现代电工电子技术第3版课件 第7、8章 双极型半导体器件、放大电路基础

第7章常用半导体器件第7章常用半导体器件7.3其他二极管7.1半导体与PN结7.2二极管7.4晶体管按照原理，我们可以把电子技术的应用分为利用电能和利用电

信号俩大类。我们分别讨论一下俩类各有什么用电器。按照用

途可以分为照明、加热、通信、测量、报警等等。1、

以电流来说，方向和大小始终不变的叫做直流电；方向和

大小周期性变化的叫交流电。生活中有哪些属于直流电和交流

电?(示波器演示)2、

一般的，利用电能工作的电路电流和

电压比较大，叫强电；利用电信号的电流和电压比较小，叫弱

电；在工业和远距离输电时往往用到高压电。3、电信号连续

变化的叫模拟电路；不连续变化的叫数字电路。(用示波器演

示，并出示相应的集成电路)4、直流电、交流电、强电、弱

电、高压电、数字电路和模拟电路往往有不同的用途，谁能举

几个例子?电池

直流电；市电

交流电。直流

充电、电镀；

交流

日光灯照明、高炉炼铁；强电

利用电能；弱电

利用电信号；高压电

远距离输电。模拟

传统

电路；数字现代通信、计算机。不同的电信号之间可以相互转化：充电器、稳压电路——交变

直；振荡电路——直变交；变压器——改变电压(交流);分

压电路——改变电压(直流);模数转换

(A/D)——模变数；

数模转换

(D/A)——

数变模；1904-电子管，在真空中对电子流控制1944-第一台电子计算机英国-科洛萨斯1947-第一个晶体管-半导体时代1956-第一个晶闸管-电力电子时代“科洛萨斯”计算机呈长方体状，长4.9米，宽1.8米，高2.3米，重约4

吨。它的主体结构是两排机架，上面安装了2500个大小形状如同电灯泡的

电子管。它利用打孔纸带输入信息，由自动打字机输出运算结果，每秒可

处理5000个字符。它的耗电量为4500瓦。第一台电子计算机1944年IBM

推出的286电脑，中国计算机发展公司(长城

电脑前身)于1986年推出了国内第一台微型计算

机.导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是

导体，如铁、铜、铝等。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为

半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等半导体的导电机理不同于其它物质，其特点：·

当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。·

往纯净半导体中掺入某些杂质，会使其导电能力明显改变。7.1半导体与PN结7.1.1

半导体的基本知识7.1.2本征半导体和杂质半导体1.本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。共价键结构形成共价键后，最外层电子是8个，构成稳定结构绝对零度以下，本征半导体中无活跃载流子，不导电常用的半导体是硅和锗，外层电子(价电子)均4个。2.杂质半导体N型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑)而形成。也称为(电子半导体)。P

型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼(或铟)而形成，也称为(空穴半导体)。④++④+①多子和少子的移动都能形成电流。起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等V型半导体自由电子为多子P

型半导体空穴是多子区变薄。P

型半导体

内电场E

N

型半导体o

o扩散和漂移运动最终达到平衡，相当于两个区之

间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变OO7.1.3PN结漂移运动O

O

o

O

O空间电荷区，也称耗尽层。内电场越强，漂移运动

越强，漂移使空间电荷扩散使空间电

荷区逐渐加宽1.PN

结的形成扩散运动PN

结加上反向电压：P区加负、N

区加正电压变厚P

!一内电场一外

电

场结论：

PN结

截

止2.PN

结

的

单

向

导

电

性PN

结外加正向电压：P区接正、N

区接负电压变薄结论：PN结导通P外电场N内

电

场7.2

二极管P7.2.1

二极管的结构与符号7.2.2

二极管的伏安特性死区电压硅管0.5V,锗管0.1V反向击穿电

压UR1.3N导通压降：硅管约0.7V锗管约0.3V7.2.3主要参数1.最大整流电流IFM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流2.最大反向工作电压URM指管子运行时允许承受的最大反向电压，是反向击穿电压UBR的一半。3.

反向电流IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。其值越小越好。温度越高反向电流越大。硅管的较小，锗管的要比硅管大

几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。1.34.直流电阻

RD二极管上电压与电流之比正向几十欧-几千欧反向几十-几百千欧5.

