电子半导体考试题及答案

电子半导体考试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）1.以下哪种材料常用于制造半导体器件？A.铜B.硅C.铁D.铝2.本征半导体中，电子浓度和空穴浓度的关系是（）A.电子浓度大于空穴浓度B.电子浓度小于空穴浓度C.电子浓度等于空穴浓度D.不确定3.N型半导体中的多数载流子是（）A.电子B.空穴C.离子D.光子4.当PN结外加正向电压时，PN结（）A.变宽B.不变C.变窄D.不确定5.二极管的主要特性是（）A.放大作用B.单向导电性C.稳压作用D.整流作用6.三极管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置情况是（）A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏7.场效应管是（）控制型器件。A.电流B.电压C.电阻D.电容8.集成运算放大器是一种（）放大电路。A.直接耦合B.阻容耦合C.变压器耦合D.光电耦合9.半导体存储器中，（）是易失性存储器。A.ROMB.RAMC.EPROMD.EEPROM10.以下哪种电路可以将交流电转换为直流电？A.放大电路B.振荡电路C.整流电路D.滤波电路答案：1.B2.C3.A4.C5.B6.B7.B8.A9.B10.C二、多项选择题（每题2分，共20分）1.下列属于半导体材料的有（）A.硅B.锗C.砷化镓D.铜2.影响半导体导电性能的因素有（）A.温度B.光照C.杂质D.湿度3.PN结的特性包括（）A.单向导电性B.电容特性C.击穿特性D.放大特性4.二极管的主要参数有（）A.最大整流电流B.最高反向工作电压C.反向电流D.结电容5.三极管的三个电极分别是（）A.基极B.发射极C.集电极D.栅极6.场效应管的优点有（）A.输入电阻高B.噪声低C.功耗小D.抗辐射能力强7.集成运算放大器的应用包括（）A.信号放大B.信号运算C.信号处理D.信号产生8.半导体存储器按功能可分为（）A.随机存取存储器B.只读存储器C.顺序存取存储器D.直接存取存储器9.下列电路中，属于数字电路的有（）A.逻辑门电路B.触发器C.计数器D.放大器10.常见的滤波电路有（）A.电容滤波B.电感滤波C.复式滤波D.有源滤波答案：1.ABC2.ABC3.ABC4.ABCD5.ABC6.ABCD7.ABCD8.AB9.ABC10.ABCD三、判断题（每题2分，共20分）1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）2.本征半导体中没有载流子。（）3.在N型半导体中，空穴是多数载流子。（）4.PN结加反向电压时，处于截止状态。（）5.二极管只要加正向电压就一定会导通。（）6.三极管可以把小电流放大成大电流。（）7.场效应管的输入电流很大。（）8.集成运算放大器只能进行放大运算。（）9.ROM中的数据在断电后不会丢失。（）10.整流电路可以将直流电转换为交流电。（）答案：1.√2.×3.×4.√5.×6.√7.×8.×9.√10.×四、简答题（每题5分，共20分）1.简述半导体的特性。答案：半导体具有热敏性，温度升高导电能力增强；光敏性，光照增强导电能力变化；掺杂特性，掺入微量杂质可显著改变导电性能。2.说明二极管的单向导电性原理。答案：PN结正向偏置时，多子扩散形成较大正向电流，PN结导通；反向偏置时，少子漂移形成很小反向电流，PN结截止，所以二极管有单向导电性。3.简述三极管的三种工作状态及条件。答案：放大状态，发射结正偏、集电结反偏；饱和状态，发射结和集电结均正偏；截止状态，发射结和集电结均反偏。4.简述集成运算放大器的理想化条件。答案：开环电压放大倍数无穷大，输入电阻无穷大，输出电阻为零，共模抑制比无穷大，失调电压、失调电流及其温漂均为零。五、讨论题（每题5分，共20分）1.讨论半导体材料在现代电子技术中的重要性及应用领域。答案：半导体是现代电子技术基础，在计算机芯片、通信设备如手机基站、家电控制芯片等领域广泛应用，推动了电子设备小型化、高性能化发展。2.探讨如何提高二极管的整流效率。答案：可选用合适的二极管材料和工艺，降低正向导通电阻；优化电路设计，如采用桥式整流电路；合理搭配滤波电路，减少输出直流电压中的交流成分，提高整流效率。3.分析三极管放大电路中静态工作点的作用及如何设置。答案：静态工作点保证放大电路不失真放大信号。通过选择合适的电源电压，调整偏置电阻大小，