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文档简介

题型16晶胞结构的计算

!目录

!

i

i第一部分题型解码高屋建传,掌握全局

I

!第二部分考向破译微观解剖,精细教学

i

i臼典例引领IS方法透视打变式演练

考向01晶体模型及晶体类型判断

i考向02四种品体类型的性质比较

考向03晶胞中配位数及晶胞参数的计算【重难】

考向04晶胞中原子分数坐标与投影图【重难】

:考向05晶胞中晶体密度的计算【重难】

考向06综合考查晶胞计算【重难】

i

i第二部分综合I凡固整合应用,模拟实战

晶胞的计算是高考化学的固定考点,主要考查空间想象能力和综合计算能力。预测2026年高考试题考查会

更加综合,一道题可能同时考查粒子数计算、密度计算、粒子间距乃至空间利用率多个方面。图形趋于复

杂陌生,试题可能提供教材中未出现的新材料、新物质的晶胞结构,考查知识迁移和应用能力。对空间想

象能力和利用几何关系(如勾股定理)解决问题的能力要求会持续提高。复习时要关注前沿与生产实际,

晶胞背景可能更多源于新型电池材料、催化剂、超硬材料等科技前沿领域。

考向破译

考向01晶体模型及晶体类型判断

共例引6

[^11-1](2025•浙江卷)某化合物Fe(NH3)2C12的晶胞如图所示,下列说法不本硬的是

A.晶体类型为混合晶体B.NH3与二价铁形成配位键

C.该化合物与水反应有难溶物生成D.该化合物热稳定性比FeC12高

【例1・2】(2025•重庆卷)化合物X的晶胞如图所示,下列叙述正确的是

B.X属于混合型晶体

B.C.X的化学式可表示为C3N4D.X中C原子上有1对孤电子对

方法电视

晶体晶体结构晶体详解

o(1)每个碳与相邻4个碳以共价键结合,形成正四面体结构

/(2)键角均为109028f

金刚石(3)最小碳环由6个C组成且六原子不在同一平面内

(4)每个C参与4条C—C的形成,C原子数与C-C数之比

共价

为1:2

晶体

I(1)每个Si与4个0以共价键结合,形成正四面体结构

每个正四面体占有个个,

SiO(2)1Si,4$0",MSi):MO)=1:2

2娜:

(3)最小环上有12个原子,即6个0,6个Si

分子8个CO2分子构成立方体且在6个面心又各占据1个CO2分

干冰

晶体子

⑴每个Na'(Cl)周围等距且紧邻的Cl(Na+)有6个,每个

Na卡周围等距且紧邻的Na+有12个

(2)每个晶胞中含4个Na卡和4个C1-

⑴每个Cs+周围等距且紧邻的C厂有8个,每个Cs+(C「)周

围等距且紧邻的cs+(cr)w6个

(2)如图为8个晶胞,每个晶胞中含1个Cs,1个C「

(1)层内每一个碳原子分别与另外3个碳原子以共价键连接,

形成六元环结构

(2)碳原子与共价键的个数比为2:3;每个六元环平均占有2

个碳原子

(3)层间的作用力是范德华力

【变式I-U(2025・浙江•一模)化合物M的晶胞如图,下列说法不叱硼的是

A.M的化学式为Ca(H2O)412B.晶体类型为离子晶体

C.晶胞中M的排列有2种不同取向D.可推测CaCk♦8NH3为配位化合物

【变式1・2】(2025•山东潍坊・模拟预测)某种晶体的完整结构单元如图所示,该晶体的实际结构中存在约

5%的氧空位(可提高氧离子电导性能)。下列说法错误的是

。Ni(H)

。Mn(IH)

•La(HI或IV)

