半导体晶圆切割技师（初级）考试试卷及答案

半导体晶圆切割技师（初级）考试试卷及答案半导体晶圆切割技师（初级）考试试卷及答案一、填空题（共10题，每题1分）1.半导体晶圆常用基底材料主要有硅、______和砷化镓。2.晶圆切割设备中固定晶圆的部件是______。3.激光切割晶圆常用类型有红外激光和______激光。4.晶圆切割前需粘贴在______上防止裂片。5.常见晶圆标准直径（英寸）：4、6、8和______英寸。6.切割工艺中，激光束移动速度称为______。7.切割后芯片需用______清洗去除碎屑。8.切割设备安全防护需佩戴______防激光辐射。9.晶圆厚度测量常用工具是______。10.切割路径需与晶圆______一致避免裂片。二、单项选择题（共10题，每题2分）1.不属于半导体晶圆基底的是？A.硅B.锗C.铜D.砷化镓2.蓝膜在切割中的主要作用是？A.导电B.固定晶圆C.散热D.反射激光3.紫外激光相比红外激光的优势是？A.功率更高B.热影响区更小C.速度更快D.成本更低4.不属于切割不良的是？A.裂片B.崩边C.芯片偏移D.路径正确5.设备开机前首先检查的是？A.激光功率B.真空系统C.蓝膜张力D.安全门状态6.8英寸晶圆直径约为______mm？A.100B.150C.200D.3007.进给速度单位通常是？A.mm/sB.WC.μmD.°8.切割后适合的清洗方式是？A.酒精B.去离子水C.丙酮D.盐酸9.切割深度略大于晶圆厚度______？A.5-10μmB.20-30μmC.50-100μmD.100-200μm10.防护眼镜需匹配激光的______？A.功率B.波长C.频率D.品牌三、多项选择题（共10题，每题2分）1.晶圆切割前准备工作包括？A.厚度测量B.蓝膜粘贴C.功率校准D.真空检查2.常见切割工艺有？A.激光切割B.砂轮切割C.等离子切割D.化学腐蚀3.切割不良类型包括？A.崩边B.裂片C.芯片粘胶D.切痕过深4.安全操作规范包括？A.戴防护镜B.关安全门操作C.禁直视激光D.定期维护5.常见晶圆晶向有？A.(100)B.(111)C.(101)D.(200)6.切割工艺参数包括？A.激光功率B.进给速度C.切割深度D.蓝膜张力7.切割后检测项目包括？A.崩边尺寸B.裂片数量C.芯片尺寸D.切痕宽度8.激光切割设备组成部分有？A.激光器B.真空吸盘C.运动平台D.清洗单元9.切割中需监控的参数有？A.功率波动B.进给速度C.真空度D.环境温度10.蓝膜性能要求包括？A.良好粘性B.易剥离C.耐高温D.导电四、判断题（共10题，每题2分）1.硅晶圆是应用最广泛的半导体晶圆。（）2.激光功率越高切割效果越好。（）3.切割前无需检查蓝膜破损。（）4.12英寸晶圆直径约300mm。（）5.切割深度越深越不易裂片。（）6.紫外激光热损伤比红外小。（）7.设备开机后可直接切割。（）8.崩边超范围属于不良品。（）9.切割路径需与晶向垂直。（）10.防护眼镜可阻挡所有激光。（）五、简答题（共4题，每题5分）1.简述晶圆切割前粘贴蓝膜的目的。2.激光切割晶圆的基本原理是什么？3.简述切割设备安全操作注意事项。4.切割中裂片的常见原因有哪些？六、讨论题（共2题，每题5分）1.如何根据晶圆厚度调整激光切割参数？2.讨论崩边的预防措施。---答案部分一、填空题答案1.锗2.真空吸盘3.紫外4.蓝膜5.126.进给速度7.去离子水8.激光防护眼镜9.测厚仪10.晶向二、单项选择题答案1.C2.B3.B4.D5.D6.C7.A8.B9.A10.B三、多项选择题答案1.ABCD2.AB3.ABD4.ABCD5.AB6.ABCD7.ABCD8.ABCD9.ABC10.AB四、判断题答案1.√2.×3.×4.√5.×6.√7.×8.√9.×10.×五、简答题答案1.蓝膜目的：固定晶圆防碎裂/移位；吸收切割碎屑；缓冲应力减少裂片崩边；便于后续搬运封装。2.激光切割原理：高能量激光束聚焦晶圆表面，使局部材料瞬间熔化/汽化，沿路径连续去除形成切痕；参数（功率、速度）需匹配晶圆特性。3.安全注意事项：检查安全门/急停；戴匹配波长防护镜；禁直视激光；异常按急停；定期维护；清理碎屑；非授权禁操作。4.裂片原因：深度不当（过深/过浅）；功率过高；速度过快；晶向与路径不匹配；蓝膜粘性不足；晶圆隐裂；设备精度差；温度波动。六、讨论题答案1.厚度调整参数：薄晶圆（<100μm）→降功率、浅深度（5-10μm）、慢进给；厚晶圆（>200μm）→适当提功率、分多次切割（10-15μm深度）；监控功率波动，调整