数字集成电路-从经典物理到智能设计 课件 6.晶体管动态特性_第1页
数字集成电路-从经典物理到智能设计 课件 6.晶体管动态特性_第2页
数字集成电路-从经典物理到智能设计 课件 6.晶体管动态特性_第3页
数字集成电路-从经典物理到智能设计 课件 6.晶体管动态特性_第4页
数字集成电路-从经典物理到智能设计 课件 6.晶体管动态特性_第5页
已阅读5页，还剩9页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

数字集成电路MOSFET电容——动态特性MOSFET电容MOSFET立体图MOSFET动态特性动态响应取决于本征寄生电容、由互连线及负载引起的额外电容所需要时间本征电容来源：基本MOS结构、沟道电荷以及漏和源反向偏置pn结的耗尽区除MOS结构电容外，其它两个都是非线性且随外加电压变化CO：单位晶体管宽度的覆盖电容toxn+n+剖面图LGateoxidexdxdLd

多晶硅栅俯视图栅-体交叠源n+漏n+WXd：横向扩散栅电容MOS结构电容SDGCGCSDGCGCSDGCGC截止区线性区饱和区数字设计中最重要的工作状态：饱和，截止CGC:CGCS,CGCD,CGCB取决于工作区域、端口电压源漏间导体CGCB=0沟道电容CGCCGC与VGS的关系(VDS=0)CGC

与饱和程度关系栅至沟道电容的分布情况与VGS和VDS的关系（CGCS,CGCD

随沟道状态变化）VT耗尽区d增加饱和增加，总CGC变小沟道电容工作区域CGCBCGCSCGCDCGCCG=CGC+2CGSO截止区COXWL00COXWLCOXWL+2COW电阻区0COXWL/2COXWL/2COXWLCOXWL+2COW饱和区02COXWL/302COXWL/32COXWL/3+2COW不同工作区域MOS沟道电容的平均分布情况底板侧壁侧壁沟道源ND沟道阻挡注入

NA＋衬底NAWxjLS源-体漏-体pn结底板pn结侧壁pn结非线性耗尽区范围随电压变化结电容（扩散电容）Cj:F/cm2

单位面积结电容（掺杂）WLS:结面积底板pn结电容突变结:Na→Nd线性渐变结:N→f(x)由源区及沟道阻挡层注入形成阻挡层的掺杂浓度通常大于衬底的掺杂于是形成单位面积较大的电容侧壁结均为缓变mj=0.3~0.5Xj：结深C’jsw：单位长度侧壁电容Cjsw：单位周长侧壁电容侧壁pn结电容底板侧壁侧壁沟道源ND沟道阻挡注入

NA＋衬底NAWxjLS器件电容模型0.25umCMOS工艺NMOS和PMOS管电容参数0.25umCMOS电容3.17计算图中M1的栅电容和扩散电容。假设源区和漏区为矩形，宽1um，长0.5um。（1）利用上页表中的参

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论