°O

A.晶体中与Ni原子距离最近的Mn原子构成正八面体

B.该晶体的一个完整晶胞中含有8个La原子

C.该晶体实际结构的化学式为L@2NiMnO6

D.该晶体的实际结构中La(HI)与La(IV)原子个数比为4:1

考向02四种晶体类型的性质比较

舞的和发

【例2-1](2025-U•肃卷)物质的结构次定性质,下列事实与结构因素无关的是

选项事实结构因素

AK与Na产生的焰色不同能量量子化

BSiFU的沸点高于CI%分子间作用力

C金属有良好的延展性离子键

D刚玉(AI2O3)的硬度大,熔点高共价晶体

A.AB.BC.CD.D

【例2-2](2024.天津卷)我国学者在碳化硅(SiC)表面制备出超高迁移率半导体外延石墨烯。下列说法正

确的是

A.SiC是离子化合物B.SiC晶体的熔点高、硬度大

C.核素14c的质子数为8D.石墨烯属于烯建

1.四种晶体类型的比较

、^型

分子晶体共价晶体金属晶体离子晶体

构成微粒分子原子金属阳离子、自由电子阴、阳离子

粒子间的相范德华力

共价键金属键离子键

互作用力(某些含氢键)

硬度较小很大有的很大,有的很小较大

熔、沸点较低很高有的很高,有的很低较高

难溶于任大多易溶于水等极

溶解性相似相溶难溶于常见溶剂

何溶剂性溶剂

导电、一般不导电,溶一般不具电和热的晶体不导电,水溶液

导热性于水后有的导电有导电性良导体或熔融态导电

2.同种类型晶体熔、沸点高低的规律

(1)共价晶体

如熔点:金刚石>碳化硅,硅。

(2)离子晶体

①一般地说,阴、阳高子的电荷数越多,窝子半径越小,则禽子间的作用力就越强,其禽子晶体的熔、沸

点就越高,如熔点:MgO>MgCl2>NaCl>CsClo

②衡最离子晶体稳定性的物理量是晶格能。晶格能越大,形成的离子晶体越稳定,熔点越高,硬度越大。

(3)分子晶体

①分子间作用力越大,物质的熔、沸点越高;具有氢键的分子晶体熔、沸点反常地高,如H2O>H2Te>H2Se

>H2SO

②组成和结构相似的分子晶体,相对分子质量越大,熔、沸点越高,如SnH4>GcH4>SiH4>CH4。

③组成和结构不相似的物质(相对分子质量接近),分子的极性越大,其熔、沸点越高,如COAN?,CH3OH

>CH3CH3O

④同分异构体,支链越多,熔、沸点越低。

(4)金属晶体

金属离子半径越小,离子电荷数越多,其金属键越强,金属熔、沸点就越高,如熔、沸点:Na<Mg<Alo

【变式2・1】(2025•浙江一模)嫦娥石的一种伴生矿物为方石英,其晶胞结构如图所示:下列说法不可砸

的是

A.晶体类型为共价晶体B.该物质的化学式为Si。?

C.键角4AED=180。D.该物质的熔点比金刚石低

【变式2-2](2025.重庆三模)一种金属卤化物光电材料的组成为Pb2+、I-和有机碱离子CH3NH],其晶胞

如图所示。下列有关说法正确的是

OOo

rCH,NH;Pb2+

A.晶体中Pbz+的配位数为8

B.该晶体常温下有较强的导电能力

C.CH3NH才中H-N-H键角比NH3中H-N-H键角大

D.若晶胞参数为anm,则晶体密度为"与g/cm3

3

NAa

考向03晶胞中配位数及晶胞参数的计算

典例引颔

【例3・1】(2例4.江西卷)NbO的立方晶胞如图,晶胞参数为anm,P的分数坐标为(0,0,0),阿伏加德

罗常数的值为NA,下列说法正确的是

B.Nb和0最短距离为它anm

C晶体密度P=染黑Tg/cm,

D.M的分数坐标为(;,1)

【例3-2】(2024•重庆卷)储氢材料MgH?的晶胞结构如图所示,MgH2的摩尔质量为Mg/mol,阿伏加德罗

常数的值为以。下列说法正确的是

z

cnm

9Mg2,

anmanmOH

A.H•的配位数为2B.晶胞中含有2个Mg2+

C.晶体密度的计算式为彘g/3D.Mg2+(i)和Mg2+(ii)之间的距离为正妥nm

方做透规

1.晶胞中微粒配位数的计算

(1)含义

一个粒子周围最邻近的粒子数称为配位数,它反映了晶体中粒子排列的紧密程度。

(2)晶体中原子(或分子)的配位数

若晶体中的微粒为同种原子或同种分子,则某原子(或分子)的配位数指的是该原子(或分子)最接近旦等距离

的原子(或分子)的数目,常见晶胞的配位数如下:

简单立方:配位数为6面心立方:配位数为12体心立方:配位数为8

+7

(3)离子晶体的配位数

指一个离子周围最接近且等距离的异种电性离子的数目。

以NaCl晶体为例:

NaCI晶胞

①找一个与其他粒子连接情况最清晰的粒子,如上图中心的黑球(C「)。

②数一下与该粒子周围距离最近的粒子数,如上图标数字的面心白球(Na')。确定C厂的配位数为6,同样方

法可确定Na4的配位数也为6。

2.晶胞参数

晶胞的形状和大小可以用6个参数来表示,包括晶胞的3组棱长〃、。和3组棱相互间的夹角a、仇Y,

即品格特征参数,简称晶胞参数。

3.晶体结构的相关计算

,I、因I到中力晶胞占有的微粒体积

(1)空间利用率=------------------

(2)金属晶体中体心立方堆积、面心立方堆积中的几组计算公式(设棱长为0

①面对角线长=也。。

②体对角线长=小。。

③体心立方堆积4r=<3«(r为原子半径)。

④面心立方堆积4r=y/2a(r为原子半径)。

‘支式信称

【变式3・1】(2025♦辽宁•二模)储氢材料Mg"的晶胞结构如图所示,已知MgH2的摩尔质量为Mg/mol,阿

伏加德罗常数的值为NA。下列说法正确的是

A.Mg2+(i)和Mg2+(ii)之间的距离为空史nm

B.晶体密度的计算式为若g/cm3

C.H-的配位数为3

D.晶胞中含有2个FT

【变式3・2】(2025•湖南郴州•一模)立方氮化硼是一种用于航空航天的热绝缘体纳米材料,与金刚石结构

相似,其晶胞结构如图,晶胞棱长为以为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是

A.立方氮化硼具有熔点高、硬度大的特点

B.该晶胞中B和N的配位数均为4

C.立方氮化硼晶体的密度p=—?Eg・cm-3

axiu

D.固体储氢材料氨硼烷(NH3BH3)中,B原子的杂化轨道类型为sp2

考向04晶胞中原子分数坐标与投影

舞的和发

【例4・1】(2025•江西卷)CeO2晶格中的O被去除,产生一个氧空位(V。),V。相对原点的分数坐标为色:,沙

则图中Ce3+的分数坐标分别为

•O

OCe

A・(。,1),(1,第)B.(1,0,0,(1,0,0)

C.(%。),&。,)D.(呜

【例4・2】(2025•四川卷)CaCO?的四方晶胞(晶胞参数a=B=y=90。,省略CO歹中的氯,只标出C,+)和CaO的

0.96。pm

下列说法错误的是

A.Ca(X)3晶胞中।位C4+的分数坐标为(0,0+)

B.Ca(X)3晶胞中2位和3位Ca2+的核间距为V^apm

C.CaO晶胞和CaCO.3晶胞中原子数之比是4:15

D.CaO晶体密度小于CaC()3晶体密度

方法密视

1.原子分数坐标的表示方法(实例)

晶胞中的任一个原子的中心位置均可用3个分别小于1的数在立体坐标系中表示出来,如位于晶胞原点A(顶

角)的原子的坐标为(0,0,0);

8点原子分数坐标为(;,3,J);

C点原子分数坐标为G,0,9):

O点原子分数坐标为Q,0,0)。

体心

2.晶胞沿X、),平面上的投影图

晶胞结构沿体对角线的投影图

®-----------©

0-----------o

©----------f

o

0----------o

:

-9-o

十:-

-

--9-.:u■

-X:

3.晶胞沿体对角线的投影图

晶胞结构沿体对角线的投影图

4.投影问题解题技巧

晶体投影问题木质上是把三维空间晶体结构中的微粒投影到二维平面上。解此类题的关键:

⑴要弄清是沿着什么方向进行投影。

(2)设影的时候,是否存在着不同层微粒的相互重叠。

(3)明确不同位置的投影和三维空间中的微粒如何一一对应。

(4)求微粒间距离时要注意投影在同一平面,微粒不一定在同一平面。

陵式信称

【变式(2025•陕西西安•模拟预测)CdSe是一种重要的半导体材料。其晶体的晶胞结构如图所示,己

知m的坐标参数为(1/4,1/4,1/4),晶胞参数为。pm。下列说法正确的是

OCd

*Sc

z

A.Se基态原了•电子•排布式为[Ar4s24P」

B.晶体中Se填充在Cd原子围成的正四面体空隙中,填隙率为50%

O-----------O-----------O

O

••

C.沿晶胞面对角线投影图为------O------------A

D.Cd原子与Se原子之间的最短距离为pm

【变式4・2】(2025•安徽六安・模拟预测)将碑与锌一起加热,然后升华可制得磁化锌。硅化锌是一种重要

的半导体材料,图甲为它的一种立方晶胞结构。设ZnTe的摩尔质量为Mg-moL,阿伏加德罗常数的值

为M,密度为dg-cm-3,下列说法错误的是

甲乙

A.锌的配位数为4

B.Zn与Te的最近距离为?x忌nm

C.该晶胞沿z轴方向的平面投影如图乙

D.已知1号位置的原子坐标为(0,0,0),则2号位置的原子坐标为

考向05晶胞中晶体密度的计算

典例引颔

【例5・1】(2025•黑吉辽蒙卷)NaxW()3晶体因x变化形成空位而导致颜色各异,当0.44WxW0.95时,其

立方晶胞结构如图。设即为阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是

W的平均价态升高

C.密度为写署g.cmT时,x=0.5D.空位数不同,吸收的可见光波长不同

【例5・2】(2025.湖南卷)K+掺杂的钿酸馍具有超导性。K+替代部分Ba?+形成Bao.6Ko.4Bi()3(摩尔质量为

354.8g/0厂1),其晶胞结构如图所示。该立方晶胞的参数为anm,设山为阿伏加德罗常数的值。下列说法

正确的是

OBi

bBa或K

A.品休中与钿离子最近且距离相等的。2一有6个

B.晶胞中含有的钮离子个数为8

C.第一电离能:Ba>0

D.晶体的密度为"黑,g-m-3

方法电视

L晶胞参数与晶胞密度的关系

2.晶胞中的几组几何公式(设棱长为a)

①面对角线长

②体对角线长=小〃。

:O4「=小〃(「为原子半径)。

8

④°olo4r=啦”(「为原子半径)。

【变式5・1】(2025・重庆•模拟预测)CU2。晶体结构与CsCl相似,只是用(:山0占据CsCl晶体(匆I)中C「的

位置,而Cs+所占位置由O原子占据,如图H所示,下列说法正确的是

c’o四面体

图H

A.图I晶胞中C1一的配位数是6

B.设图I的晶胞参数为acm,以为阿伏加德罗常数的值,CsQ的摩尔质量为M,则CsCl晶体的密度为

3

3g/cm

aNxs,

C.图H晶胞中有4个C112O

D.若图I【晶胞中皿0四面体中的氧原子坐标为(明,胃则①的铜原子坐标可能为管牛)

【变式5・2】(2025•贵州•模拟预测)K3【Fe(CN)6](铁制化钾河用于检验比2+,反应产生特征蓝色沉淀

KFe[Fe(CN)6](滕氏蓝,可作蓝色颜料)。滕氏蓝晶体的微观结构(该结构为正方体,省略了CN、如图所示,

晶胞边长为anm。设以为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是

A.[Fe(CN)6]3一中提供孤电子对形成配位键的原子为C

B.M原子坐标为(0,0,0),则R处K+的坐标为G3,J

C.Fe2+和K+间的最短距离为fanm

D.滕氏蓝晶体的密度为鼻空g-cm-3

a用A

考向06综合考查晶胞计算

【例6・1】(2025•湖北卷)SO?晶胞是长方体,边长awbwc,如图所示。下列说法正确的是

oO

OS

A.一个晶胞中含有4个O原子

B.晶胞中SO2分子的取向相同

C.1号和2号S原子间的核间距为

D.每个S原子周围与其等距且紧邻的S原子有4个

【例6・2】(2025•广西卷)Mg-Z型晶态半导体材料由Mg与碳族元素(Z)形成,其立方晶胞结构如图。已知:

