2025英飞凌消费、计算与通讯创新大会：氮化镓功率器件：技术、应用及未来展望

氮化镓功率器件：技术、应用及未来展望弓小武西安电子科技大学广州研究院

教授2025.3.14西安毛子种技大學

广州研究院XIDIAN

UNIVERSITY

GuangzhouInstituteofTechnology氮化镓材料与器件简介氮化镓功率器件技术氮化镓功率器件应用氮化镓功率器件未来展望结束语目

录CONTENTS西安毛子种技大學

广州研究院XIDIAN

UNIVERSITY

GuangzhouInstituteofTechnology1.2.3.5.01氮化镓材料与器件简介西安毛子种技大學

广州研究院XIDIAN

UNIVERSITY

GuangzhouInstituteofTechnology材料特性第一代第二代第三代SiGaAsInPSiCGaN禁带宽度(eV)1.121.41.33.23.39相对介电常数11.713.112.59.79.8绝缘击穿场强(MV/cm)0.30.40.52.23.3电子漂移饱和速度(107cm/s)12122.5热导率(W/cm

·K)1.50.50.74.52~3电子迁移率(cm²/V·

s)1350850054009001000功率密度(W/mm)0.20.51.8~10>30—Si高压工作—4H-SiC

—GaN带隙宽度[eV]高频开关饱和速度[107cm/s]□氮化镓具有优异的材料特性，例如宽带隙、高击穿场强和高功率密度等。□氮化镓器件在高频率、高功率、高效率等应用中具有广阔的应用前景常用半导体材料与对应器件性能对比西安毛子种技大學

广州研究院XIDIAN

UNIVERSITY

GuangzhouInstituteofTechnology热导率[W·K/cm]击穿电场[MV/cm]熔点[x10³K]高温应用·Ⅲ-V族化合物，宽禁带半导体·Ga

