标准解读
《GB/T 44937.2-2025 集成电路 电磁发射测量 第2部分:辐射发射测量 TEM小室和宽带TEM小室法》是一项国家标准,该标准详细规定了使用TEM(Transverse Electromagnetic)小室及宽带TEM小室对集成电路的辐射发射进行测量的方法。其主要目的是为了提供一种标准化的测试手段来评估集成电路在正常工作状态下对外部环境产生的电磁干扰水平,从而帮助制造商确保产品符合相关电磁兼容性要求。
标准首先定义了一些基本术语和概念,比如什么是TEM小室、宽带TEM小室以及它们各自的特点与适用范围。接着介绍了测试前准备工作,包括但不限于测试环境的选择、设备校准等步骤,以保证测试结果的准确性和可重复性。对于测试过程,则详述了如何设置被测件、如何连接测试仪器、具体的测量程序等内容,并且还提供了关于数据处理与分析的方法指导,以便于从原始测量数据中提取出有用信息。
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....
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- 即将实施
- 暂未开始实施
- 2025-12-31 颁布
- 2026-07-01 实施
文档简介
ICS31200
CCSL.56
中华人民共和国国家标准
GB/T449372—2025/IEC61967-22005
.:
集成电路电磁发射测量
第2部分辐射发射测量TEM小室和
:
宽带TEM小室法
Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions—
Part2Measurementofradiatedemissions—TEMcelland
:
widebandTEMcellmethod
IEC61967-22005Interatedcircuits—Measurementofelectromanetic
(:,gg
emissions150kHzto1GHz—Part2Measurementofradiatedemissions—
:
TEMCellandwidebandTEMCellmethodIDT
,)
2025-12-31发布2026-07-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T449372—2025/IEC61967-22005
.:
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范围
1………………………1
规范性引用文件
2…………………………1
术语和定义
3………………1
概述
4………………………2
试验条件
5…………………2
通则
5.1…………………2
供电电压
5.2……………2
频率范围
5.3……………2
试验设备
6…………………2
通则
6.1…………………2
屏蔽
6.2…………………2
射频测量仪器
6.3………………………2
前置放大器
6.4…………………………2
小室
6.5TEM……………2
宽带小室
6.6TEM(GTEM)……………3
终端
6.750Ω……………3
系统增益
6.8……………3
试验布置
7…………………3
通则
7.1…………………3
试验配置
7.2……………3
试验
7.3PCB……………4
试验程序
8…………………5
通则
8.1…………………5
测量环境噪声
8.2………………………6
检查工作状态
8.3DUT………………6
测量发射
8.4DUT……………………6
试验报告
9…………………6
通则
9.1…………………6
测量条件
9.2……………6
发射参考电平
10IC………………………6
附录资料性校准和布置验证表示例
A()………………7
附录资料性小室和宽带小室描述
B()TEMTEM……………………8
小室
B.1TEM……………8
Ⅰ
GB/T449372—2025/IEC61967-22005
.:
宽带小室
B.2TEM……………………8
附录资料性根据测得的数据计算偶极矩
C()…………9
概述
C.1…………………9
偶极矩的计算
C.2………………………9
附录资料性发射数据规范
D()…………10
概述
D.1…………………10
发射电平规范
D.2………………………10
结果表述方式
D.3………………………10
示例
D.4…………………11
参考文献
……………………12
Ⅱ
GB/T449372—2025/IEC61967-22005
.:
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件是集成电路电磁发射测量的第部分已经发布了以下
GB/T44937《》2。GB/T44937
部分
:
第部分通用条件和定义
———1:;
第部分辐射发射测量小室和宽带小室法
———2:TEMTEM;
第部分辐射发射测量表面扫描法
———3:;
第部分传导发射测量直接耦合法
———4:1Ω/150Ω;
第部分传导发射测量工作台法拉第笼法
———5:;
第部分传导发射测量磁场探头法
