2025年无损检测员(中级)职业技能鉴定重点试题及答案

2025年无损检测员(中级)职业技能鉴定重点试题及答案一、超声检测（UT）原理与工艺参数选择1.单选题1.1在钢材中，5MHz纵波声速约为5920m/s，若要求近场区长度≤15mm，则直探头晶片有效直径D应满足（）。A.D≤6.0mm B.D≤5.0mm C.D≤4.5mm D.D≤3.8mm答案：B解析：N=D²f/4c，代入N≤15mm、f=5MHz、c=5920m/s，解得D≤5.0mm。1.2用2.5P20×2070°横波斜探头检测30mm厚对接焊缝，按JB/T4730.32022B级，扫查灵敏度应不低于（）。A.Φ3×4014dB B.Φ2×4010dB C.Φ3×4010dB D.Φ2×4014dB答案：C1.3当声程差Δs=0.5mm，频率4MHz，材料衰减系数0.02dB/mm，两回波分贝差ΔdB为（）。A.0.4dB B.0.8dB C.1.0dB D.1.2dB答案：B解析：ΔdB=20lg(Δs·f·π/2c)+α·Δs，代入得0.8dB。2.多选题2.1下列因素中，导致超声检测信噪比下降的有（）。A.晶片机械Q值过高 B.阻尼块脱落 C.电缆阻抗失配 D.扫描增益过大 E.耦合剂含气泡答案：ABCE2.2按ENISO17640:2018，对40mm厚板对接焊缝进行串列扫查时，必须满足（）。A.两探头折射角差≤5° B.探头中心距≥2t C.声束交点位于2/3t深度 D.扫查速度≤150mm/s E.对比试块应含Φ2×20横孔答案：BCD3.计算题3.1用5MHz、Φ10mm直探头检测球墨铸铁件，底面回波高度80%，一次底波与二次底波高度差26dB，求材料衰减系数α（dB/mm）。解：ΔdB=26dB，声程差=2t，设厚度t=50mm，则α=ΔdB/2t=26/100=0.26dB/mm。3.2某斜探头入射角27°，楔块纵波声速2730m/s，钢中横波声速3230m/s，求折射角β。解：sinβ/sin27°=3230/2730→β=arcsin(0.454×3230/2730)=32.4°。4.工艺设计题4.1对Φ508mm×16mm环向对接焊缝，要求检测根部未焊透，深度≤1mm，选用探头、试块、扫查方式并给出参数表。答案要点：探头：5P8×960°横波；试块：CSKⅢA，槽深1mm×0.2mm；扫查：单面双侧，锯齿+前后10°摆动；灵敏度：Φ1×66dB；扫查速度≤100mm/s；耦合补偿2dB。二、射线检测（RT）工艺与像质评定1.单选题1.1用Se75源透照25mm钢，曝光曲线给15mA·min得黑度2.0，若焦距700mm改为900mm，保持黑度2.0，新曝光量为（）。A.24.8mA·min B.27.4mA·min C.30.1mA·min D.32.5mA·min答案：B解析：E₂=E₁·(F₂/F₁)²=15·(900/700)²=27.4。1.2按NB/T47013.22022，AB级，透照30mm钢，识别丝型像质计需看到最细丝号（）。A.W12 B.W13 C.W14 D.W15答案：C2.多选题2.1下列缺陷中，在底片上呈黑色影像的有（）。A.未熔合 B.夹钨 C.咬边 D.根部内凹 E.烧穿答案：ACDE2.2影响射线照相颗粒度的主要因素（）。A.源尺寸 B.胶片系统类别 C.显影温度 D.增感屏厚度 E.散射比答案：BCE3.计算题3.1用200kVX机透照18mm钢，已知半价层4mm，求使剂量率降至初始1/8所需附加厚度。解：1/8=(1/2)³→需3个半价层=12mm。3.2透照厚度28mm，焊缝余高2mm，按标准椭圆成像，求最小有效评定长度Le。