填空题(2分)铁电材料具有____，且其极化强度可以随外电场转向而转向，从而出现____，正确答案：:["自发极化"]正确答案：:["电滞回线"]第3题填空题(1分)铁电体自发极化并非整体晶体同向，而是包含各个不同方向的自发极化小区域，在此小区域极化方向相同、存在一固有电矩，这个小区域称为____。正确答案：:["电畴"]习题第1题填空题(2分)微波指频率介于____，波长介于____的电磁波。正确答案：:["300MHz~3000GHz"]正确答案：:["1m-1mm"]第2题单选题(1分)中频微波介质陶瓷主要用于______频率范围内的介质谐振器件。A4~8GB0.8-4GC8-30G第3题多选题(2分)在微波电路中评价微波陶瓷介电性能的参数主要有（）A介电常数B品质因数C频率温度系数D频率系数正确答案：ABC习题第1题判断题(1分)磁性是一种比较少见的在少数地方得到应用的现象第2题判断题(1分)原子核运动不产生磁矩第3题判断题(1分)现代科学认为物质的磁性来源于组成物质中原子的磁性第4题判断题(1分)构成一种物质的原子磁矩不为零，这种物质就有磁性习题第1题单选题(1分)以下描述是按磁化率对磁性进行分类的是A完全抗磁性B顺磁性C旋磁性D压磁性E8.2第2题单选题(1分)下面描述的是铁磁性的特征的是A自发磁化B奈耳温度C弱磁性D过渡族元素的盐类及化合物E8.2第3题单选题(1分)以下公式正确的是ABCD习题第1题判断题(1分)强磁性材料随着所加外磁场的增大，磁化强度或磁感应强度可以一直增大第2题判断题(1分)强磁性材料在经过反复磁化后，当撤去外磁场后，磁化强度或磁感应强度不为零第3题判断题(1分)矫顽力是使磁化强度或磁感应强度为零时所加的反方向磁场第4题判断题(1分)不同磁滞回线的形状代表的磁性能相同第5题判断题(1分)软磁材料是容易被磁化但不容易退磁的材料第6题判断题(1分)软磁材料的磁滞回线窄而长第7题判断题(1分)对软磁材料的要求是起始磁导率μi高，磁损耗高第8题判断题(1分)软磁材料按磁化率分为金属软磁材料和铁氧体软磁材料第9题判断题(1分)金属软磁材料用于频率较高的场合，铁氧体软磁材料用于频率较低的场合第10题单选题(1分)永磁材料也叫什么材料？A铸造永磁材料B铁氧体永磁材料C硬磁材料D半永磁材料E8.3第11题单选题(1分)永磁材料的磁感应强度矫顽力要大于多少？A（8-80）A/MB(80-800）A/MC(800-8000)A/MD(8000-80000)A/ME8.3第12题单选题(1分)下面代表永磁材料储能特性的是A居里温度B磁感应强度矫顽力C最大磁能积D剩余磁感应强度E8.3第13题单选题(1分)取一块电饭锅用的感温铁氧体，使它与一块小的永磁铁吸在一起，用功率较大的电烙铁给铁氧体加热，经过一段时间后会发生什么现象?A感温铁氧体变红，与永磁铁吸在一起B感温铁氧体颜色不变，与永磁铁分离C不发生任何现象D8.3习题第1题判断题(1分)磁记录原理就是用磁头信息磁场去磁化磁记录介质，磁记录介质的磁化状态能够反应磁头信息的变化第2题单选题(1分)以下描述磁头材料具有的特征的是A高磁导率B高矫顽力C低电阻率D8.4第3题单选题(1分)以下不能做磁头材料的是AMnZn铁氧体BNiFe合金CFeSiAl合金DFe粉E8.4习题第1题判断题(1分)磁制冷原理主要是利用磁卡效应：等温磁化时吸收热量，绝热退磁时放出热量第2题判断题(1分)磁制冷采用永磁体、电磁体和超导磁体，而不用压缩机制冷第3题判断题(1分)典型的磁光效应有塞曼效应、法拉第效应和克尔效应第4题判断题(1分)互易性为电磁波沿正反向传播通过介质后具有不同的效能第5题判断题(1分)隔离器的作用为在线路的适当位置放置的允许正向光通过，阻止反向杂散光对光源造成干扰的无源非互易性器件习题第1题填空题(2分)1．固体发光材料通常由____和____组成。正确答案：:["基质"]正确答案：:["激活剂"]第2题判断题(1分)1.一切光辐射都是发光。第3题判断题(1分)2.特征型发光材料的发光仅和发光中心内的电子跃迁有关。习题第1题填空题(2分)

电致发光器件可分为____和

____两类。正确答案：:["本征型发光"]正确答案：:["注入式发光"]第2题填空题(3分)电致发光按形态可以分为____、____和

____。正确答案：:["结型"]正确答案：:["薄膜"]正确答案：:["粉末"]第3题判断题(1分)电致发光无热辐射产生,是一种主动发光型的冷光源。第4题判断题(1分)ZnO具有很高的激子结合能，不能实现室温甚至更高温度下的激子受激紫外辐射发光。第5题判断题(1分)砷化镓属于直接跃迁型材料，可以发射900nm左右的近红外光。习题第1题填空题(3分)1.光致发光一般要经历____、____和____等三个主要过程。正确答案：:["吸收"]正确答案：:["能量传递"]正确答案：:["光发射"]第2题填空题(2分)3.上转换发光的机理一般包括____和____。正确答案：:["激发态吸收"]正确答案：:["能量传递上转换"]第3题判断题(1分)1.长余辉发光材料不属于电子俘获材料，其发光现象是陷阱能级所致。第4题判断题(1分)2.基质材料一般不构成发光能级，但能为激活离子提供合适晶体场。正确第5题判断题(1分)3.上转换发光是一种反stocks发光，即辐射的能量大于所吸收的能量。习题第1题判断题(1分)1.激光具有方向性好、单色性好、相干性差的特点。第2题判断题(1分)2.Nd玻璃几乎能在所有的无机玻璃中产生荧光。第3题判断题(1分)3.硅酸盐玻璃具有荧光寿命较短、量子效率较低的特性。第4题判断题(1分)4.激光透明陶瓷制备周期短、成本低，可以大批量生产。第5题判断题(1分)5.掺Nd的YAG晶体属于四能级系统，晶体的效率和光束破坏阈值较高，但热导性较差。习题第1题填空题(2分)2.单晶光电池的材料主要有____和____。正确答案：:["硅"]正确答案：:["砷化镓"]第2题填空题(1分)3.染料敏化太阳能电池的工作原理是____。正确答案：:["光电化学过程"]第3题判断题(1分)1.可被制成柔性可卷曲形状是薄膜太阳能电池的特点之一。第4题判断题(1分)2.染料敏化太阳能电池的生产成本最低，有望实现产业化。第5题判断题(1分)3.砷化镓具有合适的光学带隙和较高的吸收效率，其电池价格低廉，容易普及。第6题判断题(