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2025年大学电子科学与技术(半导体器件)试题及答案
(考试时间:90分钟满分100分)班级______姓名______第I卷(选择题,共40分)本卷共20题,每题2分。每题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的。1.以下哪种半导体材料的导电性最好?A.本征半导体B.N型半导体C.P型半导体D.无法确定2.当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流。A.大于B.小于C.等于D.不确定3.半导体二极管的反向饱和电流随温度升高而()。A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小4.稳压二极管工作在()状态。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.放大5.晶体管的电流放大倍数β与()有关。A.集电极电流B.基极电流C.发射极电流D.温度6.共发射极放大电路中,输出电压与输入电压的相位关系是()。A.同相B.反相C.超前90°D.滞后90°7.场效应管是利用()来控制漏极电流的。A.栅源电压B.漏源电压C.源极电流D.栅极电流8.增强型MOS管在栅源电压为零时,漏极电流()。A.不为零B.为零C.不确定D.很大9.对于N沟道耗尽型MOS管,当栅源电压小于零时,漏极电流()。A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小10.集成运算放大器的输入级通常采用()电路。A.共发射极B.共集电极C.差分放大D.功率放大11.理想集成运算放大器的开环电压放大倍数为()。A.无穷大B.零C.有限值D.不确定12.集成运算放大器工作在非线性区时,输出电压为()。A.正饱和值或负饱和值B.零C.不确定D.与输入电压成正比13.整流电路的作用是()。A.将交流电压转换为直流电压B.将直流电压转换为交流电压C.放大信号D.滤波信号14.滤波电路的作用是()。A.滤除交流成分,保留直流成分B.滤除直流成分,保留交流成分C.放大信号D.整流信号15.稳压电路的作用是()。A.稳定输出电压B.稳定输出电流C.放大信号D.整流信号16.串联型稳压电路中,调整管工作在()状态。A.放大B.饱和C.截止D.开关17.开关型稳压电源的效率比线性稳压电源()。A.高B.低C.相同D.不确定18.数字电路中,最基本的逻辑门是()。A.与门B.或门C.非门D.与非门19.逻辑函数F=A+B的对偶式是()。A.F'=A·BB.F'=A+BC.F'=A'·B'D.F'=A'+B'20.触发器是一种具有()功能的基本逻辑单元。A.记忆B.计数C.译码D.编码第II卷(非选择题,共60分)(一)填空题(共10分,每题2分)1.半导体中的载流子有()和()。2.PN结具有()特性。3.晶体管有()、()和()三个电极。4.场效应管可分为()和()两大类。5.集成运算放大器主要由()、()、()和()四部分组成。(二)简答题(共20分,每题5分)1.简述PN结的形成过程。2.说明晶体管的电流放大原理。3.简述场效应管的特点。4.简述集成运算放大器的理想化条件。(三)分析计算题(共20分,每题10分)1.已知某半导体二极管的反向饱和电流IS=10μA,当外加正向电压VF=0.6V时,求此时的正向电流IF。(设二极管的伏安特性满足方程IF=IS(eVF/UT-1),UT=26mV)2.如图所示的共发射极放大电路,已知晶体管的β=50,RB=300kΩ,RC=3kΩ,VCC=12V,试求:(1)静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ;(2)电压放大倍数Au。(四)综合题(共10分)某电子设备需要一个稳压电源,要求输出电压UO=12V,输出电流IO=1A。已知输入电压UI=20V,现有一个三端稳压器7812,试设计一个稳压电路,并说明其工作原理。答案:第I卷选择题答案:1.B2.A3.A4.C5.D6.B7.A8.B9.B10.C11.A12.A13.A14.A15.A16.A17.A18.C19.A20.A第II卷填空题答案:1.电子、空穴2.单向导电性3.发射极、基极、集电极4.结型场效应管、绝缘栅型场效应管5.输入级、中间级、输出级、偏置电路第II卷简答题答案:1.在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。在N型半导体和P型半导体的交界面处,由于载流子浓度的差异,N区的电子向P区扩散,P区的空穴向N区扩散,形成空间电荷区,即PN结。2.当晶体管的发射结正偏、集电结反偏时,发射区向基区发射电子,基区中少量电子与空穴复合形成基极电流,大部分电子扩散到集电区形成集电极电流,集电极电流远大于基极电流,从而实现电流放大。3.输入电阻高、输出电阻低、噪声低、温度稳定性好、抗辐射能力强等。4.开环电压放大倍数无穷大、输入电阻无穷大、输出电阻为零、共模抑制比无穷大。第II卷分析计算题答案:1.已知IS=10μA,VF=0.6V,UT=26mV,代入方程IF=IS(eVF/UT-1)可得:IF=10×10^(-6)×(e^(0.6/0.026)-1)≈1.53mA。2.(1)IBQ=(VCC-UBEQ)/RB=(12-0.7)/300≈0.038mA;ICQ=βIBQ=50×0.038=1.9mA;UCEQ=VCC-ICQRC=12-1.9×3=6.3V。(2)Au=-βRC/rbe,rbe=200+(1+β)26mV/IEQ≈1.5kΩ,Au=-50×3/1.5=-100。第II卷综
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