用微课学模拟电子技术项目教程第2版周继彦课后答案

项目1思考与训练一、判断对错1.√2.×3.√二、单项选择题1.A2.C3.A4.C5.C6.A7.B三、分析题1.分析如下：二极管导通，Uo1=1.3V；二极管截止，Uo2=0V；二极管导通，Uo3=-1.3V；二极管截止，Uo4=2V；二极管导通，Uo5=1.3V；二极管截止，Uo6=-2V；5uo（V）-525u5uo（V）-525uo（V）-5-2wtuo（V）-5wta）b）wt

项目2思考与训练一、判断对错1.√2.×3.√4.×5.√6.×7.√二、单项选择题1.A2.C3.C4.A三、计算题1.解：a）稳压管稳压，UO1=6V；b）稳压管不能正常稳压，截止，UO2=5V。2.解：（1）输出电压平均值UO=0.9U2=27V。（2）若二极管D1开路，则输出电压为原来的一半，UO=13.5V；若二极管D1接反，则整流桥烧坏。3.解：（1）UO=12V；（2）UO=9V；（3）UO=14.14V；（4）UO=6V。4.解：所以5.解：（1）根据CW317芯片特性，输出和调整端的压差固定为1.25V，调整端1引脚的输出电流很小，可忽略，故：，，（2）CW317芯片特性决定了输入与输出的最小压差为3V，则：，输入与输出的最大压差为40V，则：，6.解：设计电路如下：

项目3思考与训练一、填空题1.截止、放大、饱和；放大；截止；饱和。2.集电极、发射极3.发射结、集电结；发射结、集电结。4.增大、增大、增大。5.1006.发射结、集电结、基、集电7.共射、共基、共集8.输入特性、输出特性9.IB、UBE10.截止、减小、增大12.输出电压、输入电压13.基极、集电极14.饱和、NPN15.发射结正偏，集电结反偏；IE=IB+IC16.电容、直流电源二、单项选择题1.A2.B3.C4.C5.D6.D7.D8.A9.B10.A11.D12.C13.A14.C15.C16.D17.A18.A19.B20.D21.C22.B23.C24.A25.B26.C27.B28.B29.C30.B三、分析题1.各管工作状态如下：a）饱和；b）放大；c）截止；d）放大2.RRE13.分析如下：a）截止失真，提高静态工作点；b）饱和失真，降低静态工作点；c）同时存在饱和与截止失真，减小输入电压幅度。四、计算题1.解：最大不失真输出电压的峰值为Uomp=3V，有效值为Uom=2.1V2.解：（1）IBQ≈40μA，ICQ=1.2mA，UCEQ≈8.4V（2）微变等效电路图（略），rbe≈950Ω（3）Au≈-47.4，Ri≈950Ω，Ro≈3kΩ3.解：（1）Q2（2）Q3（3）Q4，Uom≈UCC/24.解：（1）UBQ≈3V，ICQ≈IEQ=2.3mA，IBQ≈38μA，UCEQ≈5.1V（2）Au≈-40，Ri≈0.87kΩ，Ro≈2kΩ（3）RB1、RB2稳定基极电压；RE直流负反馈，稳定静态工作点；CE消除RE对交流通路的作用。（4）温度5.解：（1）UBQ≈3V，ICQ≈IEQ=1.14mA，IBQ≈23μA，UCEQ≈5.16V（2）微变等效电路图（略）（3）Au≈-65.9，Ri≈1.4kΩ，Ro≈3.9kΩ（4）Au≈-0.9，Ri≈23kΩ6.解：（1）IBQ≈28μA，ICQ=2.8mA，UCEQ≈6.4V（2）微变等效电路图（略）（3）Ri≈102kΩ，Ro≈22Ω

