2025年氧化工艺证考试题库及答案

2025年氧化工艺证考试题库及答案一、单选题（每题1分，共40分，每题只有一个正确答案，请将正确选项字母填入括号内）1.在氧化工艺中，下列哪一项不是影响氧化速率的主要因素（）A.反应温度B.氧气分压C.晶圆掺杂浓度D.氧化炉管壁厚度答案：D2.干氧氧化与湿氧氧化相比，其突出优点是（）A.氧化速度快B.氧化层致密C.设备成本低D.工艺温度低答案：B3.采用湿氧氧化制备1μmSiO₂所需时间约为干氧氧化的（）A.1/2B.1/5C.1/10D.1/20答案：C4.在DealGrove模型中，线性速率常数B/A与温度的关系符合（）A.指数衰减B.线性增长C.阿伦尼乌斯关系D.对数关系答案：C5.氧化层厚度超过200nm后，主导氧化速率的步骤是（）A.表面反应B.氧分子扩散C.氧离子漂移D.硅原子扩散答案：B6.下列哪种杂质在SiO₂中的分凝系数最小（）A.硼B.磷C.砷D.锑答案：A7.氧化过程中产生“氧化堆垛层错”(OSF)的根本原因是（）A.金属污染B.氧空位过饱和C.硅自间隙原子过饱和D.热应力答案：C8.快速热氧化(RTO)采用的主要加热方式是（）A.电阻丝辐射B.卤素灯辐射C.微波耦合D.激光扫描答案：B9.在氧化层中测量固定电荷密度Qf，常用的CV测试频率为（）A.10HzB.1kHzC.100kHzD.1MHz答案：D10.氧化层中可动离子电荷主要来源于（）A.钠离子B.钾离子C.钙离子D.铝离子答案：A11.采用分压氧化技术可显著降低氧化层中的（）A.固定电荷B.界面态密度C.氧化层陷阱D.金属杂质答案：B12.氧化后退火(POA)在N₂中进行的主要目的是（）A.增加厚度B.降低界面态C.提高介电常数D.减少针孔答案：B13.在氧化层厚度<5nm的超薄区，DealGrove模型出现偏差的主要原因是（）A.应力释放B.量子隧穿C.初始快速氧化D.氧溶解度下降答案：C14.氧化层针孔密度测试常用的腐蚀液为（）A.HF∶H₂O=1∶1B.HF∶NH₄F=1∶7C.铬酸+HFD.硝酸+醋酸答案：C15.氧化层介电强度典型值为（）A.1MV/cmB.5MV/cmC.10MV/cmD.15MV/cm答案：C16.氧化层折射率n@632nm约为（）A.1.46B.1.50C.1.54D.1.58答案：A17.采用椭偏仪测量氧化层厚度时，ΨΔ模型中需输入的首要参数是（）A.硅衬底电阻率B.氧化层孔隙率C.氧化层光学常数D.环境温度答案：C18.氧化层中应力为压应力时，其数值典型为（）A.−10MPaB.−100MPaC.−300MPaD.−1GPa答案：C19.氧化层作为栅氧时，其缺陷密度要求<（）A.0.1/cm²B.1/cm²C.10/cm²D.100/cm²答案：A20.氧化层中水分子扩散激活能约为（）A.0.3eVB.0.8eVC.1.2eVD.2.0eV答案：B21.氧化层中氧扩散系数D与温度T的关系式为D=D₀exp(−Ea/kT)，其中Ea≈（）A.1.23eVB.1.17eVC.2.0eVD.2.5eV答案：B22.氧化层厚度均匀性通常要求1σ≤（）A.0.1%B.0.5%C.1%D.5%答案：C23.氧化层在HF中的腐蚀速率随温度升高而（）A.线性下降B.指数上升C.先升后降D.不变答案：B24.氧化层中磷掺杂后，其介电常数将（）A.下降B.不变C.轻微上升D.显著上升答案：C25.氧化层作为LOCOS场氧时，其厚度一般选择（）A.10nmB.50nmC.100nmD.500nm答案：D26.氧化层中Na⁺漂移测试温度常选（）A.25℃B.150℃C.300℃D.500℃答案：B27.氧化层中固定电荷密度Qf与晶向关系为（）A.(111)>(110)>(100)B.(100)>(110)>(111)C.(110)>(111)>(100)D.无关晶向答案：A28.氧化层中慢态密度测试采用（）A.高频CVB.准静态CVC.深能级瞬态谱D.热激电流答案：B29.氧化层中陷阱电荷产生的主要电离源为（）A.α粒子B.γ射线C.电子束D.紫外线答案：B30.氧化层厚度>1μm时，易出现的现象是（）A.龟裂B.针孔C.分凝D.隧穿答案：A31.氧化层中磷硅玻璃(PSG)回流温度一般低于（）A.800℃B.900℃C.1000℃D.1100℃答案：C32.氧化层中硼硅玻璃(BSG)的硼含量上限约为（）A.1wt%B.3wt%C.6wt%D.10wt%答案：C33.氧化层中应力测量采用晶圆弯曲法，其公式σ=Ed²/6R(1−ν)，其中ν为（）A.氧化层泊松比B.硅衬底泊松比C.复合泊松比D.有效泊松比答案：B34.氧化层中水蒸气分压增加10倍，湿氧氧化速率约增加（）A.1倍B.2倍C.3倍D.5倍答案：C35.氧化层中氧分子溶解度随温度升高而（）A.下降B.不变C.上升D.先升后降答案：A36.氧化层中金属污染检测常用方法为（）A.TXRFB.RBSC.SIMSD.AES答案：A37.氧化层中厚度<2nm时，漏电流机制主要为（）A.FN隧穿B.直接隧穿C.热电子发射D.PooleFrenkel答案：B38.