雨课堂学堂在线学堂云《IGBT模块：技术、驱动和应用（上海海大 ）》单元测试考核答案

注：不含主观题第1题多选题(2分)FF200R12KT4的两个相邻功率端子之间的电气绝缘()A爬电距离不得低于13mmB如果具有加强绝缘爬电距离可以减少。C电气间隙不得低于10mm。D不用考虑电气间隙。正确答案：ABC第2题多选题(2分)IGBT是()的复合?ABJTBDiodeCMOSFETDSCR正确答案：AC第3题多选题(2分)SiC二极管的特点()A不存在反向恢复电流B反向恢复电流很大C工作结温可以高于200℃D工作结温不可以高于200℃正确答案：AC第4题多选题(2分)载流子的产生方式()A光子B高能粒子C碰撞电离D紫外线正确答案：ABC第5题多选题(2分)FF200R12KT4属于()IGBT?AFSIGBTBTrenchIGBTCTrench-FSIGBTDCSTBT正确答案：ABC器件结构第1题多选题(2分)DCB衬底的组成()?A绝缘陶瓷。B覆铜C铜基板D铝箔正确答案：AB第2题多选题(2分)与铝线键合相比,铜线键合的优点()A更低的电阻率B更优异的导热性C成本更低D技术更容易实现正确答案：AB第3题多选题(2分)烧结效应()A适用于可分离的连接。B适用于条件可分离的连接。C有利于降低接触电阻。D不可分离的电气连接。正确答案：AC第4题多选题(2分)压接技术的特点()A有条件可分离。B拆下的PCB还可以压接。C拆下的IGBT不可再压接。D是一种冷焊连接。正确答案：ABCD第5题多选题(2分)压接式IGBT的特点()A单面冷却。B双面冷却。C散热器需要绝缘。D适用于大功率场合。正确答案：BCDIGBT电气特性第1题多选题(2分)IGBT关断时间包括()A开通延时B关断延时C电流下降时间D米勒时间正确答案：BC第2题判断题(1分)对于IGBT器件,双脉冲实验可以测试其热特性。()第3题判断题(1分)对于半桥IGBT模块可以作为一个被测对象进行双脉冲实验。()第4题判断题(1分)双脉冲测试可以测试换流回路中的杂散电感。()第5题判断题(1分)可以通过双脉冲测试IGBT的开关损耗。()第6题多选题(2分)对于结温Tvj,下述表述正确的有()A用于标定结对壳热阻B作为设计工作结温的依据C不是某个点的温度D可以作为设计器件散热的参考正确答案：ABCD第7题多选题(2分)影响二极管关断特性的因素()A结温B测量工具C直流母线电压D电流变化率正确答案：ACD第8题多选题(2分)IGBT短路分为两类()AI型短路BIII型短路CII型短路D过流短路正确答案：AC热特性第1题多选题(2分)热传递的基本形式包括()A对流B传导C液冷D辐射正确答案：ABD第2题多选题(2分)IGBT模块基板通常采用的材料有()AAlSiCB铝C铜D银正确答案：BC第3题多选题(2分)常用于IGBT模块绑定线的材料有()A铜BAlSiCC铝D银正确答案：AC第4题多选题(2分)常用于IGBT模块绝缘陶瓷的材料有()AAl2O3B铜CAlNDAlSiC正确答案：AC第5题多选题(2分)IGBT模块常用的散热方式()A不需要冷却B强制风冷C液冷D直接风冷正确答案：BCD第6题多选题(2分)IGBT模块常用的散热器材料()A铜B铝C铁D紫铜正确答案：ABD数据手册第1题判断题(1分)IGBT模块,其端子和芯片的标称电流可能会不一致。()第2题判断题(1分)数据手册中给出的开关损耗都是在给定的条件下测试获得。()第3题判断题(1分)数据手册中给出的IGBT开通时间都是在给定的条件下测试获得。()第4题判断题(1分)数据手册中给出的IGBT关断时间都是在给定的条件下测试获得。()第5题判断题(1分)数据手册中给出的IGBT模块的热阻都是在给定的条件下测试获得。()IGBT驱动第1题多选题(2分)寄生开通包括()A雪崩击穿B米勒开通C射极的杂散电感引起寄生开通D热击穿正确答案：BC第2题多选题(2分)导致米勒开通的原因()A电压变化率太大B米勒电容CIGBT开通太快D电流变化率较大正确答案：AB第3题多选题(2分)N沟道推挽驱动器()A需要二个N沟道器件B实现正负电压驱动C控制较简单D需要一个电平转换器正确答案：ABCD第4题多选题(2分)驱动器功率受到()的影响A开关频率B器件栅极电容C驱动电源电压D外接栅极电容正确答案：ABCD第5题多选题(2分)增大开通电阻()A对开通损耗无影响B关断损耗增加C二极管反向恢复损耗减小D开通损耗增加正确答案：CD第6题多选题(2分)IGBT外接栅极电容()A开通时电压变化率降低B开通延时变大C不影响IGBT开通特性D开通损耗增大正确答案：ABD第7题多选题(2分)增大栅极回路杂散电感()AIGBT开通过程加快B损耗降低C可能会导致振荡D不影响开关特性正确答案：ABC第8题多选题(2分)退饱和保护()A退饱和保护动作时间要低于10usB退饱和电路多次动作不会损坏C退饱和电路不适用于IGBT的短路保护D退饱和电路不适用于负载的过流保护正确答案：ABD第9题多选题(2分)栅极钳位()A栅极钳位是为了避免IGBT的GS之间承受过高电压B栅