———6:;
第部分辐射发射测量带状线法
———8:IC。
本文件等同采用集成电路电磁发射测量第部分辐射
IEC61967-2:2005《150kHz~1GHz2:
发射测量小室和宽带小室法
TEMTEM》。
本文件做了下列最小限度的编辑性改动
:
为与现有标准协调将标准名称改为集成电路电磁发射测量第部分辐射发射测量
———,《2:
小室和宽带小室法
TEMTEM》。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出
。
本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口
(SAC/TC599)。
本文件起草单位中国电子技术标准化研究院浙江诺益科技有限公司中国汽车工程研究院股份
:、、
有限公司海研芯青岛微电子有限公司厦门海诺达科学仪器有限公司中山大学苏州泰思特电子科
、()、、、
技有限公司北京智芯微电子科技有限公司天津先进技术研究院工业和信息化部电子第五研究所
、、、、
北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司中汽研新能源汽车检验中心天津有限公司中国家用电
、()、
器研究院南京信息工程大学广州赛宝计量检测中心服务有限公司海军电磁兼容研究检测中心中国
、、、、
合格评定国家认可中心福州物联网开放实验室有限公司极氪汽车宁波杭州湾新区有限公司中国
、、()、
北方车辆研究所中国信息通信研究院合兴汽车电子太仓有限公司深圳市必联电子有限公司中航
、、()、、
光电科技股份有限公司柳州汽车检测有限公司重庆新民康科技优先公司拢泽上海技术有限公司
、、、()。
本文件主要起草人郑益民崔强付君黄雪梅吴建飞方文啸朱赛张治中胡小军李焕然
:、、、、、、、、、、
符荣杰王新才梁吉明褚瑞李齐菅端端张洁谭泽强亓新陈彦张勇刘佳赖秋辉朱崇铭
、、、、、、、、、、、、、、
赵骥王紫任李旺刘海涛郭辉张吉宇陈小勇鲍宇航
、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T449372—2025/IEC61967-22005
.:
引言
为规范集成电路电磁发射测量以及为集成电路制造商和检测机构提供不同的电磁发射测量方
,
法集成电路电磁发射测量规定了集成电路电磁发射测量的通用条件定义和不同测
,GB/T44937《》、
量方法的试验程序和试验要求拟由个部分构成
,9。
第部分通用条件和定义目的在于规定集成电路电磁发射测量的通用条件和定义
———1:。。
第部分通用条件和定义近场扫描数据交换格式目的在于规定近场扫描数据交换
———1-1:。
格式
。
第部分辐射发射测量小室和宽带小室法目的在于规定小室和宽带
———2:TEMTEM。TEM
小室法的试验程序和试验要求
TEM。
第部分辐射发射测量表面扫描法目的在于规定表面扫描法的试验程序和试验要求
———3:。。
第部分传导发射测量直接耦合法目的在于规定直接耦合法的
———4:1Ω/150Ω。1Ω/150Ω
试验程序和试验要求
。
第部分传导发射测量直接耦合法应用指南目的在于给出直
———4-1:1Ω/150Ω。1Ω/150Ω
接耦合法应用指导
。
第部分传导发射测量工作台法拉第笼法目的在于规定工作台法拉第笼法的试验程序
———5:。
和试验要求
。
第部分传导发射测量磁场探头法目的在于规定磁场探头法的试验程序和试验要求
———6:。。
第部分辐射发射测量带状线法目的在于规定带状线法的试验程序和试验要求
———8:IC。IC。
Ⅳ
GB/T449372—2025/IEC61967-22005
.:
集成电路电磁发射测量
第2部分辐射发射测量TEM小室和
:
宽带TEM小室法
1范围
本文件描述了一种测量集成电路电磁辐射的方法受试需安装在一块试验印制电路板
(IC)。ICIC
上该固定在横电磁波小室或者吉赫兹横电磁波小室顶部或底部切割出
(PCB),PCB(TEM)(GTEM)
的一个匹配端口称为壳体端口上该不像通常用法位于小室内而是作为小室壁面的一部分
()。PCB,。
本方法适用于任何修改后增加了壳体端口的小室或小室见附录但是被测的射频
TEMGTEM(B)。,
电压将会受到很多因素的影响影响被测电压的主要因素是芯板和试验小室壳体
(RF)。RFICPCB()
之间的距离
。
本方法使用小室芯板与地平面距离为和小室芯板与匹配端口区域
1GHzTEM(45mm)GTEM(
地平面平均距离为进行试验其他小室或许不用产生同样的频谱输出但只要频率和灵敏度
45mm)。,
特性允许也能用作比较测量使用对于地平面与芯板间距不同的小室或小室产生的测
,。TEMGTEM
量数据在应用修正系数后再进行比较
,。
试验控制着工作的相对于小室的几何位置和方向避免了在小室内的任何电缆连接
ICPCBIC,IC
这些线缆布置于背面位于小室外部小室的一个端口端接负载小室
(PCB,)。TEM50Ω50Ω。TEM
的另一个端口或小室的唯一一个端口连接到频谱分析仪或接收机的输入端用以
50ΩGTEM50Ω,,
测量
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