微变电阻

rp

ID

△iDrp是二极管特性曲线上工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比：

u0显

然

，rp

是

对Q附近的微小变化区域内的电阻1.3实际二极管：正向压降≈0.7V(硅二极管)理想二极管：

正向压降=0。分析时，常把二极管看成理想的。二极管的应用举例1:

二极管半波整流7.2.4

二极管电路的分析方法应用举例二极管的应用2应用举例30

Ω

100

Ω30V

40V12V举例3

哪些二极管是导通的?VD导通

怎么来的?VD导通VD

截止应用举例应用举例举例4

画

出u₀波形bdCa(2)电压温度系数

αu(

%/℃

)稳压值受温度变化影响的的系数(3)动态电阻(4)稳定电流Iz、最大、最小稳定电

流Izmax、Izmin(5)最大允许功耗

PzM=UzIzmax特性曲线曲线越陡，电压越稳定Uz工作区Iz稳压管是一种特殊的二极管，它专门工作在反向工作区稳压二极管的参数：(1)稳定电压

Uz7.3.1

硅稳压二极管符号7.3稳压二极管的应用举例

7.31、已知u=20V,Uz₁=6V,

求U₀=?分

析

：

电流通路稳压管反向击穿解：U₀=6V2、已知u=20V,Uz₁=6V,

Uz₂=9V,

求U₀=?答案：

u₀=6+9=15VRVz₁V₂2u;U₀与普通二极管一样由PN

结构成也具有单向导电性。由磷化镓

(GaP)

等半导体材料制成，能直接将

电能转变成光能的发光

显示器件。有正向电流流过时，发出一定波长范围的光。0

1

2

3

4

5

6

7

8

9(a)

分段示意图

(b)

发光显示图七段字形数码显示器LED

是Light

Emitting

Diode的缩写发光二极管

(LED)7.3.2发光二极管光电二极管和普通二极管一样，也由一个PN结组成，

具有单方向导电性。不同之处是光电二极管的外壳上有一个透

明的窗口以便接收光线照射，实现光电转

换。是在反向电压作用下工作的，没有光

照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有

光照时，反向电流迅速增大，称为光电流。

光的强度越大，反向电流也越大。光的变

化引起光电二极管电流变化，这就可以把

光信号转换成电信号，成为光电传感器件。

在电路中通过它把光信号转换成电信号。

反向电流随光照强度的增加而上升。7.3IU照度增加7.3.3光电二极管NPN型基极B集电极NPN7.4晶体管7.4.1晶体管的构造和工作原理发射极C

BIg

E发射极CBTBE基极BIcIgIcIgPNPPNP型集电极符号7.47.4晶体管1.基本结构集

电

区

：面积较大基极基区：较薄

掺杂浓度低发射结发射区：掺杂浓度较高NPNE发射极集电极

集电结2.

工作原理

穿过集电结形成I要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。合形成IBIB三个极电流的关系为

IB+Ic=IEIc与IB之比称为电流放大倍数发射结正偏Eʙ发射区电

子不断向

基区扩散，

形成发射

极电流I集电结反偏IE7.4.2

晶体管的特性曲线1)输入特性UCE=0.5VTT

-∩T7IB7.4IcmA)-μAEcVUBE实验线路V

UCE死

RB硅

锗EB7.4.2特性曲线

2)输出特性Ic(mA)

当UCE大于一定的数

值

时

，Ic=βIB80μA60μA40μA20μAIp=069

12UCE(V)(放大区)