与N

显著的电负性差异

→

极化·

易形成各类Ⅲ族(主要是

AI、Ga、In)氮化物合金

→

High-Electron-Mobility

TransistorGaN

材料与器件(1)Guangzhou

Institute

ofTechnology形成异质结西安毛子种技大學XIDIAN

UNIVERSITY广州研究院GPassivationAIGaN2DEG

GaNSubstrate·

生长于异质衬底如8英寸、12英寸低阻硅晶圆→

价格竞争力→

先进制程兼容性·

电子迁移率高·横向结构→端口电容小→

最“快”的器件·

高效功率开关GaN

材料与器件(2)广州研究院Guangzhou

Institute

ofTechnologyE

E/西安毛子种技大學XIDIAN

UNIVERSITYSD195219571960s1970s1980s20002010~Power

Diode

GermaniumThyristor

SiliconPowerBipolarSiliconPowerMOSFET

SiliconIGBTSiliconSchottky

diode

Silicon

CarbidePowerHEMT

GaN功率器件的发展过程□随着电力电子系统性能的不断提高，

Si器件已逐渐不能满足系统要求广州研究院GuangzhouInstituteofTechnology西安毛子种技大學XIDIAN

UNIVERSITY第三代半导体功率器件的典型应用场景低压应用场景电源适配器射频器件3300V

6500V+SiC900V

1200V共存领域逆变器不间断电源超高压应用场景中高压应用场景600VGaN西安毛子种技大學

广州研究院XIDIAN

UNIVERSITY

GuangzhouInstituteofTechnology风能发电大型轮船智能电网电动汽车发动机<

200V高铁02氮化镓功率器件技术西安毛子种技大學

广州研究院XIDIAN

UNIVERSITY

GuangzhouInstituteofTechnology□传统Si功率器件普遍采用垂直结构，而GaN

由于GaN

衬底成本高昂的限制，主要采用基于硅衬底的横向HEMT结构。SourceGateP-GaNAIGaNGaNAIGaN/GaNBuffer

LayerDrainSourcep-GaN·Commercially

available

HVPE-GaN

sub.·Na-flux-based

HVPE-GaN

sub.Drain垂直型(FET)Substrate横向型(HEMT)氮化镓功率器件类型AIN

Nucleation

Layer□n-GaNSourceAIGaNGaN西安毛子种技大學

广州研究院XIDIAN

UNIVERSITY

GuangzhouInstituteofTechnologyGateAIGaN/GaN

Buffer

LayerAIN

Nucleation

LayerSiliconSubstrate氮化镓HEMT

器件结构GuangzhouInstituteofTechnologyAIGaN/GaN

Buffer

LayerAIN

Nucleation

LayerSiliconSubstrate口

为了降低电路复杂度，减小功耗，目前商用主要是增强型器件ILDP-GaNAIGaNGaN

Layer耗尽型

D-Mode

HEMT增强型

E-Mode

HEMT西安毛子种技大學XIDIAN

UNIVERSITY广州研究院New

hybrid-drain-embeddedGIT

(HD-GIT)DrainSource

GateP-GaNSource

GateP-GaNAIGaNGaNBuffer

layerSi-substrateGatep-GaN

PassivationAIGaN

BarrierGaN

BufferSubstratep-GaNGa10肖特基栅E-ModeP-GaN

HEMTConventionalGate

Injection

Transistor(GIT)AIGal□GaNBuffer

layerSi-substrate欧姆栅E-Mode

P-GaN

HEMT10°

r10²

GIT缓解电流

崩塌广州研究院GuangzhouInstituteofTechnology西安毛子种技大學XIDIAN

UNIVERSITYS2DEG(A)VGs(V)DrainE-ModeGaNHEMTSuperJunction

MOSSiCCascodeGaNPart

IDXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXRated

Voltage650V700V650V600VRon92mΩ125mΩ100mΩ150mΩQg3.3nC35nC51nC6nCRon*Qg30443755100900优势：耗尽型器件不需要额外的刻蚀工艺，制造简单拥有硅基器件带来的高阈值电压优势劣势：Si基器件限制了GaN

的开关能力GaN器件和MOS器件的Coss

较难匹配反向恢复电荷会带来额外损耗HV

GaN

HEMTLVSi

MOSFETCascode

GaNHEMTtransphsrmPowerintegrations”HEMT+LV

SiMOSFET广州研究院GuangzhouInstituteofTechnology西安毛子种技大學XIDIAN

UNIVERSITY1器件设计与版图绘制2345器件制造晶圆测试封装终测1外延片生长□

GaN器件的制造流程和常规功率器件类似氮化镓功率器件制造流程西安毛子种技大學

广州研究院XIDIAN

UNIVERSITY

GuangzhouInstituteofTechnology1

WaferCleaning2

Mask#1:MesaEtching3

RIEMesaEtching4

Mask#2:S/DContacts5OhmicContact

Deposition6

Mask#3:GateLithography7

SchottkyGateDeposition8

Growthof

Passivation

Layer9

Mask#4:ContactHoleOpening10Mask

#5:Field

plate

and

metallization氮化镓功率器件工艺流程TiNAlGaN

Barrier二GaNchannelTiNAlGaN

Barrier二GaNchannelSiN

二AlGaN

Barrier二GaNchannelSiNAlGaNBarrier二GaNchannelAlGaNbufferAlGaNbufferAlGaNbufferAlGaNbufferAIN

二Si

substrateTiNAIGaN

barrier二GaNchannelAlGaN

bufferAIN二SisubstrateAIGaNbarrier

二GaNchannelAlGaNbufferAIN二SisubstrateAIN二Si

substrateAIGaN

barrier

二GaNchannelAlGaN

bufferAIN

二Si

substrateTNAIGaN

barrier二GaNchannelAIN

二Si

substrateAIGaNbarrnier二GaNchannelAlGaNbufferAIN二SisubstrateAIGaNbarrier二GaNchannelAlGaNbufferAIN二Si

substrateAIN二Si

substrateAIGaN

barrier二GaNchannelAlGaNbufferAIN二SisubstrateAlGaN

barrier二GaN

channel□

GaN器件的工艺流程没有离子注入与激活过程AlGaNbufferAIN

二Si

substrateAlGaNbufferAIN

二Si

substrate西安毛子种技大學

广州研究院XIDIAN

UNIVERSITY

GuangzhouInstituteofTechnologyGaN

功率器件及其电源系统高性能GaN

集成驱动芯片高效率AC-DC模块电源GaN

模块非对称Doherty

结构PA电路

混合调制类包络跟踪系统PA模块流片及封装测试GaN

器件共性关键技术研究1.

超低电阻欧姆接触2.

低速低损伤刻蚀研究3.

栅介质及表面处理4.

钝化层优化5.

阈值电压调控S

G

DAlGaNGaN常关型GaN

功率器件：1.Cascode路线2.P

型栅路线3.