项目4思考与训练一、填空题1.单极、电压2.MOS、耗尽3.共漏和共栅4.A5.耗尽层二、单项选择题1.C2.B3.C4.A5.B6.A7.D三、简答题1．参数gm的定义是什么？答：参数gm通常指跨导（transconductance），是电子器件（如晶体管、场效应管等）中的一个重要参数，用于描述输入电压变化对输出电流的控制能力。定义：跨导（gm）表示在输出电压保持恒定的情况下，输出电流的变化量（ΔIₒ）与输入电压的变化量（ΔVᵢₙ）之比。数学表达式为：物理意义：电压控制电流的能力：跨导反映了输入电压对输出电流的放大或控制作用。gm越大，说明输入电压对输出电流的控制能力越强，器件的增益越高。单位：跨导的单位是西门子（Siemens，S），通常用毫西门子（mS）或微西门子（μS）表示。焊接MOS管时，安全焊接顺序是什么？答：‌焊接MOS管时的安全焊接顺序是先焊接接地引脚，再焊接其他引脚‌。具体步骤如下：‌接地引脚优先焊接‌：首先焊接接地引脚，这样可以快速导走烙铁接触时残留的静电，保护器件。如果先焊接其他引脚，静电可能通过未接地的电路损伤栅极。2.‌焊接其他引脚‌：接地引脚焊接完成后，再焊接电源、信号等其他引脚，避免因接地未完成导致电位突变。减少MOS开关损耗的手段有哪些？答：减少MOS管开关损耗可通过以下手段实现：1.优化驱动电路：采用低阻抗驱动器，缩短栅极充放电时间，降低开关瞬态损耗；增加驱动电流可加速开关过程，但需避免振荡。2.降低栅极电阻（Rg）：减小Rg可加快开关速度，但需权衡EMI和振荡风险，必要时并联小电阻或RC缓冲网络。3.降低开关频率：减少单位时间内的开关次数，直接降低总损耗，但需平衡系统体积和效率。4.使用软开关技术：如零电压开关（ZVS）或零电流开关（ZCS），通过谐振消除电压电流重叠区，显著降低开关损耗。5.选择低导通电阻（Rds(on)）器件：降低导通损耗，间接减少开关损耗占比，提升整体效率。6.优化PCB布局：缩短栅极回路路径，减小寄生电感，避免振荡和损耗增加。通过以上方法综合应用，可有效降低MOS管开关损耗，提升系统效率。

项目5思考与训练一、填空题1.信号源、负载2.直接、阻容、变压器3.阻容耦合、直接耦合、阻容耦合。二、单项选择题1.B2.C3.A4.B5.B6.C7.B三、分析题1.解：a）RE引入直流负反馈b）RE1引入交直流负反馈；RE2引入直流负反馈；Rf引入交流负反馈2.解：a）Rf引入电压串联负反馈；b）R2引入电压并联负反馈。

项目6思考与训练一、单项选择题1.A2.C3.C4.A5.A6.B7.C8.C9.C10.A11.C12.A13.C14.B二、计算题1.解：a）反向比例运算电路，Au≈-100；b）同相比例运算电路，Au≈22.解：a）uo=-5ui；b）uo=3（ui1+ui3）-5ui1；c）uo=2ui2-4ui13.解：uo=1.8V4.解：（1）；（2）uo=ui1+ui25.解：uo=4ui3+2ui4-5ui1-2ui26.解：（1）（2）-26Ot-0.7uo-26Ot-0.7uo（V）-26-0.7uo（V）O（1）；（2）（3）uiui（V）8.解：uo1=-10V；uo2=12V；uo3=6V

项目7思考与训练一、填空题1.足够大的功率信号2.输出功率、效率、失真3.t=T、t=0.5T、0.5T<t<T4.2π、π、π<θ<2π5.近似相等、小6.交越、07.乙类8.交越失真9.0、0、78.510.变压器、单、电容二、单项选择题1.B2.C3.D4.B5.C6.C7.C8.C9.B10.A11.C12.A三、判断对错1.×2.×3.√4.×5.√6.√7.×8.×四、计算题1.解：（1）对于a图，Pom=2.25W；对于b图，Pom≈0.56W（2）对于a图，Pv=2.87W；对于b图，Pv≈0.72W（3）a图是OCL功率放大电路；b图是OTL功率放大电路2.解：设计电路如下图。最大输出功率=18W、效率≈78.6%、电源功率≈22.9W3.解：RL=8Ω

项目5思考与训练参考答案一、判断题1.×2.√3.×4.×5.√二、单项选择题1.C2.B3.A4.