集成电路制造工艺 课件 7.3 硅圆片的制备_第1页
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集成电路制造工艺

--硅圆片的制备单位:江苏信息职业技术学院微电子教研室第七章衬底制备硅单晶的制备硅单晶的质量检验硅圆片的制备本章要点第七章衬底制备硅单晶的制备硅单晶的质量检验硅圆片的制备本章要点§7.3硅衬底的制备硅衬底制备的工艺流程:整形处理基准面研磨定向切片磨片倒角抛光刻蚀清洗检查包装通过在硅片上磨出主平面和次平面,可以在机械加工中作为硅片定位的参考面,同时可以快速的识别硅片的晶向和导电类型一.基准面或基准槽研磨注意:对于直径等于或大于200mm的晶体不再磨出基准面,而是沿着晶锭长度方向磨出一个小沟。定位面标准硅片定位槽P(111)N(111)P(100)N(100)激光定向仪原理图作用:通过定向使切片能沿硅晶体的解理面裂开,提高成品率,同时可以根据器件的要求先择偏离某一晶向一定的角度方法:激光定向法二.定向目前主要采用的切片方法:内圆切割法内圆切割机三.切片目前主要采用行星式双面磨片法四.研磨五.倒角倒角规格θ

为20°或40°金刚砂轮硅片倒角效果图二氧化硅乳胶化学机械抛光进一步去除硅片表面的损伤层,以获得光亮如镜的表面将SiO2粉末放入NaOH中,小部份SiO2与NaOH反应,大部份悬浮在NaOH中形成乳胶六.化学机械抛光目的方法原理化学机

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