解：Le=L·(T+ΔT)/T=250×30/28=268mm。4.工艺设计题4.1对Φ219mm×12mm管环缝，双壁单影，源在外，要求一次透照长度≥120°，计算最小焦距并给出曝光参数。答案：几何不清晰度Ug≤0.2mm，f≥(d·b)/Ug+b=3×15/0.2+15=240mm；取300mm；曝光：Ir192，活度50Ci，曝光量12Ci·min，双片M2，黑度2.3，像质计W11。三、磁粉检测（MT）设备与缺陷判别1.单选题1.1用交流电磁轭检测25mm厚焊缝，按ASMEV，提升力应≥（）。A.20N B.30N C.40N D.45N答案：D1.2下列关于荧光磁粉检测环境白光强度的说法，正确的是（）。A.≤20lx B.≤50lx C.≤100lx D.≤500lx答案：A2.多选题2.1产生非相关显示的原因有（）。A.截面突变 B.金相组织差异 C.刀痕 D.磁写 E.疲劳裂纹答案：ABCD2.2连续法检测时，磁化时间应（）。A.0.5–1s B.1–3s C.通电磁化停止前完成施加磁粉 D.可多次磁化 E.磁粉吹除后再磁化答案：BCD3.计算题3.1用Φ50mm×300mm实心轴，线圈法纵向磁化，线圈5匝，电流1200A，求轴表面切向场强H。解：H=NI/L=5×1200/0.3=20000A/m，满足≥2kA/m要求。3.2已知剩磁法检测时，工件剩磁0.8T，相对磁导率μr=100，求退磁场强度H。解：H=B/μ₀μr=0.8/(4π×10⁻⁷×100)=6.37kA/m。4.工艺设计题4.1对16mm厚角焊缝，要求检出3mm深根部裂纹，选择磁化方法、电流类型、磁粉类型并给出参数表。答案：方法：交流复合磁化（交叉磁轭）；电流：有效值800A×2；磁粉：荧光水基，浓度0.2mL/100mL；紫外辐照≥1000μW/cm²；灵敏度试片：A130/100；评定：任何线性显示≥1.5mm拒收。四、渗透检测（PT）材料与灵敏度验证1.单选题1.1按NB/T47013.52022，I型对比试块用于（）。A.检验渗透剂灵敏度 B.校验操作温度 C.校验乳化时间 D.校验烘干温度答案：A1.2下列温度范围内，渗透检测灵敏度最高的是（）。A.5℃ B.15℃ C.25℃ D.40℃答案：C2.多选题2.1下列缺陷中，渗透检测可检出的有（）。A.表面开口裂纹 B.折叠 C.内部气孔 D.表面针孔 E.冷隔答案：ABDE2.2影响可水洗型渗透剂去除效果的因素（）。A.水压 B.水温 C.喷嘴距工件距离 D.乳化时间 E.干燥时间答案：ABC3.计算题3.1某荧光渗透剂在365nm处荧光亮度800lx，背景亮度20lx，求对比率。解：CR=800/20=40:1，满足≥20:1要求。3.2渗透时间15min，乳化时间2min，干燥时间5min，显像时间10min，求总周期。解：总=15+2+5+10=32min。4.工艺设计题4.1对精密铸造涡轮叶片，材料镍基合金，表面粗糙度Ra=0.8μm，要求检出2μm开口裂纹，给出完整PT工艺卡。答案：前处理：蒸汽除油5min→碱性清洗3min→烘干60℃；渗透：高灵敏度荧光后乳化型，渗透时间20min，温度20℃；乳化：亲水性，浓度5%，时间30s；水洗：水压0.2MPa，水温20℃；干燥：60℃，5min；显像：干粉，10min；检验：暗室白光≤20lx，紫外≥1000μW/cm²；验收：任何荧光显示≥0.5mm线性拒收。五、声发射检测（AE）传感器布置与源定位1.单选题1.1在6000mm×3000mm储罐底板检测，采用线定位，传感器间距应≤（）。A.8m B.10m C.12m D.15m答案：B1.2声发射信号幅度60dB，前置放大器增益40dB，主放增益20dB，门槛电平40dB，则信号高于门槛（）。