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通信电子线路》2025年学年期末试卷及答案一、选择题(每题2分,共20分)1.某高频小信号放大器的噪声系数为3dB,其噪声温度约为()A.290KB.580KC.870KD.1160K2.某LC谐振放大器的中心频率为10MHz,通频带为200kHz,若将负载电容增大为原来的4倍,新的通频带约为()A.50kHzB.100kHzC.400kHzD.800kHz3.丙类功率放大器的导通角通常()A.大于180°B.等于180°C.小于90°D.在90°~180°之间4.标准AM调制信号的包络反映了()A.载波信号的幅度变化B.调制信号的幅度变化C.调制信号的频率变化D.载波信号的频率变化5.石英晶体振荡器的频率稳定度远高于LC振荡器,主要原因是()A.晶体的Q值极高B.晶体体积小C.晶体温度系数为零D.晶体等效电感大6.混频器中,若输入信号频率为f_s=1000kHz,本振频率为f_L=1500kHz,则镜像干扰频率为()A.500kHzB.2000kHzC.2500kHzD.3000kHz7.斜率鉴频器的核心是将()A.频率变化转换为相位变化B.相位变化转换为幅度变化C.频率变化转换为幅度变化D.幅度变化转换为频率变化8.锁相环(PLL)的基本组成不包括()A.鉴相器(PD)B.环路滤波器(LF)C.压控振荡器(VCO)D.功率放大器(PA)9.直接调频与间接调频相比,主要优点是()A.频偏容易做大B.中心频率稳定度高C.电路简单D.调制线性好10.高频小信号放大器稳定工作的关键是()A.提高电压增益B.减小通频带C.消除晶体管内部反馈D.增大负载电阻二、填空题(每题2分,共20分)1.噪声温度T与噪声系数F的关系为T=________(以室温T0=290K为参考)。2.LC谐振放大器的矩形系数K_r0.1定义为________与通频带B的比值。3.丙类功率放大器的集电极效率η_c主要取决于________和导通角θ。4.AM调制信号的总功率P_AM=P_c(1+________),其中P_c为载波功率,m_a为调制指数。5.石英晶体的等效电路包含串联谐振电感L、电容C和电阻r,以及一个并联电容C0,其串联谐振频率f_s=________。6.混频器的变频损耗定义为________功率与输出中频功率的比值。7.鉴频特性曲线的线性范围是指输出电压与输入频率呈线性关系的________范围。8.锁相环实现频率跟踪时,环路处于________状态。9.调频信号的最大频偏Δf_m与调制信号的________成正比,与调制信号的频率无关。10.高频小信号放大器中,为抑制自激振荡,常用中和法或________法抵消晶体管的内部反馈。三、简答题(每题6分,共30分)1.为什么高频小信号放大器通常采用共发射极(共射)电路?2.丙类功率放大器效率高,但为何需要谐振回路作为负载?3.比较AM调制与DSB调制的频谱特点,并说明AM调制的主要缺点。4.简述锁相环(PLL)实现频率合成的基本原理。5.直接调频与间接调频各有什么优缺点?四、分析计算题(共30分)1.(8分)某高频小信号谐振放大器采用NPN晶体管,已知:谐振频率f0=10MHz,回路电感L=1μH,Q0=100,外接负载电阻RL=5kΩ,晶体管的正向传输导纳g_f=50mS,输出电容C_oe=5pF,输入电容C_ie=10pF。(1)计算谐振回路的总电容C(包括分布电容);(2)计算放大器的电压增益Av0;(3)若要求通频带B=200kHz,需并联多大的电阻R_p?(提示:回路总电导gΣ=1/(Q0ω0L)+g_oe+g_L,g_oe≈C_oeω0/Qe,g_L=1/RL)2.(8分)某丙类功率放大器工作于临界状态,已知:电源电压V_cc=24V,集电极电流脉冲最大值I_cmax=2A,导通角θ=60°(查表得:α0(60°)=0.218,α1(60°)=0.391)。(1)计算集电极直流电流I_c0和基波电流I_c1;(2)计算输出功率P_o和直流输入功率P_d;(3)计算集电极效率η_c;(4)求谐振回路的最佳负载电阻R_p。3.(7分)已知调制信号u_Ω(t)=2cos(2π×10^3t)V,载波信号u_c(t)=10cos(2π×10^6t)V,采用AM调制,调制指数m_a=0.5。(1)写出AM调制信号的表达式;(2)画出其频谱图(标注频率和幅度);(3)计算调制信号的总功率(设负载为1Ω)。4.