2025年大学（电子信息工程）电子技术基础试题及答案

2025年大学（电子信息工程）电子技术基础试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）班级______姓名______第I卷（选择题，共40分）每题只有一个正确答案，请将正确答案填在括号内。(总共20题，每题2分，每题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑。如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。在试题卷上作答无效)1.半导体中的载流子是（）A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子2.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A.温度B.杂质浓度C.光照D.电压3.P型半导体中，多数载流子是（）A.电子B.空穴C.正离子D.负离子4.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。A.大于B.小于C.等于D.不确定5.二极管的主要特性是（）A.放大作用B.恒温特性C.单向导电性D.恒流特性6.硅二极管的死区电压约为（）A.0.1VB.0.5VC.1VD.2V7.二极管正向导通时，其两端电压降约为（）A.0.1VB.0.5VC.1VD.2V8.某二极管的型号为2AP9，其中P表示（）A.锗材料B.硅材料C.普通管D.开关管9.三极管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置情况是（）A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏10.三极管的电流放大倍数β是指（）A.Ic/IbB.Ib/IcC.Ie/IbD.Ib/Ie11.某三极管的β=100，当Ib=20μA时，Ic=（）A.2mAB.20mAC.200mAD.2000mA12.三极管的输入电阻ri约为（）A.几欧B几十欧C.几百欧D.几千欧13.共发射极放大电路的输出电压与输入电压的相位关系是（）A.同相B.反相C.超前90°D.滞后90°14.放大电路的静态工作点设置过高会出现（）A.饱和失真B.截止失真C.线性失真D.非线性失真15.放大电路的静态工作点设置过低会出现（）A饱和失真B.截止失真C.线性失真D.非线性失真16.为了稳定放大电路的静态工作点，应引入（）A.直流负反馈B.交流负反馈C.正反馈D.无反馈17.为了改善放大电路的性能，应引入（）A.直流负反馈B.交流负反馈C.正反馈D.无反馈18.射极输出器的电压放大倍数（）A.大于1B.小于1C.等于1D.约等于119.射极输出器的输入电阻（）A.较小B.较大C.与负载电阻有关D.与电源电压有关20.射极输出器的输出电阻（）A.较小B.较大C.与负载电阻有关D.与电源电压有关第II卷（非选择题，共60分）w2.（10分）简述半导体二极管的单向导电性原理。w3.（10分）简述三极管的电流放大作用原理。阅读下列材料，回答问题：某放大电路在输入正弦信号时，输出波形出现了失真。经检查，发现三极管的静态工作点设置不当。w4.（20分）请分析可能出现的失真类型，并说明如何调整静态工作点来消除失真。阅读下列材料，回答问题：在一个多级放大电路中，各级放大电路的性能指标对整个电路的性能有着重要影响。w5.（20分）请简述多级放大电路的级间耦合方式有哪些，并分析每种耦合方式的优缺点。答案：DCBACBBAABABBABABBBAw2.半导体二极管由一个PN结组成。当外加正向电压时，外电场与内电场方向相反，使空间电荷区变窄，多数载流子的扩散运动增强，形成较大的正向电流，二极管导通。当外加反向电压时，外电场与内电场方向相同，使空间电荷区变宽，多数载流子的扩散运动受到抑制，只有少数载流子的漂移运动，形成很小的反向电流，二极管截止。这就是二极管的单向导电性原理。w3.三极管由发射区、基区和集电区组成，发射区向基区发射电子，基区对电子进行控制，集电区收集电子。当三极管工作在放大区时，发射结正偏，集电结反偏。发射区向基区发射大量电子，这些电子在基区中只有很少一部分与基区的空穴复合，大部分电子扩散到集电结边缘，在集电结反偏电压的作用下，被集电区收集，形成集电极电流Ic。由于基区很薄，且掺杂浓度低，所以基极电流Ib很小。而Ic=βIb，实现了电流放大作用。w4.可能出现饱和失真和截止失真。若静态工作点设置过高，会出现饱和失真，此时输出电压波形底部被削平。应减小基极电流，即减小偏置电阻RB的值来降低静态工作点。若静态工作点设置过低，会出现截止失真，此时输出电压波形顶部被削平。应增大基极电流，即增大偏置电阻RB的值来提高静态工作点。w5.多级放大电路的级间耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。阻容耦合的优点是各级静态工作点相互独立，互不影响，能有