栅电荷存储路线4.

再生长凹栅路线常关型GaN

射频器件：1.应力工程2.

可靠性研究氮化镓器件关键技术挑战广州研究院GuangzhouInstituteofTechnology西安毛子种技大學XIDIAN

UNIVERSITY03氮化镓功率器件应用西安毛子种技大學

广州研究院XIDIAN

UNIVERSITY

GuangzhouInstituteofTechnology不同材料功率器件应用场景食Competitián

zoneSi

IGBT/IPMSi

MOSFET70⁴Operating

frequency(Hz)si/sic/CaN,GaN

HEMT705□

GaN器件在高频应用场景下具有非常大的应用潜力Switchingpower(kW(广州研究院GuangzhouInstituteofTechnology西安毛子种技大學XIDIAN

UNIVERSITYSi

BipolarSiC10010⁶●家用电动汽车充电●工业机器人●工业电动机笔记本充电器能手机充电器氮

化

镓氮化镓

和碳化硅

碳

化

硅1500伏

2500伏

3500伏

4500伏

5500伏

6500伏颜定电压手机/电脑充电器/无线电源口高功率密度口外形紧凑口低热损耗口高输出功率小功率应用(<1KW)西安毛子种技大學

广州研究院XIDIAN

UNIVERSITYGuangzhouInstituteofTechnology数据中心UPS800

伏电动汽车动力传动·工厂自动化.商业化电动汽车充电*工业UPS铁路电力●电网电力●风电●商用太阳能100年瓦1

0

干

瓦1

干

瓦100瓦电动交通家用电器数据中心PSU应用功率10干兆瓦48V轻混48V

锂电池

直流变压器12V

电

池10干兆瓦1干兆瓦发

动

机铁路电力●电网电力●风电●商用太阳能5500伏

6500伏充电桩口

高功率密度口高可靠性口充电速度快中功率应用(1KW-10KW)氮化镓氮化镓

和碳化硅

碳化硅500伏

1500伏

2500伏

3500伏

4500伏电动机

·工业机器人●工业电动机100瓦

●OLED电视笔记本充电器智能手机充电器10瓦··800伏电动汽车动力传动·工厂自动化,商业化电动汽车充电

工业UPS100年五数据中心UPS·0干瓦广州研究院GuangzhouInstituteofTechnology西安毛子种技大學XIDIANUNIVERSITY电动机应用颜定电压数据中心电源口

更大的存储空间口

可在极端环境下工作口

节约成本业化电动汽车●工业机器人●工业电动机碳化硅1500伏

2500伏

3500伏铁路电力●电网电力●风电●商用太阳能5500伏

6500伏大功率应用(>10KW)●家用电动汽车充电●电动机●家用电器·OLED

电视

笔记本充电

智能手机充电器氮化镓

氮化镓

和

碳

化

硅500伏800V动力平台家用光伏广州研究院GuangzhouInstituteofTechnology西安毛子种技大學XIDIAN

UNIVERSITY1千瓦100瓦应用功率4500伏10干兆瓦额定电压10瓦04氮化镓功率器件未来展望西安毛子种技大學

广州研究院XIDIAN

UNIVERSITY

GuangzhouInstituteofTechnology2019~2021年，由于消费类电源的快速增长，

GaN

功率市场有一个快速的上升；2022~2023年，由于疫情以及全球经济的萎靡，GaN业务增长率低迷。但是2024年之后，由于新能源汽车以及数据中心业务的扩张，GaN市场将重新迎来一个快速增长期。160%140%120%100%80%60%40%20%0%CAGR22-2849%110%50%24%26%44%50%26%TOTALAutomotive

&mobility

Industrial-EnergyDefense

&Aerospace

Industrial■ConsumerTelecom

&InfraOthersYoY(%)市场规模预测$2000M$1800M$1600M$1400M$1200M$1000M$800M$600M$400M$200MSM20282034,9504,233,333,530,71308,6112,212,442%20271434,8268,427,424,126,21010,268,89,741%20261018,6132,722,919,721,577,342,77,753%2025666,656,215,516,516,8529,226,65,967%2021126,33,11,25,26,8103,24,62.4144%2024398,325,28,913,614,9311,319,74,745%2022184,96,03,09,27,6146,110,03,146%2023

274,910.5

5,210,8

8,7222,913,13.749%202051,71,30,81,15,039,72,11,8150%201920,70,10,40,34,012,61,31,8113%西安毛子种技大学XIDIAN