满足Ic=βIB321输出特性三个区域的特点：(1)放大区：

发射结正偏，集电结反偏。即：

Ic=BlB(2)饱和区：

发射结正偏，集电结正偏。即：UCE<UBE,βIB>Ic,UCE≈0.3V(3)截止区：

UBE<

死

区

电

压

，Ig=0,Ic=1cEo≈01B=0截止区

3

6

9

12

UcE(V)Ic(mA)100μA有三个区饱和区7.4.2特性曲线7.4例：β=50,

Ucc=12V,RB=70kΩ,Rc=6kΩ当UsB=-2V,2V,5V

时，晶体管的静态工作点Q

位

于哪个区?当UsB=-2V

时

：IB=0,Ic=0Q位于截止区Ic最大饱和电流：Ic=βIB=50×0.019mA=0.95mAUcE=Ucc-IRc=12-0.95×6=6.3V

可知

Q位于放大区例

：β=50,

Ucc=12V,RB=70kΩ,Rc=6kΩ当UsB=2V,2V

,5V时，晶体管的静态工作点Q

位

于哪个区?SBUsB=2V时7.4IBRERUCEUcc

).BD

E例

：β=50,Ucc=12V,RB=70kΩ,Rc=6kΩ当UsB=5V,2V,

5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区?UsB=5V

时

：Iʙ=

UsB-UBE=5-0.7

=0.061mAβIg=50×0.061mA=3.05m<1cmaxUcE=12-3.05×6=-6.3VQ位于饱和区，此时Ic和Ig已不是β倍的关系。工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为△B,相应集

电极电流变化为△Ic,则交流电流放大倍数为7.4.3

晶体管的主要参数1)电流放大倍数β和β直流电流放大倍数：例

：UcE=6V时

：IB=40μA,Ic=1.5mA;IB=60μA,Ic=2.3mA在以后的计算中，

一般作近似处理：

7.4·

集-射穿透电流ICEO基极开路，从集电极穿

透至发射极的电流ICEo受温度影响大，T个-

IcEo↑

个，Ic

也

相应增加7.4.3

主要参数2)极间反向电流·

集电结反向饱和电流ICBoIcBOIcEo=(1+β)IcBO三极管的温度特性较差发射结开路，集电结反

偏时由少子漂移形成的

反向电流，受温度影响3)极限参数

7.4.3

主要参数·集电极最大电流IcMIc过大，会导致β值下降，当降到正常值2/3时的Ic即为ICM·

反向击穿电压当C开

路

，B-E

间反向击穿电压BUEBO,一般约5V当E开路，C-B

间反向击穿电压BUc

Bo,一般约几十伏以上当B开路，C-E

间反向击穿电压BUceo.·

集电极最大允许功耗PcM·集电极电流Ic流过

三极管，所发出的焦耳热为

：Pc=icUCE·

必定导致结温上升所以Pc

有限制

P≤PcM比

BUcBo

小些

安全工作区IcUcE=PcM7.4.3

主要参数4)晶体管参数与温度的关系·IcBo与温度T成指数关系温度每增加10℃

,ICBo增大1倍·UBE

与温度的关系温度每升高1℃

,UBE减小2~2.5mV·

β与温度的关系温度每升高1℃,β增加0.5%~1%~测得工作在放大电路中几个三极管的三个电位如下图，判断他们是PNP型还是NPN型?是硅管还是锗管?同时确定三个电极3.5V

6YbC12V

NPN

硅管6VCb11.3V

PNP

硅管e

b12V

PNP

锗管

11.8VNPN

锗管e2.8Ve2.8V3VbC6Ye12V(1-36)共阴极接法的多个二极管，阳极电位高的导通，其它的截止共阳极接法的多个二极管，阴极电位低的导通，其它的截止RR12V

0

3V

o9V9VVD2导通，VD1截止VD1VD2VD1导

通

，VD2截止VD1VD2二极管为理想二极管，判断图中二极管的工作状态并求u₀OV-12V0V-3VVD1VD2R9VR9VVD1VD2uP(1-37)u₀3V0EE系列高精密电阻器-65℃—175℃防潮湿贴片排阻0603排阻0402排阻阻值偏差：

