三极管试题及答案

三极管试题及答案一、单项选择题（每题3分，共30分）三极管按结构可分为NPN型和PNP型，其内部包含的PN结数量为（）A.1个B.2个C.3个D.4个三极管工作在放大状态时，发射结和集电结的偏置条件是（）A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏某NPN型三极管的三个电极电位分别为：Vb=2.7V，Ve=2V，Vc=5V，则该三极管处于（）A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.击穿状态三极管的电流放大系数β是指（）A.集电极电流与基极电流的比值（Ic/Ib）B.发射极电流与基极电流的比值（Ie/Ib）C.集电极电流与发射极电流的比值（Ic/Ie）D.基极电流与集电极电流的比值（Ib/Ic）温度升高时，三极管的反向饱和电流ICBO将（）A.增大B.减小C.不变D.无法确定共发射极放大电路中，输入信号加在三极管的（）A.基极与发射极之间B.基极与集电极之间C.发射极与集电极之间D.任意两个电极之间三极管的极限参数中，ICM表示（）A.集电极最大允许电流B.集电极最大允许耗散功率C.集电极-发射极反向击穿电压D.基极最大允许电流某三极管的型号为3DG6，其中“G”代表的含义是（）A.高频小功率管B.低频小功率管C.高频大功率管D.低频大功率管在共集电极放大电路中，输出信号从三极管的（）取出A.基极B.集电极C.发射极D.基极与集电极之间判断三极管引脚时，若测得某两个引脚之间的正向电阻很小（约几百欧），反向电阻很大（约几百千欧），则这两个引脚可能是（）A.基极与发射极B.基极与集电极C.发射极与集电极D.无法判断二、多项选择题（每题4分，共20分，多选、少选、错选均不得分）三极管的主要参数包括（）A.电流放大系数βB.反向饱和电流ICBOC.集电极最大耗散功率PCMD.特征频率fTE.输入电阻ri三极管工作的状态包括（）A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.击穿状态E.导通状态共发射极放大电路的特点有（）A.电压放大倍数高B.电流放大倍数高C.输入电阻较大D.输出电阻较大E.输出信号与输入信号反相影响三极管参数稳定性的因素有（）A.温度B.湿度C.光照D.电源电压E.负载电阻下列关于三极管和二极管的区别，说法正确的有（）A.三极管有三个电极，二极管有两个电极B.三极管可实现电流放大，二极管不能C.三极管内部有两个PN结，二极管有一个PN结D.三极管和二极管都具有单向导电性E.三极管可用于开关电路，二极管不能三、填空题（每空2分，共30分）三极管是一种______控制型器件，其核心是通过______电流控制______电流。NPN型三极管的电流方向为：______极→______极→______极。共基极放大电路的输入电阻______，输出电阻______，常用于高频放大电路。三极管的穿透电流ICEO=______×ICBO，其中ICBO是______之间的反向饱和电流。放大电路中，为了稳定静态工作点，常用的措施有______和______。三极管的特征频率fT是指______下降到______时的频率。用万用表判断三极管类型时，若黑表笔接某一引脚，红表笔分别接另外两个引脚，测得的电阻均较小，则该三极管为______型，黑表笔所接引脚为______极。四、简答题（每题10分，共30分）简述三极管的放大原理。画出共发射极基本放大电路的电路图，并说明各元件的作用。如何用万用表判断三极管的三个引脚（基极、发射极、集电极）？五、计算题（每题15分，共30分）已知某NPN型三极管的β=50，基极电流Ib=20μA，求集电极电流Ic和发射极电流Ie。若此时三极管的反向饱和电流ICBO=10μA，求穿透电流ICEO。共发射极放大电路中，已知电源电压VCC=12V，集电极电阻RC=3kΩ，基极偏置电阻RB=300kΩ，三极管的β=50，UBE=0.7V。求静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ。六、分析题（每题20分，共40分）如图所示为分压式偏置共发射极放大电路，已知VCC=15V，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RB1=20kΩ，RB2=10kΩ，β=60，UBE=0.7V。（1）计算静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ；（2）若输入信号增大，三极管进入饱和区，此时输出电压波形会出现什么失真？如何消除？某三极管的输出特性曲线如图所示（注：此处省略图片，可根据文字描述分析），已知Ib=30μA时，Ic=1.5mA；Ib=40μA时，Ic=2mA。