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2025年高职表面工程技术(真空镀膜技术)试题及答案
(考试时间:90分钟满分100分)班级______姓名______第I卷(选择题,共30分)答题要求:本卷共10小题,每小题3分。在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的。1.真空镀膜技术中,真空度的单位通常是A.帕斯卡B.毫米汞柱C.托D.以上都是2.以下哪种气体不属于真空镀膜中常用的工作气体A.氩气B.氮气C.氧气D.氢气3.电子束蒸发镀膜时,电子束的产生是通过A.热发射B.场发射C.二次电子发射D.光发射4.溅射镀膜中,溅射粒子的能量主要取决于A.溅射气体的压力B.靶材的材质C.溅射电压D.溅射时间5.真空镀膜设备中,用于测量真空度的仪器是A.热偶规B.电离规C.电阻规D.以上都是6.蒸发源材料的选择不需要考虑的因素是A.熔点B.蒸气压C.化学稳定性D.颜色7.离子镀膜过程中,离子轰击基片的作用不包括A.清洁基片表面B.提高膜层附着力C.改变膜层结构D.降低镀膜速率8.多层膜的设计主要是为了A.增加膜层厚度B.提高膜层硬度C.实现不同功能的组合D.降低镀膜成本9.真空镀膜技术在以下哪个领域应用较少A.光学B.电子C.食品包装D.机械制造10.以下关于真空镀膜技术的发展趋势,说法错误的是A.向更高真空度发展B.向低温镀膜方向发展C.向单一功能膜发展D.向大规模工业化生产发展第II卷(非选择题,共70分)二、填空题(共15分)答题要求:本大题共5小题,每空1分。请将答案填写在题中的横线上。1.真空镀膜技术主要包括物理气相沉积和________________。2.蒸发镀膜的基本原理是将镀膜材料加热至________________,使其蒸发成气态,然后沉积在基片表面形成薄膜。3.溅射镀膜中,溅射原子的平均自由程与________________和气体压力有关。4.离子镀膜过程中,离子源产生的离子主要是通过________________加速后轰击基片和镀膜材料。5.真空镀膜设备的真空系统主要由真空泵、________________和真空管道组成。三、简答题(共20分)答题要求:简要回答问题,条理清晰,语言简洁。1.简述真空镀膜技术的优点。(8分)2.电子束蒸发镀膜有哪些特点?(6分)3.溅射镀膜的工艺过程包括哪些步骤?(6分)四、材料分析题(共15分)答题要求:阅读材料,回答问题。材料:在某真空镀膜工艺中,采用磁控溅射法在玻璃基片上镀制一层透明导电薄膜。镀膜过程中,发现膜层的方块电阻较大,影响了薄膜的导电性能。经过分析,发现溅射功率不足是导致问题的主要原因。1.请分析溅射功率不足对膜层导电性能产生影响的原理。(7分)2.为了提高膜层的导电性能,可采取哪些措施?(8分)五、综合应用题(共20分)答题要求:结合所学知识,解决实际问题。某企业计划采用真空镀膜技术在塑料外壳上镀一层金属膜,以提高外壳的美观度和耐腐蚀性。请你设计一个简单的真空镀膜工艺流程,并说明各步骤的作用和注意事项。(20分)答案:一、选择题1.D2.D3.A4.C5.D6.D7.D8.C9.C10.C二、填空题1.化学气相沉积2.蒸发温度3.气体种类4.电场5.真空阀门三、简答题1.优点:可在各种形状的基片上镀膜;可精确控制膜层厚度和成分;膜层质量高,附着力强;可实现多种功能膜的制备;镀膜过程清洁,无污染。2.特点:蒸发速率高,可镀制高熔点材料;膜层纯度高;可实现多层膜的精确控制;设备复杂,成本较高。3.工艺过程:抽真空;预溅射清洁基片表面;引入溅射气体;产生等离子体;溅射原子沉积在基片表面形成薄膜。四、材料分析题1.溅射功率不足会导致溅射原子的能量较低,沉积速率变慢,膜层结构疏松,原子间结合力弱,从而使膜层的电导率降低,方块电阻增大。2.措施:提高溅射功率;优化溅射气体的流量和压力;适当提高基片温度;延长溅射时间;检查溅射靶材是否损耗严重,如有需要及时更换。五、综合应用题工艺流程:塑料外壳预处理(清洁、脱脂、粗化)→装入真空镀膜设备→抽真空至高真空度→加热基片→引入氩气等工作气体并产生等离子体→开启金属蒸发源,蒸发金属材料沉积在塑料外壳表面→镀膜结束后,
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