氧化层中MOS电容平带电压Vfb与Qf关系为ΔVfb=−Qf/Cox，其中Cox单位是（）A.FB.F/cm²C.F/cmD.cm²/F答案：B39.氧化层中可动离子电荷测试偏压温度应力(BTS)条件为±1MV/cm，250℃，持续（）A.1minB.5minC.10minD.30min答案：C40.氧化层中TDDB测试电场强度常选（）A.5MV/cmB.8MV/cmC.10MV/cmD.12MV/cm答案：C二、多选题（每题2分，共20分，每题有两个或两个以上正确答案，多选少选均不得分）41.下列哪些因素会加速氧化层击穿（）A.金属污染B.氧化层厚度不均C.高电场D.低温退火答案：A、B、C42.氧化层中界面态密度Dit的测试方法包括（）A.高频CVB.准静态CVC.电导法D.电荷泵法答案：B、C、D43.氧化层中磷硅玻璃(PSG)的作用有（）A.吸杂Na⁺B.降低回流温度C.增加介电常数D.减少针孔答案：A、B、D44.氧化层中湿氧氧化与干氧氧化相比，其特点有（）A.速率快B.密度低C.介电强度低D.固定电荷少答案：A、B、C45.氧化层中快速热氧化(RTO)的优点包括（）A.升温速率快B.热预算低C.界面陡峭D.厚度均匀性好答案：A、B、C46.氧化层中MOS电容CV曲线出现回滞，可能原因有（）A.可动离子B.界面态C.氧化层陷阱D.串联电阻过大答案：A、B、C47.氧化层中氧化诱生层错(OISF)的消除方法有（）A.高温N₂退火B.掺氯氧化C.氢气氛退火D.降低升温速率答案：A、B、D48.氧化层中厚度测量手段包括（）A.椭偏仪B.反射光谱C.电容电压D.台阶仪答案：A、B、C、D49.氧化层中氯掺入的作用有（）A.吸杂金属B.降低界面态C.提高氧化速率D.减少氧化层陷阱答案：A、B、D50.氧化层中TDDB寿命模型包括（）A.E模型B.1/E模型C.√E模型D.热化学模型答案：A、B、D三、判断题（每题1分，共10分，正确打“√”，错误打“×”）51.氧化层中固定电荷密度Qf与氧化速率无关。（）答案：×52.氧化层中水分子扩散系数高于氧分子。（）答案：√53.氧化层厚度越薄，其介电强度越高。（）答案：×54.氧化层中磷掺杂会降低其腐蚀速率。（）答案：×55.氧化层中Na⁺漂移方向与电场方向相同。（）答案：√56.氧化层中(111)硅的氧化速率高于(100)。（）答案：√57.氧化层中氧化堆垛层错可在氢气氛中完全消除。（）答案：×58.氧化层中快速热氧化可抑制杂质扩散。（）答案：√59.氧化层中MOS电容高频CV曲线可测得平带电压。（）答案：√60.氧化层中厚度>2nm时，直接隧穿电流可忽略。（）答案：×四、填空题（每空1分，共20分）61.干氧氧化常用温度区间为________℃至________℃。答案：1000，120062.湿氧氧化中水蒸气分压可通过________与________混合控制。答案：O₂，H₂63.DealGrove模型中，氧化厚度x与时间t关系为x²+Ax=B(t+τ)，其中B称为________常数。答案：抛物线64.氧化层中固定电荷Qf位于距界面约________nm范围内。答案：165.氧化层中可动离子电荷测试温度应力偏压条件为________MV/cm，________℃。答案：1，25066.氧化层中磷硅玻璃回流后，其表面角度可降至________°以下。答案：4567.氧化层中金属污染检测限TXRF可达________atoms/cm²。答案：1×10⁹68.氧化层中MOS电容平带电容Cfb与氧化层电容Cox比值Cfb/Cox随氧化层厚度增加而________。答案：增大69.氧化层中TDDB测试电场强度E与寿命t满足lnt∝________模型时，称为E模型。答案：E70.氧化层中水分子溶解度随温度升高而________。答案：下降71.氧化层中氧化诱生层错常沿________面扩展。答案：{111}72.氧化层中氯掺入量通常控制在________%以内。答案：373.氧化层中快速热氧化升温速率可达________℃/s。答案：10074.氧化层中椭偏仪测量精度可达________nm。答案：0.175.氧化层中应力为压应力时，晶圆弯曲方向为________。答案：向下76.氧化层中硼分凝系数约为________。答案：0.377.氧化层中磷分凝系数约为________。答案：1078.氧化层中固定电荷密度Qf单位是________。答案：C/cm²79.氧化层中界面态密度Dit单位是________。答案：cm⁻²eV⁻¹80.氧化层中氧化速率常数B的激活能约为________eV。答案：1.23五、计算题（每题10分，共30分，需写出关键步骤与单位）81.已知硅在1000℃干氧氧化，DealGrove参数B=0.011μm²/h，A=0.165μm，求氧化30min后的氧化层厚度。解：t=0.5h，x²+Ax=B(t+τ)，初始氧化τ≈0x²+0.165x−0.011×0.5=0x²+0.165x−0.0055=0x=[−0.165+√(0.165²+4×0.0055)]/2x=0.030μm=30nm答案：30nm82.某MOS电容氧化层厚度tox=50nm，面积A=1×10⁻³cm²，测得Cox=69nF，求氧化层相对介