F=±1%G=±2%J=±5%K=±10%4148系列高精密金属

广泛用在航天、

航海的惯导、配电控制、精密测

量等系统中高稳定高精度第8章

放大电路基础8.1基本放大电路简述8.2基本共射放大电路8.3共集电极放大电路8.5OCL功率输出级的特点8.4多级放大电路第

8

章

放

大

电

路

基

础[教学要求]□建立放大器各种基本概念口掌握放大器基本单元电路的电特性口掌握分析放大器基本方法41估算法静态分析微变等效电路法动态分析计算机仿真

#共射放大电路共基放大电路共集放大电路以共射放大

电路为例讲

解工作原理三极管放

大电路有

三种形式放大

电路

分析集电极电源，保

证集电结反偏，并

为电路提供能量集电极电阻，将

变化的电流转变

为变化的电压。#8.2基本共射放大电路8.2.1

共射放大电路的静态估算法1、基本放大电路的组成耦合电容

10μF~50μF作用：隔直通交是否满足发射结正偏、集电结反偏?+VccRc基极偏

置电阻RB输

入输

出C₁8.2基本共射放大电路8.2.1共射放大电路的静态估算法静态分析

(采用估算法)静态分析目的：求出电路的静态工作点值根据直流通道估算Vcc-UBE_Vcc-0.7Ic=βIBUCE=Vcc-IcRcRBIBRcUBERB#工

作

点

值直流通道例

：用估算法计算静态工作点。已知：

Vcc=12V,Rc=4kΩ,RB=300kΩ,

β=37.5。Ic=βlB=βIg=37.5×0.04=1.5mAVCE=Ucc-IcRc=12-1.5×4=6VIB(60μA

以上)Ic

(较大)Uc≈0.3VIB(15-50μA)Ic≈

几个mA适中Uc≈Vcc/28.2RB[点击仿真一般地，共射电路工作点值在各区时有如下具体标志(参考):IB10μA

以下Ic

很小UCE≈Vcc

#解0-

R。300=0.04mA=40μA请注意电路中IB

和Ic的数量级。+VcRd放大区截止区饱和区

共射放大电路的图解分析法各点

纯

交

流波形RBC₁基本工作过程纯交流uu₀,输入微弱正弦信号，经三极管放大后，输出同频、反相、放大的正弦信号#

iBui点击祥看

u;直流载交流结

论ucuc1.从输入输出曲线上求三极管的静态工作点(IBo;IcoUcEe)2.观察各处波形有无失真3.

作图求出电压放大倍数U₀/U;

依UCE=Ec-IcRcQ点与纵轴交点为IcoQ1co画出直流负载线与IBo交

点

为Q

点IBo依UBE求

出IBoIBIBQ2.1.2

放

大

电

路

的

图

解

分

析

法UBEUBEQ点与横轴交

点

为UC

EQ目

的8.2.2UCEQuCE怎么变化ibUCE波形有无失真?IBibt会引起

i

很大的变化假设uBE有

一

微小的变化也会引起

ic很大的变化Q

tBEu;

Q

点这样变化uc相位如何#uce与u:反相!

放大倍数?图解分析法---动态分析8.2.2#A=“=iBuiu。Ucu₀直流载交流

纯交流电压放大倍数?各点波形8,2.2纯交流-8.22

工作点不合适，会引起波形失真iBict波形发生失真tIBQ点击仿真个iuCE#QUBE"1.三极管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结反偏。2.

正确设置静态工作点Q

,使整个波形处于放大区。3.输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。4.输出回路将变化的i

转化成变化的

uce,

经电容滤波只输

出交流信号。#实现放大的条件8,2.2与实现放大的条件相对应，判断的过程如下：1.信号能否输入到放大电路中。2.信号能否输出。3.晶体管必须满足发射结正偏，集电结反偏。4.正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。如果已给定电路的参数，则计算静态工作点来判断；如果未给定电路的参数，则假定参数设置正确。#如何判断一个电路是否能实现放大?8,2.28.2.3

放大电路的动态分析估算法静态分析微变等效电路法动态分析计算机仿真放大

电路

分析#当信号很小时，将输入特性在小范围内近似线性对输入的小交流

信号而言，三极

管相当于电阻rbe8.2.3共射放大电路的微变等效电路分析法

B

C1.三极管的微变等效电路

E输入回路iB△iBBrbeE即

：UBErbe的量级从几百欧到几千欧对于小功率三极管：BE等效为8.2.3共射放大电路的微变等效电路分析法1、三极管的微变等效电路输入回路

B

等效为

BrbeE输出回路

由于有

ic=Birc

的含义?