UNIVERSITY20189,70,00,40,20,16,70,71,6t

o

ology院fTechn究itute研Guangzhou

Ins广

州Power

GaN

device

market

value($M(YoYgrowth

(%)消费类应用始终占据GaN

器件的最大份额，到2028年，预计会占整个GaN

器件份额64%。中期内，电动汽车和通讯也会成为GaN功率器件的一个重要增长点。Automotive$504MCAGR¹770%OthersCACR

26%Telecom&Infrastructure$712.2MCAGR50%Industrial-

Energy$33.3M

CAGR50%Consumer$7,307MCACR44%Industrial$30.7MCACR26%2028

$2.04BCAGR应用市场比例预测Industrial$7.6MTelecom

&Infrastruct西安毛子种技大學

广州研究院XIDIANUNIVERSITYGuangzhou

InstituteofTechnologyDefense

&Aerospace$9.2MConsumer

$146.1MDefense

&Aerospace$33.5MCAGR24%2022

$184.9MIndustria$3M&mobility20282022ConsumerpowersuppliesandotherapplicationsDatacentersEVs/HEVs

OBCsDC/DCconversionConsumer

powersuppliesandotherapplicationsGaN-on-SapphirepoweresGaN-on-SiIndustrialmarketGaN-on-CaN?GaN-on-QST?GaN-on-SOI?YOLEDatacentersGaN-on-Sapphire$182M$2.04BGaN-on-SiNewtechnologyGaN

技术与市场需求预测GuangzhouInstituteofTechnology口

在GaN

市场规模持续增长的同时，新的技术也在不断涌现，以满足更多的应用需求EVs/HEVsOBCsDC/DCconversion2032西安毛子种技大學XIDIANUNIVERSITY广州研究院ConsumersuppliEVs/HEVsInverters<200V

<200V650V

650V<200V

<200V100V

650V650V650V<200V

<200V650V

650VFirstcommercializationProductramp-upSignificant

increaseofvolumeshipment100/650V650V900V/200V650V650VConsumer

power

supplyDatacom

powersupplyIndustrialAutomotivePowertrain650V

650VDCIDC

converter

and48Vsystems650V650V<200V100/650V2016

2018202020222023

202420262028

2030西安毛子种技大學

广州研究院XIDIANUNIVERSITYGuangzhouInstituteofTechnologyInverterHV

DC/DCLV

DC/DCconversionOBCApplicationOVP

in40V

40V

40V20162018202020222023

2024202620282030100/650V<200V<200VMicro-inverter

650V

650V

650VFirstcommercializationProductramp-upSignificant

increaseofvolume

shipmentDC-DCand

motordrivesADAS<200V<200VChargersMotor

drives<200V<200V广州研究院GuangzhouInstituteofTechnology650V<200V西安毛子种技大學XIDIANUNIVERSITY650V<200V650V<200VClass

DaudioamplifierSpaceapplicationsAutomotiveLIDARE-mobilityApplication100/650V100/650V華隅微电子

Silan士兰微电子

transphsrminfineon

I

i

tSEMICONINSTRUMENTS

CorEnergy

r

i

c

sTA

SC

Power

Gpouer·PIhas

internal

epitaxyand

lowesDBrothpwTek

foartnertig-ass0drticallyeeaRvtlntAeBAonTOSHnuVOTSubstratesupplyShinEtsuSKsitronOKMETICS

MCO三安光电RubkconlechnologyDevicepackagingSCHWEIZERBPLASETechnology

Holding

Co.,Ltd.AT&SmkorGJCET长电科技realmemEIZUAUKEYSAMSUNGLenovoXiaominubiaONEPLUSChip

Diode/Transistor/processing

IC

designnexperiain-housepackaging

designcapabilityand

relyon

OSATsfor

highvolumemanufacturing口

目

前GaN

产业链各个公司百家争鸣，每

一

个环节都存在激烈的竞争MARELLIChoferYASKAWA

GlobalGaNextDanxiANCORAEY3Q

Lab西安毛子种技大学

广州研究院XIDIAN

UNIVERSITY

Guangzhou

Institute

of

Technologyxfab

GaNrichGaNcoo/ASanan

ICscitec②

NTTATSIEMENSvudescGTECHNOLOGIES品湛半导体GaNcoo/

CorEnergyGaN-on-SiROMOSSECORSAIRNPHASESome

GaNplayersepitaxydevicehaveSystemHARMANGaN口使用两个栅极来阻断任一极性的电压并支持任一方向的电流流动，双向导通，双向截止，同时具备无反向恢复、超低栅极电荷等特性。口使用该器件将减少元件数量，从而实现更高的功率密度、更高的可靠性和更低成本的解决方案Drift

