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集成电路制造工艺

--光刻工艺的基本原理单位：江苏信息职业技术学院微电子教研室光刻胶第三章光刻工艺光刻的工艺流程本章要点先进光刻工艺介绍光刻工艺的基本原理光刻胶第三章光刻工艺光刻的工艺流程本章要点先进光刻工艺介绍光刻工艺的基本原理§3.1光刻工艺的基本原理一、光刻的重要性光刻工艺是一种非常精细的表面加工技术，器件的横向尺寸控制几乎全由光刻来实现。因此，光刻的精度和质量将直接影响器件的性能指标，同时它们也是影响器件成品率和可靠性的重要因素。光刻工艺常被认为是集成电路生产制造中最为关键和重要的步骤，需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。§3.1光刻工艺的基本原理光刻的定义：

光刻是一种图像复印和刻蚀技术相结合的精密表面加工技术。光刻是利用光刻胶的感光性和抗蚀性，首先通过光化学反应，将掩膜版上的电路图形暂时转移到半导体晶圆表面涂覆的光刻胶上，然后以光刻胶为抗蚀层，对下方薄膜材料进行选择性刻蚀，最终在半导体晶圆的薄膜层上获得与掩膜版相同或相反的图形。对位曝光显影刻蚀去胶掩膜版光刻胶薄膜紫外光源二、光刻的定义第一次图形转移图像复印技术第二次图形转移刻蚀技术三、光刻的任务完成两次图形的转移：第一次通过图像复印技术，把掩模版的图像复印到光刻胶上；第二次利用刻蚀技术把光刻胶的图像传递到薄膜层上，最终得到与掩膜版相对应的几何图形。§3.1光刻工艺的基本原理光刻胶掩膜版的图像薄膜层光刻胶的图像§3.1光刻

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