沟道穿通效应课件_第1页
沟道穿通效应课件_第2页
沟道穿通效应课件_第3页
沟道穿通效应课件_第4页
沟道穿通效应课件_第5页
已阅读5页，还剩22页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

沟道穿通效应课件单击此处添加副标题汇报人：XX目录壹沟道穿通效应基础贰沟道穿通效应原理叁沟道穿通效应实验肆沟道穿通效应案例分析伍沟道穿通效应的计算方法陆沟道穿通效应的预防与控制沟道穿通效应基础第一章定义与概念穿通效应影响势垒降低，电流增大穿通效应定义源漏耗尽区相连通0102形成条件沟道掺杂低，耗尽区易扩展至穿通。低掺杂浓度VDS增加，漏极耗尽区变宽，易合并。高漏源电压沟道长度减小，源漏耗尽区易接触。短沟道器件应用领域超大规模集成沟道穿通效应是VLSI设计中需重视的问题。半导体器件优化通过技术改进，减少沟道穿通，提升器件性能。沟道穿通效应原理第二章物理机制栅压低时，源漏极形成耗尽区。耗尽区形成漏压增，耗尽区扩展至合并，形成低阻路径。耗尽区合并数学模型空间电荷限制描述沟道穿通时电流，与源漏电压平方成正比，与沟长立方成反比。阈值电压变化沟道穿通导致阈值电压降低，影响器件性能。影响因素较短的沟道增加穿通风险。沟道长度低掺杂浓度易致穿通。掺杂浓度沟道穿通效应实验第三章实验设备KeysightB1500A，支持多种测量模式。半导体参数仪CascadeSummit，支持晶圆级测试。探针台HitachiSU82000，高分辨率沟道形貌表征。扫描电镜010203实验步骤01准备实验材料离子注入设备、单晶片、探测器等。02进行离子注入沿晶体主晶轴方向注入离子，观察沟道效应。数据分析分析不同条件下阈值电压的稳定性，评估沟道穿通效应的影响。阈值电压变化01对比实验前后漏电流的增长情况，探究沟道穿通与漏电流的关系。漏电流增长02沟道穿通效应案例分析第四章典型案例漏极应力下热电子诱导穿通，导致漏电流增加。短沟道pMOSFET尺寸缩小时产生穿通，1.4μm间距下击穿电压>20V。沟槽MOSFET效应表现沟道穿通导致源漏间势垒降低，形成大电流。势垒显著降低栅压无法控制电流，关态漏电流显著增加。栅控失效漏电流增解决方案01优化器件结构调整沟道长度和掺杂浓度，增强器件对电压的控制能力。02采用隔离技术使用浅槽隔离等技术减少衬底与沟道间的电容耦合，降低穿通风险。沟道穿通效应的计算方法第五章计算公式穿通电流Jsp受空间电荷限制，与栅压控制沟道电流并联。穿通电流公式01载流子漂移速度与电场相关，达饱和后影响器件性能。速度饱和公式02参数确定01碰撞参数确定离子碰撞的随机性或规则性。02临界角参数测量退沟道效应，确定沟道束转随机束的临界条件。计算实例利用源漏电压与沟道长度的关系计算空间电荷限制电流。空间电荷限制01通过仿真比较不同结构MOSFET的阈值电压稳定性，评估抗穿通能力。阈值电压稳定性02沟道穿通效应的预防与控制第六章预防措施使用多栅极架构、SOI衬底，改善栅极控制，减少穿通效应。优化器件结构增加沟道区掺杂浓度，减少耗尽区宽度，防止合并。掺杂控制控制技术01非晶层覆盖在硅片表面注入非晶材料，如SiO，形成非晶层，打乱离子注入方向。02晶圆倾斜注入将晶圆倾斜5-10度进行离子注

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论