zone

2Drift

zone

1AIGaN

barrierGaN

channelGaN

bufferSisubstrate双

向GaN

HEMT技术发展趋势(1)DriftzoneAIGaN

barrierGaNchannelGaN

bufferSisubstrate常

规GaN

HEMT广州研究院GuangzhouInstituteofTechnology西安毛子种技大學XIDIAN

UNIVERSITY电路图结构元件数目通态压降开关损耗开关频率控制电路复杂度Q1D2

D4二极管全桥+IGBT53.5V高16kHz低Q1=

C|c

cEQ2cIGBT+续流二极管42.5V高16kHz低D1

D2Q1ED2D1

Ea2反向阻断IGBT22V非常高8kHz中等Q1

c

c|Q2SD1

D2Si

MOS+JBS二极管41.25V低60kHz低双向单片GaN开关10.5V最低500kHz中等口

双

向GaN开关技术是目前最小，效率最高的GaN技术方案。可以用在电源、电机、光伏等等各种领域。技术发展趋势(1)广州研究院GuangzhouInstituteofTechnology西安毛子种技大學XIDIAN

UNIVERSITY技术路线SiSiCSapphireQSTSOI主流尺寸6~12英寸6~8英寸4~8英寸6~8英寸6~8英寸衬底价格便

宜昂贵便宜昂贵昂贵外延质量一般很好好一般一般应用最广泛极少广泛较少极少热导率一般很好差一般差技术发展趋势(2)XD西安毛子种技大学XIDIAN

UNIVERSITY广州研究院GuangzhouInstitute

ofTechnology√

大尺寸，

8inch

已普及→利好国产衬底√

衬底廉价，800¥

for

8inch√

外延设备要求低，

外延成本低一利好国产

MOCVD√外延质量高，

外延层缺陷较少√

机械强度高，

不易碎片

→终结QST

衬底优势√

克服散热难题，

可减薄至50μm→

可做大功率√

耐高压，

衬底绝缘、无寄生沟道、超薄外延→终结SiC

衬底优势√

适合单片集成，

绝缘衬底抗串扰、无衬偏效应→终结SOI

衬底优势技术发展趋势(2)GaN-on-Sapphire

拥有诸多优势广州研究院Guangzhou

Institute

ofTechnology西安毛子种技大學XIDIAN

UNIVERSITY高低压覆盖集成传感器过流保护口

GaN集成技术技术发展趋势(3)50W

充电器400kHz82×39×10.5mm=34cm³45W

充电器65kHz52×53.1×30.1mm=83cm³无源器件GaN

IC6倍工作频率广州研究院GuangzhouInstituteofTechnology西安毛子种技大學XIDIANUNIVERSITYGaN

单管无源元件技术路径面积寄生参数工作频率工艺复杂度商业化程度GaN功率器件

+Si外围电路+

封装集成技术大较大较快低高GGaN功率器件+Si外围电路异质集成中等中等快高低Sapphire单片集成GaN小小快中等低技术发展趋势(3)广州研究院GuangzhouInstituteofTechnology西安毛子种技大學XIDIAN

UNIVERSITY竞争领域氮化镓器件GaN-on-Si(e-mode,IC)GaN-on-Sapphire(cascode,e-mode,IPM)机遇与挑战——应用领域扩展GuangzhouInstituteofTechnology未来GaN

将全面渗透30~3300V

电力电子市场!<200V

6Q0V

-900y1.7kV碳化硅器件8~12英寸GaN-on-Si将主导≤650V

市场6~8英寸GaN-on-Sapphire将主导≥650V市场3.3kV

>1.5kV西安毛子种技大學XIDIAN

UNIVERSITY广州研究院机遇与挑战——国际GaN

企业市场占有率90%EPCTransphormGaN

system

Infineon80%Cree

ROHMInfineon

MitsubishiST85%住友电工Cree

QorvoGaN

功率半导体市场份额GaN

射频器件市场份额SiC

功率半导体市场份额口欧美日企业在整个第三代半导体市场仍然占据统治地位西安毛子种技大學

广州研究院XIDIAN

UNIVERSITY

Guangzhou

InstituteofTechnologyGaN集成电路研发计划，经费4000万欧元，创建独立的GaN-HEMT

供应链

,提供最先进可靠的GaN晶圆制备启动GaN

可靠性增长和技术转移项目，第一阶段总经为860万欧元，组织

完整的GaN

微波产品产

业链意法半导体启动“LASTPOWER”

