CN114330210B 一种高精准dcoc的版图结构设计方法 （轻舟微电子(杭州)有限公司）

(19)国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号CN114330210B(65)同一申请的已公布的文献号(43)申请公布日2022.04.12审查员谢彩霞(73)专利权人轻舟微电子(杭州)有限公司地址310016浙江省杭州市上城区婺江路217号2号楼807室37号(72)发明人张妮娜郑雷袁立凯尹莉周旸庞坚(56)对比文件(54)发明名称一种高精准DCOC的版图结构设计方法的mos管分布在左上右下对角线方向，I路的mos管分布在右上左下对角线方向，整个DCOC的最外侧分布有dummymos管；整个版图结构的左右两侧布局的中间分布有dummymos管；整个版图的的布局中，I路中各个多倍电流源的mos管与Q路中各个多倍电流源mos管的数量相同。本发明的采用中心对称匹配方式，不仅从版图布局方面减小了工艺引起的信号失配，缩小版图面积，继而21.一种高精准DCOC的版图结构设计方法，其特征在于，整体版图布局采用中心对称分DCOC的最外侧分布有dummymos管；整个版图结构的左右两侧布局的中间分布有dummymos管；整个版图的对角处均分布有dummymos管；版图左侧布局以中间的Q路1倍电流源的mos图右侧布局以中间的I路1倍电流源的mos管、I路8倍电流源mos管、I路32倍电流源mos管以及dummymos管为中心线上下对称设置。2.根据权利要求1所述的一种高精准DCOC的版图结构设计方法，其特征在于，整体版图布局中，Q路1倍电流源的mos管的标识为1,Q路2倍电流源mos管的标识为2,Q路4倍电流源mos管的标识为4,Q路8倍电流源mos管的标识为8,Q路16倍电流源mos管的标识为16,Q路32倍电流源mos管的标识为32,Q路64倍电流源mos管的标识为64;I路1倍电流源的mos管的标识为1,I路2倍电流源mos管的标识为2`,I路4倍电流源mos管的标识为4`,I路8倍电流源mos管的标识为8`,I路16倍电流源mos管的标识为16`,I路32倍电流源mos管的标识为32`,I路64倍电流源mos管的标识为64。3.根据权利要求1所述的一种高精准DCOC的版图结构设计方法，其特征在于，版图左、右两侧的布局中，I路中各个多倍电流源的mos管与Q路中各个多倍电流源mos管的数量相4.根据权利要求1所述的一种高精准DCOC的版图结构设计方法，其特征在于，整体版图中mos管以中心向外发散的形式设计，低倍电流源mos管位于高倍电流源mos管的内侧。3一种高精准DCOC的版图结构设计方法技术领域[0001]本发明涉及DCO背景技术[0002]DCOC(直流失调校准)是一种协助接收机工作的辅助电路，其可以消除接收机直流失配，从而保证接收机的正常工作，稳定接收机的电路性能。[0003]随着DCOC的射频通信领域中广泛使用，其性能指标也越来越高，版图布局的合理发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种高精准DCOC的版图结构设计方法，采用中心对称结构布局方式，可以抑制工艺误差，使得各路电流源受到几乎相同的工艺误差影响，以解决上述背景技术中提出的问题。[0005]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：[0006]一种高精准DCOC的版图结构设计方法，整体版图布局采用中心对称分布，Q路的外侧分布有dummymos管；整个版图结构的左右两侧布局的中间分布有dummymos管；整个版图的对角处均分布有dummymos管；版图左侧布局以中间的Q路1倍电流源的mos管、Q路8倍电流源mos管、Q路32倍电流源mos管以及dummymos管为中心线上下对称设置；版图右侧布局以中间的I路1倍电流源的mos管、I路8倍电流源mos管、I路32倍电流源mos管以及dummymos管为中心线上下对称设置。[0007]进一步的，版图左侧布局中，整体沿中间mos管呈上下对称设置，1代表Q路1倍电流流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8代表Q路8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16代表Q路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32代表Q路32倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，64代表Q路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一；2`代表I路2倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，4`代表I路4倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8`代表I路8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16代表I路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32`代表I路32倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，64`代表I路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一。[0008]进一步的，版图右侧布局中，整体沿中间的mos管呈上下对称设置，1`代表I路1倍电流源的mos管，2`代表I路2倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，4`代表I路4倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8`代表I路8倍电流源mos管，其数4量为整个版图总数的二分之一，16`代表I路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32`代表I路32倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，64`代表I路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，2代表Q路2倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，4代表Q路4倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8代表Q路8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16代表Q路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32代表Q路32倍电流源mos管的，其数量为整个版图总数的二分之一，64代表Q路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一。[0009]本发明的采用中心对称匹配方式，减小工艺引起的信号失配，布局紧凑，连线简单，版图面积小。本发明不仅从版图布局方面减小了工艺引起的信号失配，缩小版图面积，继而提生了分频器的性能指标，而且从设计方法上提升了版图设计者的工作效率。附图说明[0010]图1为一种高精准DCOC的版图结构设计方法中左侧布局的结构示意图。[0011]图2为一种高精准DCOC的版图结构设计方法中右侧布局的结构示意图。具体实施方式[0013]下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。[0014]请参阅图1-3,一种高精准DCOC的版图结构设计方法，采用中心对称结构布局方式，可以抑制工艺误差，使得各路电流源受到几乎相同的工艺误差影响，大大的提高了DCOC的性能指标。[0015]本发明左侧布局如图一所示，整体沿中间mos管呈上下对称设置，1代表Q路1倍电电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8代表Q路8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16代表Q路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32代表Q路32倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，64代表Q路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一；2`代表I路2倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，4`代表I路4倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8`代表I路8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16`代表I路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32`代表I路32倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，64`代表I路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一。[0016]右侧布局如图二所示，整体沿中间的mos管呈上下对称设置，1`代表I路1倍电流源的mos管，2`代表I路2倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，4`代表I路4倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，8`代表I路8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16代表I路16倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，32`代表I路32倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，64`代表I路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，2代表Q路2倍电流源mos管，其数量为整个版图8倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一，16代表Q路16倍电流源mos管，其数量5为整个版图总数的二分之一，32代表Q路32倍电流源mos管的，其数量为整个版图总数的二分之一，64代表Q路64倍电流源mos管，其数量为整个版图总数的二分之一。[0017]图三是DCOC的整体版图布局采用中心对称分布，Q路的mos管分布在左上右下对角[0018]整个版图的对角处均分布有dummymos管；版图左侧布局以中间的Q路1倍电流源的mos管、Q路8倍电流源mos管、Q路32倍电流源mos管以及dummymos管为中心线上下对称设置；版图右侧布局以中间的I路1倍电流源的mos管、I路8倍电流源mos管、I路32倍电流源m管以及dummymos管为中心线上下对称设置。[0019]整体版图中mos管以中心向外发散的形式设计，总体上，低倍电流源mos管大致位于高倍电流源mos管的内侧。[0020]版图左、右两侧的布局中，除去上下对称中心线上的mos管，I的mos管与Q路中各个多倍电流源mos管的数量相同。[0021]上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下作出各种变化。6884842一一