(7分)某斜率鉴频器的输入为调频信号u_fm(t)=U_mcos[ω_ct+Δω_m/Ω·sinΩt],其中Δω_m=2π×10^4rad/s,Ω=2π×10^3rad/s,鉴频灵敏度S_d=5mV/kHz。(1)求调频信号的最大频偏Δf_m和调制指数m_f;(2)画出鉴频器输入频率随时间的变化曲线(标注关键值);(3)计算鉴频器输出电压u_o(t)的表达式。答案一、选择题1.B2.A3.D4.B5.A6.B7.C8.D9.A10.C二、填空题1.(F-1)T02.10%幅度处的带宽B0.13.集电极电压利用系数ξ4.m_a²/25.1/(2π√(LC))6.输入信号7.频率8.锁定9.幅度10.失配三、简答题1.共射电路的电流增益和电压增益均较大,输入阻抗和输出阻抗适中,且高频特性较好(特征频率f_T较高),适合高频小信号放大;同时,其基极接地便于偏置电路设计,因此高频小信号放大器常用共射电路。2.丙类功放的导通角θ<90°,集电极电流为周期性脉冲,包含丰富的谐波分量。谐振回路可选择基波频率谐振,滤除谐波,使负载上仅获得基波电压,从而输出不失真的高频信号;同时,谐振回路的阻抗特性可匹配功放的最佳负载,提高效率。3.AM调制的频谱包含载波分量和上下边带,带宽为2F(F为调制信号最高频率);DSB调制无载波分量,仅含上下边带,带宽与AM相同。AM的缺点:载波分量不携带信息但占用大部分功率(当m_a=1时,边带功率仅占总功率的1/3),功率利用率低;抗噪声性能较差。4.锁相环通过鉴相器(PD)比较输入参考频率f_r与压控振荡器(VCO)输出频率f_o的相位差,产生误差电压;误差电压经环路滤波器(LF)滤波后控制VCO的频率,使f_o跟踪f_r。通过在环路中插入分频器或倍频器,可得到f_o=Nf_r(N为整数),实现频率合成。5.直接调频:优点是频偏容易做大(通过改变VCO的控制灵敏度),调制线性较好;缺点是中心频率稳定度低(VCO受温度、电源等影响)。间接调频:优点是中心频率稳定(载波由高稳定度振荡器产生);缺点是频偏较小(需通过倍频器扩展,导致设备复杂),调制线性较差。四、分析计算题1.(1)谐振频率f0=1/(2π√(LC)),解得C=1/(4π²f0²L)=1/(4π²×(10^7)^2×10^-6)≈253pF(含C_oe和分布电容)。(2)回路有载Qe=ω0LgΣ⁻¹,gΣ=1/(Q0ω0L)+g_oe+g_L。g_oe≈C_oeω0/Qe(近似),但更准确的计算:gΣ=1/(Q0ω0L)+1/RL(忽略g_oe)。ω0=2π×10^7rad/s,Q0ω0L=100×2π×10^7×10^-6≈6283Ω,故gΣ≈1/6283+1/5000≈3.2×10^-4S。电压增益Av0=g_f/(gΣ)=50×10^-3/3.2×10^-4≈156.25。(3)通频带B=f0/Qe,Qe=f0/B=10^7/2×10^5=50。原Qe0=Q0/(1+Q0g_Lω0L)=100/(1+100×(1/5000)/(2π×10^7×10^-6))≈80(近似)。需并联电阻R_p使Qe=50,gΣ'=ω0L/Qe=2π×10^7×10^-6/50≈1.257×10^-3S。原gΣ=1/(Q0ω0L)+1/RL≈1.6×10^-4+2×10^-4=3.6×10^-4S,故需增加的电导Δg=1.257×10^-3-3.6×10^-4≈8.97×10^-4S,R_p=1/Δg≈1115Ω。2.(1)I_c0=α0(θ)I_cmax=0.218×2=0.436A;I_c1=α1(θ)I_cmax=0.391×2=0.782A。(2)P_d=V_ccI_c0=24×0.436≈10.46W;P_o=1/2×V_cc×I_c1×ξ(临界状态ξ≈1),故P_o≈1/2×24×0.782≈9.38W。(3)η_c=P_o/P_d≈9.38/10.46≈90%。(4)R_p=V_cc/(I_c1)≈24/0.782≈30.7Ω(临界状态时,V_cm≈V_cc)。3.(1)u_AM(t)=10[1+0.5×2cos(2π×10^3t)]cos(2π×10^6t)=10(1+cos(2π×10^3t))cos(2π×10^6t)V。(2)频谱包含载波10MHz(幅度10V),上下边频10MHz±1kHz(幅度5V)。(3)载波功率P_c=10²/2=50W;每个边带功率P_sb=(5)²/2=12.5W,总功

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