《模拟电子元器件应用技术》-任务2-13

任务2晶体管电路分析2．分析图2所示晶体管只读存储电路，存储单元X1~X4所存储的信息。二、任务要求图2任务2晶体管电路分析3．计算图3所示晶体管单管放大电路，在图示参数下，晶体管直流电流放大倍数和交流电压放大倍数。二、任务要求图3三、相关知识1．晶体管开关特性2．晶体管放大特性（1）晶体管放大的条件（2）晶体管放大作用（3）晶体管放大电路的分析方法静态工作点分析交流参数计算任务2晶体管电路分析1．晶体管截止当uBE＜UTH=0.5V时，晶体管截止，iB≈0，iC≈0，uCE=UCC，3个电极相当于开路。（一）晶体管开关特性任务2晶体管电路分析2．晶体管饱和导通当iB

＞IB(sat)时，晶体管进入饱和导通状态，此时UBE(sat)=0.7V，UCE(sat)≤0.3V，IC(sat)≈UCC/RC，C，E极之间相当于开关闭合。1．晶体管放大的条件（1）工艺条件：发射区的掺杂浓度高，基区薄且掺杂浓度低，集电结的面积大。（2）电路接法：发射结正向偏置（P区接电源正极），集电结反向偏置（N区接电源正极）。（二）晶体管放大特性任务2晶体管电路分析2．晶体管放大作用（1）电流放大：（2）电压放大：（3）功率放大：3．晶体管放大电路的分析方法（二）晶体管放大特性任务2晶体管电路分析（1）静态工作点分析①静态工作点定义：在外加交流信号为0，电路处于直流状态下的IB、IC、IE、UBE及UCE等在晶体管输入及输出特性曲线上所确定的点，用“Q”表示。②静态工作点的作用：保证在被放大的交流信号加入电路时，不论是正半周还是负半周都能满足“发射结正向偏置，集电结反向偏置”的晶体管放大条件。静态工作点设置的不合适，在对交流信号放大时可能会出现饱和失真（静态工作点偏高）或截止失真（静态工作点偏低），影响放大电路的性能。3．晶体管放大电路的分析方法（二）晶体管放大特性任务2晶体管电路分析（1）静态工作点分析③静态工作点计算：利用电容在直流电路相当于开路的特性，作放大电路的直流等效电路。依据基尔霍夫定律等理论分别计算IB、IC、IE、UBE及UCE。3．晶体管放大电路的分析方法（二）晶体管放大特性任务2晶体管电路分析（2）交流参数计算①晶体管放大电路交流参数：交流电压放大倍数（Au）：恒量晶体管交流信号放大能力的参数。输入电阻（Ri）：恒量放大电路取用电流能力的参数输出电阻（Ro）：恒量放大电路带负载能力的参数。3．晶体管放大电路的分析方法（二）晶体管放大特性任务2晶体管电路分析（2）交流参数计算②晶体管放大电路交流参数等效分析法的一般步骤：作出其微变等效电路（直流电源视为开路，电容视为短路）rbe为晶体管输入电阻：

为基区体电阻高频小功率管通常为几十欧到几百欧；低频小功率管通常取200Ω。UT为温度电压当量，温度为300K时，3．晶体管放大电路的分析方法（二）晶体管放大特性任务2晶体管电路分析（2）交流参数计算②晶体管放大电路交流参数等效分析法的一般步骤：作出其微变等效电路（直流电源视为开路，电容视为短路）图3电路的微变等效电路:3．晶体管放大电路的分析方法（二）晶体管放大特性任务2晶体管电路分析（2）交流参数计算②晶体管放大电路交流参数等效分析法的一般步骤：由微变等效电路计算交流参数。（

为输出端路电压，

为输出端短路电流）（，输出、输入电压相位相反）任务2晶体管电路分析四、任务实施1．分析图1所示晶体管反相电路的输出电位。图1（1）当输入端UI=0V（低电平）时，晶体管截止，iB≈0，iC≈0，UO=UCC=12V；（2）当输入端UI=3V（高电平）时，晶体管饱和导通，UO=UCE(sat)

≤0.3V。结论：该电路为一晶体管反相器，即逻辑电路中的“非门”，当输入端为高电平时，输出端为低电平；而当输入端为低电平时，输出端为高电平。输出总是与输入相反。任务2晶体管电路分析四、任务实施2．分析图2所示晶体管只读存储电路中存储单元X1~X4所存储的信息。图2（1）电路结构：X1~X4：字线，与地址译码器输出连接，读操作时，对应字线为高电平。W1~W4：位线，通过电阻接电源正极，当字线和位线间所接的晶体管不导通时，位线为高电平。任务2晶体管电路分析四、任务实施（2）存储信息：X1：0110；X2：1011；X3：1100；X4：0101。2．分析图2所示晶体管只读存储电路中存储单元X1~X4所存储的信息。图2任务2晶体管电路分析四、任务实施图33．计算图3所示晶体管共射极放大电路，在图示电路参数下静态工作点参数IBQ、ICQ、IEQ、UBEQ及UCEQ和交流参数Au、Ri和Ro。设硅晶体管=200Ω，β=100，任务2晶体管电路分析四、任务实施3．计算图3所示晶体管共射极放大电路，在图示电路参数下静态工作点参数IBQ、ICQ、IEQ、UBEQ及UCEQ和交流参数Au、Ri和Ro。设硅晶体管=200Ω，β=100，（1）直流静态工作点参数由图示直流等效电路，根据基尔霍夫定律，有：任务2晶体管电路分析四、任务实施3．计算图3所示晶体管共射极放大电路，在图示电路参数下静态工作点参数IBQ、ICQ、IEQ、UBEQ及UCEQ和交流参数Au、Ri和Ro。设硅晶体管=200Ω，β=100，（2）交流参数由图示微变等效电路，根据基尔霍夫定律，有：任务2晶体管电路分析四、任务实施3．计算图3