A.20dB B.40dB C.60dB D.80dB答案：A2.多选题2.1下列属于声发射源的有（）。A.裂纹扩展 B.泄漏 C.氧化皮剥落 D.电磁干扰 E.摩擦答案：ABCE2.2影响声发射定位精度的因素（）。A.波速离散 B.传感器耦合 C.门槛设置 D.温度梯度 E.背景噪声答案：ABCDE3.计算题3.1两传感器间距6m，波速3000m/s，测得时差0.5ms，求源距近端传感器距离。解：x=(L−vΔt)/2=(6−3000×0.0005)/2=1.5m。3.2储罐底板12个传感器组成三角形阵列，求最小可检源面积。解：定位误差圆半径r=0.3×传感器间距=0.3×5m=1.5m，面积A=πr²=7.1m²。4.工艺设计题4.1对2000m³球罐，材料16MnR，壁厚40mm，水压试验声发射监测，给出传感器布置图、门槛设置、加载程序及结果评定。答案：布置：上下极板各4只，赤道带12只，共20只，间距≤5m；门槛45dB；加载：0→1.1MPa，阶梯0.1MPa，保压10min；评定：幅度≥60dB且定位集中≥5个事件，需射线复验；最终：0.9MPa保压30min，事件率<5/10min合格。六、TOFD技术与缺陷高度测量1.单选题1.1用5MHz探头，晶片直径6mm，楔块纵波声速2400m/s，钢中横波声速3230m/s，PCS=100mm，求30mm厚焊缝中心缺陷深度。A.10mm B.15mm C.20mm D.25mm答案：B1.2TOFD扫查中，若底面反射信号前移2μs，可能原因是（）。A.耦合层增厚 B.楔块磨损 C.温度升高 D.缺陷存在答案：B2.多选题2.1影响TOFD缺陷高度测量误差的因素（）。A.时间分辨率 B.探头中心距 C.缺陷倾角 D.表面粗糙度 E.数字化采样率答案：ABCDE2.2TOFD与脉冲回射法相比，优点有（）。A.定量精度高 B.缺陷定位准 C.可记录数据 D.对近表面盲区小 E.成本低答案：ABC3.计算题3.1PCS=120mm，缺陷信号时差8.4μs，波速3230m/s，求缺陷高度。解：h=0.5·v·Δt·cosθ=0.5×3230×8.4×10⁻⁶×cos45°=9.6mm。3.2若要求高度测量误差≤0.5mm，则时间测量误差应≤（）。解：Δt=2Δh/(vcosθ)=2×0.5/(3230×0.707)=0.44μs。4.工艺设计题4.1对50mm厚对接焊缝，要求检出1mm高未熔合，给出TOFD探头参数、PCS、扫查灵敏度及数据采样要求。答案：探头：5MHz，晶片直径6mm，折射角60°；PCS=2S=2×50×tan60°=173mm；灵敏度：直通波高80%，增益再+30dB；采样率≥100MHz；扫查速度≤50mm/s；覆盖：单面双侧，扫查重叠10mm。七、相控阵超声（PAUT）扇扫与聚焦法则1.单选题1.1用32晶片阵列，晶片间距0.6mm，频率5MHz，楔块声速2400m/s，求最大偏转角。A.30° B.45° C.55° D.70°答案：C1.2相控阵检测中，若聚焦深度40mm，孔径16mm，频率5MHz，求6dB焦点直径。A.1.0mm B.1.5mm C.2.0mm D.2.5mm答案：B2.多选题2.1相控阵扇扫优点（）。A.多角度一次扫查 B.电子聚焦 C.无楔块也可横波 D.数据可记录 E.成本低答案：ABD2.2影响相控阵图像分辨率的因素（）。A.晶片数量 B.频率 C.聚焦深度 D.波束间隔 E.扫查速度答案：ABCD3.计算题3.1阵列中心频率7.5MHz，晶片间距0.5mm，求栅瓣出现角度第一零点。解：θ=arcsin(λ/2d)=arcsin(0