（1）计算该三极管的β值；（2）若UCE=6V，Ib=30μA，求此时三极管的输入电阻rbe（已知rbe=300Ω+（1+β）×26mV/IEQ，IEQ≈ICQ）。答案部分一、单项选择题B解析：三极管内部包含发射结和集电结两个PN结。B解析：放大状态时，发射结正偏（UBE>0），集电结反偏（UCB<0）。A解析：NPN型三极管，Vb>Ve（发射结正偏），Vc>Vb（集电结反偏），满足放大条件。A解析：β=Ic/Ib（直流放大系数）或β=ΔIc/ΔIb（交流放大系数）。A解析：ICBO为集电结反向饱和电流，温度每升高10℃，ICBO约增大一倍。A解析：共发射极电路中，输入信号加在基极-发射极回路，输出信号从集电极-发射极回路取出。A解析：ICM是集电极最大允许电流，超过此值β将明显下降。A解析：国产三极管型号中，“G”代表高频小功率管，“D”代表低频小功率管。C解析：共集电极电路又称射极输出器，输出信号从发射极取出。A解析：正向电阻小、反向电阻大的PN结为发射结（基极与发射极之间）。二、多项选择题ABCD解析：输入电阻ri是放大电路的参数，而非三极管本身的参数。ABC解析：三极管的工作状态包括放大、饱和、截止，击穿属于非正常损坏状态。ABDE解析：共发射极电路输入电阻较小（约几百欧至几千欧），输出电阻较大（约几千欧至几十千欧）。ACD解析：温度、电源电压、光照会影响三极管参数，湿度影响较小。ABC解析：三极管无单向导电性（两个PN结，需区分正偏/反偏），二极管和三极管均可用于开关电路。三、填空题电流；基极；集电极发射；基；集电（或：E→B→C）小；大（1+β）；集电极与基极（或：C、B）分压式偏置；温度补偿（或：引入发射极电阻RE）电流放大系数β；1（或：中频值的0.707倍）PNP；基（或：B）四、简答题三极管的放大原理：三极管内部有两个PN结（发射结、集电结）和三个区（发射区、基区、集电区）。发射区掺杂浓度高，基区薄且掺杂浓度低，集电区面积大。当发射结正偏、集电结反偏时，发射区向基区注入大量载流子（电子或空穴），由于基区薄，大部分载流子被集电结反向电场拉入集电区，形成集电极电流Ic；少量载流子在基区与空穴（或电子）复合，形成基极电流Ib。Ic远大于Ib，且Ic随Ib成比例变化，实现电流放大。共发射极基本放大电路的电路图及元件作用：电路图（文字描述）：三极管VT为核心元件，基极通过电阻RB接电源VCC，集电极通过电阻RC接VCC，发射极接地；输入信号ui通过电容C1接基极，输出信号uo通过电容C2从集电极取出。元件作用：VT：实现电流放大；RB：提供基极偏置电流，使三极管工作在放大区；RC：将集电极电流的变化转化为电压变化，实现电压放大；C1、C2：耦合交流信号，隔直流通交流；VCC：提供工作电压。用万用表判断三极管引脚：（1）确定基极：用万用表R×1k档，黑表笔接某一引脚，红表笔分别接另外两个引脚，若两次测得的电阻均较小（正向导通）或均较大（反向截止），则黑表笔所接为基极。若两次电阻一小一大，则换引脚重试。（2）确定类型：若基极接黑表笔时正向导通（电阻小），则为NPN型；若基极接红表笔时正向导通，则为PNP型。（3）确定发射极和集电极（以NPN型为例）：基极已确定，假设其余两引脚为E和C，黑表笔接假设的C，红表笔接假设的E，用手捏住B和假设的C（模拟基极电流），测得一电阻值；对调假设的E和C，重复操作，电阻值较小的一次中，黑表笔接的为C，红表笔接的为E。五、计算题解：（1）Ic=βIb=50×20μA=1000μA=1mA（2）Ie=Ib+Ic=20μA+1000μA=1020μA=1.02mA（3）ICEO=（1+β）ICBO=（1+50）×10μA=510μA解：（1）IBQ=（VCC-UBE）/RB=（12-0.7）V/300kΩ≈11.3V/300kΩ≈37.7μA（2）ICQ=βIBQ=50×37.7μA≈1.885mA（3）UCEQ=VCC-ICQRC=12V-1.885mA×3kΩ≈12V-5.655V≈6.345V六、分析题解：（1）静态工作点计算：①基极电位UBQ=（RB2/（RB1+RB2））×VCC=（10kΩ/（20kΩ+10kΩ））×15V=5V②发射极电流IEQ=（UBQ-UBE）/RE=（5-0.7）V/2kΩ=4.3V/2kΩ=2.15mA≈ICQ③基极电流IBQ=ICQ/β=2.15mA/60≈35.8μA④集电极-发射极电压UCEQ=VCC-ICQ（RC+RE）=15V-2.15mA×（3kΩ+2kΩ）=15V-10.75V=4.25V（2）失真类型及消除：输入信号增大时，三极管进入饱和区，输出电压波形会出现底部失真（饱和失真）。消除方法：增大RB（减小IBQ，使静态工作点下移）或减小RC（增大UCEQ的动态范围）。解：（1）β值计算：β=ΔIc/ΔIb=（2mA-1.5mA）/（40μA-30μA）=0.5mA/