rbe=300(Ω)+(1+rce值很大，可略

B

·BE26(mV)IE(mA)CBi₆rbeE

EB

CE特点：负载电阻越小，放大倍数越小。#8.2.3

2、放大电路的微变等效电路分析法电压放大倍数的计算微变等

效电路8.2.3

2、放大电路的微变等效电路分析法输入输出电阻的计算输入与输出电阻的定义：Rj

ro≈Rc

rbeRc输入电阻r₁

输出电阻r₀电路的输入电阻越大，从信号源取得的电流越小，因此一般总是希望得到较大的的输入电阻。

#UBE固定偏置电路的Q

点是不稳定的，易靠近饱和区或截止区，从而导致失真。为此，需要改进偏置电路，当温度升高、

Ic增加时，能够自动减少IB,

从而抑制Q

点的变化，保持Q

点稳定。常采用分压式偏置电路来稳定静态工作点电路见下页#CEO决定，而这三个参数均随温度而变化，因此说温度对静态工作点有影响iB50℃25℃1.静态工作点稳定的原理T—→

▶

l

一▶

UE一▶

UBEIc↓

—

Ig↓分压式偏置电路(工作点的稳定静态共射放大电路)C₂R₂」CEReRERB₁[C₁RB₂UE=UB-UBE1.

静态分析见仿真电路u;u。。+VccRB

RC

C₂

C₁R₁uRECE见仿真电路Ic≈1E=23mAu。UCE=Vcc-IcRc-IERE=12-2.3×2-2.3×1=5.1V#例

：已知β=50,Ec=12V,RB₁=7.5kΩ,RB₂=2.5kΩ,

Rc=2kΩ,RB=1kΩ,

求该电路的静态工作点。UB-UBE=2.3mARER+RVcc=3VIE=8.2.4

分压式偏置电路动态分析画微变等效电路R'B

rbel

BL₆R[Rc求电压放大倍数求输入

电阻RBI[C₁RB₂[RCRERLCECCC₂u₀#rbeL

B

R₁[RcRE-βRc//Rrbe+(1+β)RERB₁C₁u;

RB₂[ro≈Rc静态分析不受影响动态分析不同

微变等效电路变为：8.2.4

问题1:如果去掉CE,

电路如何分析?R'sAu=r₁=RBI//RB₂//[rbe+1+βRE]RcRE[RLCECCC₂Uo#静态分析不受影响

仅R

变为R₁+RB₂动态分析

微变等效电路：IbR′g

rbe

Rz[RcRe1A,=

-βRc//R

ro≈RcTbe+(1+β)RE1r₁=RB₁//RB₂//[rbe+1+βRE]R.TRE1

RR₂D

C82④

问题2:如果电路如下图所示，如何分析?RB₁Cu。#例题

1)求静态值2)求电压放大倍数A3)

求r

和r₀0+20V12K

1.5KQC₁82.4解：接下页#静态值3Kus=7.12V500Au=-βc=34225=-106.6r;=12//3//0.426=360Ωro≈Rc=1.5kΩ0+20V1.5KQ500824

例题

1)求静态值2)求电压放大倍数A3)

求r

和r₀rbeLRc解

2

)先画微变等效电路：12KC₁s3KusR'BRsus#1)求静态值2)画微变等效电路3)求电压放大

倍数A

4)求Ausm

5

)

求r₂和r₀0+10V100K

3KQC₁4K

R.33K

200us

1.8K.3V#824

例题解：静态值5)

求输入电阻和输出电阻r;=100//33//(2.9+101×0.2)=12Kro≈Rc=3kΩ82.4例题解

2)R'BRsusrbeRE2)画微变等效电路：3)求Au=U₀IU₁R₂rbe

BI₆

U,

RBR

R,[(1+β)RLAu=rbe+(1+β)R'RL=RE//R#静态分析8.3共集电极放大电路-射极输出器电路构成CCR₆C₂RE

Rz

u₀动态分析E输入电阻较大，作为前

一级的负载，对前一级的放大倍数影响较

小且取得的信号大。输入电阻

r;r₁=RB

//{rbe+(1+β)R′}输出电阻较小，可以提高带负载能力8.3

射极输出器详看输出电阻的推导U,r;R′=R

//R输入电阻#1.将射极输出器放在电路的首级，可以提高输入电阻。2.将射极输出器放在电路的末级，可以降低输出电阻，提高带

负载能力。3.将射极输出器放在电路的两级之间，可以起到电路的匹配作用。rbe+(1+P)KLr;=RB//{rbe+(1+β)R}(R′=RE//R₁)2.输出电阻小3.放大倍数约为1#Vcc-UBER₀+(1+BR,8.3

射极输出器小结射极输出器的使用动态分析R'=R,//RE静RB[REC₂R₂|

u01.

