2026华润微电子招聘面试题及答案

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一、单项选择题（每题2分，共20分）1.半导体中载流子主要是（）A.电子B.离子C.质子D.中子2.MOSFET是（）A.双极型晶体管B.场效应晶体管C.晶闸管D.二极管3.集成电路制造中光刻的作用是（）A.去除杂质B.定义图形C.生长薄膜D.增强导电性4.以下哪种不属于常见半导体材料（）A.硅B.锗C.铜D.砷化镓5.半导体二极管的核心特性是（）A.双向导电性B.单向导电性C.放大特性D.开关特性6.在数字电路中，高电平一般用（）表示。A.0B.1C.-1D.27.芯片制造过程中的蚀刻是为了（）A.去除不需要的材料B.增加材料厚度C.改变材料颜色D.增强磁性8.晶体管按结构可分为（）A.NPN和PNPB.N沟道和P沟道C.IGBT和MOSFETD.以上都对9.半导体存储器中，ROM是（）A.随机存储器B.只读存储器C.动态存储器D.静态存储器10.摩尔定律指的是集成电路上可容纳的晶体管数目约（）翻一番。A.每半年B.每年C.每18-24个月D.每3年二、多项选择题（每题2分，共20分）1.半导体的特性有（）A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.超导性2.常见的半导体制造工艺包含（）A.光刻B.蚀刻C.薄膜沉积D.离子注入3.数字电路中的基本逻辑门有（）A.与门B.或门C.非门D.同或门4.半导体器件散热的方法有（）A.加装散热片B.使用风扇C.采用水冷D.涂覆导热硅脂5.集成电路按集成度可分为（）A.小规模集成电路B.中规模集成电路C.大规模集成电路D.超大规模集成电路6.以下属于模拟电路的有（）A.放大器B.滤波器C.计数器D.振荡器7.半导体材料的应用领域包括（）A.通信B.计算机C.新能源D.汽车电子8.MOSFET的特点有（）A.输入阻抗高B.开关速度快C.驱动功率小D.电流容量大9.在半导体制造中，用来控制掺杂浓度的方法有（）A.离子注入B.扩散C.氧化D.光刻10.存储芯片的类型有（）A.SRAMB.DRAMC.FLASHD.EEPROM三、判断题（每题2分，共20分）1.半导体的导电性介于导体和绝缘体之间。（）2.所有晶体管都具有放大作用。（）3.光刻工艺中不需要使用掩膜版。（）4.数字电路处理的是连续变化的电信号。（）5.集成电路制造过程中，清洗是重要的环节。（）6.半导体二极管正向偏置时导通，反向偏置时截止。（）7.场效应晶体管是电流控制型器件。（）8.芯片制造过程中，温度对工艺没有影响。（）9.只读存储器中的数据在断电后会丢失。（）10.半导体材料只能是单质，不能是化合物。（）四、简答题（每题5分，共20分）1.简述半导体的热敏性。2.说明光刻工艺的基本步骤。3.数字电路和模拟电路的主要区别是什么？4.简述MOSFET的工作原理。五、讨论题（每题5分，共20分）1.讨论半导体行业未来的发展趋势。2.谈谈你对半导体芯片自主研发的看法。3.分析半导体制造过程中可能遇到的挑战。4.探讨如何提高半导体器件的散热效率。答案一、单项选择题1.A2.B3.B4.C5.B6.B7.A8.D9.B10.C二、多项选择题1.ABC2.ABCD3.ABC4.ABCD5.ABCD6.ABD7.ABCD8.ABC9.AB10.ABCD三、判断题1.√2.×3.×4.×5.√6.√7.×8.×9.×10.×四、简答题1.半导体的热敏性指其导电性随温度变化显著。温度升高，半导体中载流子浓度增加，导电性增强；反之则减弱。2.光刻基本步骤：涂覆光刻胶、曝光（用掩膜版使光刻胶部分感光）、显影（去除已感光或未感光光刻胶）、刻蚀（对下层材料加工）、去胶。3.数字电路处理离散的数字信号，如0和1；模拟电路处理连续变化的电信号。数字电路侧重逻辑运算，模拟电路侧重信号的放大、滤波等。4.MOSFET通过栅极电压控制沟道的导通与截止。当栅极加合适电压，形成导电沟道，源极和漏极导通；电压不合适，沟道消失，器件截止。五、讨论题1.未来半导体行业将向更高集成度、更小尺寸、更低功耗发展。在人工智能、物联网等领域需求推动下，技术创新加快，应用范围更广。2.半导体芯片自主研发很关键，可摆脱对国外技术依赖，保障国家安全。能提升我国科技竞争力，带动上下游产业发展，推动科技自立自强。3.半导体制造挑战有：