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集成电路制造工艺

--CMOS其他相关工艺单位：江苏信息职业技术学院微电子教研室第十章CMOS集成电路制造工艺CMOS结构及工作原理CMOS工艺流程CMOS其他相关工艺本章要点第十章CMOS集成电路制造工艺CMOS结构及工作原理CMOS工艺流程CMOS其他相关工艺本章要点§10.3CMOS其他相关工艺深亚微米CMOS结构淀积氮化硅光刻刻蚀形成浅槽

高压CVDSiO2

CMPSiO2至Si3N4层

CMP去除Si3N4STI特点：占用的面积小不会形成鸟嘴用CVD淀积绝缘层减少高温过程，更平坦的表面，更多的工艺步骤浅沟槽隔离（STI）可以对每个阱区的杂质分别独立的控制得到更平坦的表面做在阱内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响外延衬底有助于抑制体硅CMOS中的寄生闩锁效应外延双阱工艺逆向掺杂技术就是利用纵向非均匀衬底掺杂，抑制短沟穿通电流，降低阈值电压逆向掺杂技术环绕掺杂技术就是利用横向非均匀衬底掺杂，在源漏区形成局部高掺杂区，可以进一步降低短沟效应，降低源漏区横向扩散，提高杂质分布梯度以降低源漏串联电阻环绕掺杂技术先在硅晶圆上埋入SiO2绝缘层，然后以此绝缘层作为基底，在表面硅层制作晶体管，主要利用离子注入等微制造工艺实现。降低晶体管漏电流的有效工艺技术，主要是注氧隔离法（SIMOX）和智能剥离法（Smartcut）。速度高功耗低

集成密度高成本低抗辐照特性好绝缘衬底硅（SOI）以MOS为主的Bi-CMOS工艺以双极为主的Bi-CMOS工艺

BiCMOS工艺，它主要利用CMOS器件制作稿集成度、低功耗的部

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