求A

、r₁

和

r

。。2.设：R=1kΩ,求：Aus

、r:

和r。。例：已知射极输出器的参数如下：

RB=570kΩ,R_E=5.6kΩ

,

R_L=5.6kΩ

,

β=100

，V_CC=12V8.3解：IE=(1+β)IB=1.01mA30+101×2610=29k2Vcc-UBERB+(1+β)R3.Rz=1kΩ

时，求Au。26(mV)IE(mA)rbe=300(Ω)+(1+β)IB

二1.

求Au

、r;

和r。。rbe

βL₆RBRB

R₂|

U。微变等效电路r;=RB//[re+(1+β)R']=570//[2.9+(1+100)×2.8]R

B=570kΩ

,

R

E=5.6kΩ

,R₁=5.6kΩ,β=100,Vcc=12V=190kQ8.3rbe

βI,R₆RBR₂微变等效电路2.设

：R₅=1kΩ,

求：A₄

、r;

和r

。

8.3RB=570kΩ,RB=5.6kΩ,Rz=5.6kΩ,β=100,Vcc=12Vr=Rg//[r;e+(1+β)R'z]=190kQU,·R₂=∞

时101×5.6=0.9952.9+101×5.6比较：空

载

时

，A,=0.995Rz=5.6kΩ

时，A„=0.990Rz=1kΩ时，A=0.967可见：

射极输出器带负载能力强。8.3=0.967101×(5.6//1)2.9+101×(5.6//1)3.R₂=1kQ

和∞时，求A。耦合：即信号的传送。耦合方式：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；光电耦合。多级放大电路对耦合电路要求：1.静态：保证各级Q点设置2.

动态：传送信号，波形不失真，减少压降损失第二级

放大电路第

n

级放大电路功放级第

n-1

级放大电路第一级放大电路8.4多级放大电路8.4输入输

出#C₃T₂Ri2RE278k静态分析：Q

点计算同单级U。动

态分析：关

键

：考虑级间影响=RL1方法

：U。=U8.4

典型电路分析

设：β₁=β₂=50,rbe1=2.9kΩ,+Vcc

rbe₂=1.7

kΩR₁

R₂

Rc₂

(+24V)

求1)各级静态值1M

C₂

82k

10k27k

43kri2前级T₁RE₁

R₃Rs20k10k|CE后级C.C₁o1B₂RcB₂Rc2/R₂be2ri21+B₁)Re1/1i2rbe₁+1+β₁)RE//ri₂r₀=Rc₂RsR₃

//rbe2微变等效电

路ri2=R₂//r;=R₁//[rbe+(1+β₁RE₁//ri₂]8.4

典型电路动态分析belR₁RE1R₂o1RST₆代入数值Ti2=R₂//R₃//Tbe2其

中

：

RL₁′=RE₁//ri₂=RE₁//R₂//R₃//rbe₁=RE₁//RL₁=RE₁/I

r;₂=27//1.7≈1.7kΩ∴r;

=1000//(2.9+51×1.7)≈82kΩ2.r₀=Rc=10kΩ#

ri2=R₂//R3//Tbe2

ro=RC2r₁=R₁//[rbe+(1+β₁RE₁//ri₂]A₄₅=A×A₂=-147×0.778=-114.4电压放大倍数例

：放大电路由下面两个放大电路组成。已知VCC=15V,R₁=100kΩ,R₂=33kΩ,RE₁=2.5kΩ,Rc=5kΩ,β₁=60,;RB=570kΩ,RE₂=5.6kΩ,β₂=100,Rs=20kΩ,R₁=5kΩ+VccRcC₁2T₁u。RE1CE电路一RC₂1uiR₁CnR₂riT₂RE₂电路二C22u;1.

求直接采用放大电路一的放大倍数A和

A₄₅o2.若信号经放大电路一放大后，再经射极输出

器输出，求放大倍数A、r₂

和r。。3.

若