项目，与意大利、德国等六个欧洲国家的企业、

大学联合攻关SiC和GaN

的

关键技术启动面向电力电子应用

的大尺寸SiC

衬底及异

质外延GaN

材料项目①启动电子复兴计划，投入20亿美元重点开发微系统材料、

电子器件集成架构等②启动CIRCUITS计划，投资3000万美元资助21个项目利用宽禁带半导体实现高效、可靠的功率转换器，使用碳化硅或氮化镓来代替现有的硅材料2019年2000年制定有关GaN

和SiC的

开发项目2000年实施“彩虹计划”发

展

GaN

基设备，推

动户外照明和高密

度存储技术发展1998年欧盟委员会批准投资化合物半导体(主要是

氮化镓、碳化硅等第三代半导体)计划，提

供17.5亿欧元资金，开发用于包括5G通信,无人驾驶汽车内的应用创新组件和技术2016年启动宽禁带半导体技术计划：①实现GaN

基微波器件生产②研制GaN基单片微波集成电路美国国防高级研究计划局启

动“氮化物电子下一代技术计划”,推动GaN

在高频领

域的应用奥巴马宣布成立“下一代电力

电子技术国家制造业创新中心

",发展宽禁带半导体电力电

子技术，提供7000万美元财

政支持2014年2002年

2011年

2014年

2017年美

国欧盟日本启动“有助于实现节能社会的新一

代半导体研究开发”的GaN

功率

器件开发项目，为期5年，第一年

的预算为10亿日元设立第三代功率半导体封装技

术开发联盟，由大阪大学协同

罗姆、三菱、松下等18家知名

企业、大学提出新一代节能器件技术战略

与发展规划，将采用SiC、GaN

等宽禁带半导体器件进一

步降低功耗2002年

2008年

2013年

2014年口欧美日政府仍然在不断的加大对第三代半导体产业的投入与支持在国家硬电子计划中将

SiC

衬底的制备与外延作为重点研究课题，投

以巨资支持开展GaN

半导体发光机

理的基础研究、用于同质

外延生长的大面积衬底等实施GaN

半导体低

功耗高频器件开发计

划2005年

2008年

2010年广州研究院GuangzhouInstituteofTechnology西安毛子种技大學XIDIANUNIVERSITY芯干线科技

SOUTHCHIPGaNext

siziusDE箱矽科技

AUKEYDanxiCohenius芯冠科技CarsemA

Memberofthe

Hong

LeongGrOupGJCET长电科技MEIZu

realmeLenovoHUAWeInI

xiaomin

ubiaUAESINOVANCEEVTECH机遇与挑战——国内GaN

产业链情况Sanan

ICInnoscience.

辜糊微电子

⑤Silan

士兰微电子CorEnergyCorEnergySubstratePAM-XIAMENKian

Powy

hdsud

Metra

CnWAFER

WORKS三

安光电SananOptoelectronics-

-

GaN-onhireonSappGaN串中晶湛半导体

SEST△TOM△NGaN

epitaxy

processing口

目前国内GaN产业链上的企业也都比较齐全Diode/Transistor/IC

design广州研究院GuangzhouInstituteofTechnology海威华芯

HiWAFER海特高新西安毛子种技大學XIDIANUNIVERSITYDevice/ModulepackagingHESAIsupplySystemAUKEY机遇与挑战——GaN

专利布局情况GuangzhouInstituteofTechnology晶元光电三安光电台积电华灿光电中国科学院半导体研究所荣创能源科技股份有限公司西安电子科技大学中国科学院微电子研究所鸿海精密工业股份有限公司财团法人工业技术研究院300010002000

3000400050008000法

国

，1.16%德国，3

.23%世界知识产权-22.95%组织，1

.31%中国台湾，3

.44%韩

国

，14.20%中国

，14.54%35.50%国外企业代表

…

…住友日

本Cree(科锐)

美国英飞凌德

国LG

韩

国三星韩

国日亚化学