极钳位可以采用TVSC栅极钳位可以采用稳压二极管D可以通过二极管把栅极电压钳位到栅极电源电压正确答案：ABCD第10题多选题(2分)光电耦合器()A适用于高压IGBT驱动B通过光耦实现电气隔离C存在老化问题D存在时间传输延时问题正确答案：BCD第11题多选题(2分)无芯脉冲变压器()A可以实现电气隔离B不存在老化问题C时间传输延时比较稳定D适用于低压IGBT器件正确答案：ABCD第12题多选题(2分)光纤传输信号()A可以柔性布线B没有EMC问题C适合长距离传输D电气隔离能力优异正确答案：ABCD第13题多选题(2分)IGBT栅极驱动器的类型包括()A脉冲驱动B电压源驱动C电流源驱动D线性电流驱动正确答案：BC第14题多选题(2分)射极跟随器作为栅极驱动器()A需要两个开关器件B实现正负电压驱动C控制较简单D用BJT作为开关器件,需要考虑其饱和压降正确答案：ABCD第15题多选题(2分)MOSFET推挽栅极驱动器()A需要N沟道和P沟道开关器件各一个B实现正负电压驱动C控制较简单D用MOSFET作为开关器件,损耗低正确答案：ABCD第16题多选题(2分)MOSFET源极跟随器()A需要N沟道和P沟道开关器件各一个B实现正负电压驱动C控制较简单D需要二个电平转换器正确答案：ABCD第17题多选题(2分)IGBT常用的电气隔离方式()A不隔离B变压器隔离C光纤D光耦隔离正确答案：BCD实际应用中的开关特性第1题多选题(2分)影响IGBT开关速度的有()A开通速度受续流二极管换流的限制(SiC续流二极管除外)B关断过程的限制因素是IGBT的阻断能力C栅极电阻D栅极功率正确答案：AB第2题多选题(2分)与死区时间有关的包括()A开通延时B关断延时C电流下降时间DPWM信号传输延时正确答案：ABCD第3题多选题(2分)变换器的开关频率受到()制约AIGBT开关速度B死区时间C损耗D散热条件正确答案：ABCD第4题多选题(2分)开关损耗与()有关A开关频率B开通能量C关断能量D开关时间正确答案：ABC第5题多选题(2分)IGBT控制电压()A5V关断B0V关断C-5~-15关断D15~20V开通正确答案：BCDigbt并联第1题判断题(1分)IGBT的门槛电压对其动态均流特性影响较大。()第2题多选题(2分)IGBT并联需要考虑()A静态特性B动态特性C损耗D效率正确答案：AB第3题多选题(2分)IGBT模块动态并联注意事项()A杂散电感B开通时间C关断时间D栅-射之间门槛电压正确答案：ABCD第4题多选题(2分)直接栅极并联驱动()A驱动电压相同B发射极接入电阻避免振荡C可以加入共轭线圈抑制振荡D需要多个驱动电源正确答案：ABC第5题多选题(2分)隔离栅极驱动并联注意事项()A变压器隔离B无芯变压器隔离C确保驱动电压一致D注意传输延时正确答案：ABCD第6题判断题(1分)对于IGBT模块并联,可以通过外接电感提升器件之间的动态均流特性。()振荡第1题判断题(1分)IGBT的内部栅极电阻不会影响其短路振荡。()第2题判断题(1分)提升门槛电压,可以降低IGBT短路振荡的可能性。()第3题判断题(1分)IGBT的内部栅极电阻可以影响其关断振荡。()第4题判断题(1分)IGBT的CGC和高CGE可以影响其关断振荡。()第5题判断题(1分)IGBT的拖尾振荡频率可能超过200MHz。()基本电路第1题多选题(2分)对于交-交变流器下面描述正确的有()A晶闸管可以构成交-交变流器B矩阵式变流器是一种交-交变流器C交-交变流器不存在直流环节D交-交变流器可以提高系统的效率正确答案：ABCD第2题多选题(2分)对于矩阵式交-交变流器下面描述正确的有()A控制简单B电网电流为正弦C功率因数接近于1D可以降低输入滤波器的成本正确答案：BCD第3题判断题(1分)H桥直流变换器可以实现四象限运行。()第4题判断题(1分)矩阵式交-交变流器功率因数接近于1。()第5题判断题(1分)直接矩阵式交-交变流器需要四象限器件。()第6题多选题(2分)换流方式包括()A电网换流B负载换流C全控器件换流D强迫换流正确答案：ABCD第7题多选题(2分)整流电路包括()A可控整流B不可控整流CPWM整流D同步整流正确答案：ABC第8题多选题(2分)PWM整流的特点()A网侧功率因数接近1B电流谐波含量有明显减少C电能的双向传输D需要全控型器件正确答案：ABCD第9题多选题(2分)直流斩波电路()A不可以工作于CCMB可以工作于DCMC可以工作于CCMD不可以工作于DCM正确答案：BC第10题多选题(2分)逆变包括()AAC/DCBDC/DCC有源逆变D无有源逆变正确答案：CD逆变器设计第1题判断题(1分)共模滤波器必须采用X电容。()第2题判断题(1分)IGBT的熔断器一般选择超快速熔断器。()第3题判断题(1分)熔断器断开后两端工作电压可以高于熔断器额定电压。()第4题判断题(1分)当使用滤波电路时,确保短路电流足够高能够使熔断器熔断。()第5题判断题(1分)逆变器的输出滤波器可以是正弦波滤波器。()第6题判断题(1分)Y电容可以代替X电容。()第7题多选题(2分)