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文档简介
智能工程学院模拟电子技术10.1
半导体的基本知识10.1.1半导体的导电特征10.1.2N型半导体和P型半导体半导体—导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体—纯净的单晶半导体。如硅、锗单晶体。+4+4+4+4硅(锗)的原子结构Si284Ge28184简化模型+4惯性核硅(锗)的共价键结构价电子自由电子(束缚电子)空穴空穴空穴可在共价键内移动10.1.1半导体的导电特征本征激发：复合：
自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。漂移：自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。
在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。两种载流子电子(自由电子)空穴两种载流子的运动自由电子(在共价键以外)的运动空穴(在共价键以内)的运动半导体的导电特征IIPINI=IP+IN+–电子和空穴两种载流子参与导电
在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形成电子电流IN
。空穴顺着电场方向移动，形成空穴电流IP
。
结论:1.本征半导体中电子空穴成对出现,且数量少；
2.半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；
3.本征半导体导电能力弱，并与温度、光照等外界条件有关。10.1.2N型半导体和P型半导体
本征半导体中由于载流子数量极少，导电能力很弱。如果有控制、有选择地掺入微量的有用杂质（某种元素），将使其导电能力大大增强，成为具有特定导电性能的杂质半导体。一、N型半导体在硅或锗的晶体中掺入五价元素磷。N型磷原子自由电子电子为多数载流子空穴为少数载流子载流子数
电子数+5+4+4+4+4+4正离子多数载流子少数载流子N型半导体的简化图示P型硼原子空穴空穴
—
多子电子
—
少子载流子数
空穴数一、P型半导体在硅或锗的晶体中掺入三价
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