晶胞参数Q(Mg—Si)=634pm,a(Mg-Ge)=639pm。下列说法正确的是

*Mg

oz

A.与Z紧邻的Mg有4个

B.晶胞内Mg之间最近的距离为[a

C.晶胞密度:p(Mg-Ge)>p(Mg-Si)

D.若Mg—Sn晶胞顶点Sn替换为Ge,则嘿=:

n(Ge)3

方法密视

I.密度的计算

〃=就(〃表示晶胞边长,〃表示密度,NA表示阿伏加德罗常数的值,〃表示Imol晶胞所含基本粒子或

特定组合的物质的量,M表示摩尔质量)。

2.微粒间距离的计算

、好个敷女厂

3.空间利用率的计算

球体和

指构成晶体的原子、离子或分子在整个晶体空间中所占有的体积百分比。空间利用率=品温%X1OO%。

,文式信称

【变式6・1】(2025.陕西西安・模拟预测)铜睇硒矿石因元素含量丰富、成本低、无毒、环保等优势成为近

年来薄膜太阳能电池的热门材料。如图I为一种铜睇硒晶体的四方晶胞结构示意图(晶胞参数为apm、apm、

2apm)。以表示阿伏加德罗常数的值,下列说法错误的是

A.图2所示结构不能作为该晶体的晶胞B.该晶体的化学式为:Cu3SbSe4

C.晶体中与Cu最近且距离相等的Se有4个D.该晶体的密度为:-^-xl030g-cm-3

2a、・NA

【变式6・2】.(2025・四川达州・模拟预测)一种含Cu、Fe和S的化合物晶胞如下(晶胞棱边夹角均为90。)。

以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称作原子的分数坐标,如M点原子的分

数坐标为(0,0,0)。

OCu

•Fe

OS

卜列说法错误的是

A.该物质的化学式为CuFeSzB.N点原子的分数坐标为Gt,1)

C.该晶体的密度为罩署g/cm:D.M点和P点的原子核间距为当apm

综合巩固

1.(2025•黑龙江哈尔滨•模拟预测)将Mn掺杂到GaAs的晶体中替换部分Ga得到稀磁性半导体材料,其结构如

图。已知图中a点、b点的分数坐标分别为(0,0,0)、(1,1,0)。下列说法正确的是

A.Mn、Ga、As在元素周期表中位于同一分区

B.该结构可以无隙并置,属于晶胞

C.c点的分数坐标为(0*[)

D.掺杂Mn之后,该结构中Mn、Ga、As的原子个数比为1:6:2

2.(2025・陕西安康・模拟预测)己知合金NazAIAs的立方晶胞结构如图1所示,Na原子以金刚石方式堆积,

八面体空隙和半数的四面体空隙中填入A1AU3四面体;沿x轴投影晶胞中所有Na原子的分布图如图2所示,

A点的分数坐标为(;,》<,设晶胞参数为apm,Na?AIAua的摩尔质量为Mg•mo】T,NA为阿伏加德罗常

数的值。下列说法正确的是

图1图2

A.电负性:Na>AlB.点的分数坐标为(J,今

444

C.A、C两原子间的距离为手apmD.该晶体的密度为端fg,cm,

3.12025•陕西西安•二模)怖的某种氧化物可作为水分解产生氢气的高效催化剂,其晶胞结构如图所示,已

知晶胞参数为apm。设NA为阿伏加德罗常数的值,下列说法正确的是

A.该氧化物的化学式为Ce2()3

B.该晶体的摩尔体积昨=吧型产m3.mo「i

C.与Ce距离最近且等距的O的个数为4

D.Ce与。的最短距离为等apm

O

4.(2025•黑龙江大庆三模)氢氧化锂是用于制备NCM、NCA等锂离子电池电极材料的重要原料。某种LiOH

的晶胞结构如图所示,晶胞参数分别为acm、acm、ccm(a<c)o

晶胞结构x轴方向投影图

下列有关说法正确的是

A.晶体中与一个O紧邻且等距的Li有4个

B.晶体中微粒间作用力有离子键、范德华力、非极性键

C.一个Li与所有紧邻O形成的空间结构为正四面体形

D.晶胞中Li与Li之间的最短距离为0.5acm

5.(2025•河北石家庄•三模)一种由A"、Bm+和X—组成的无机固体电解质晶胞结构如下图,图中白色球为XL

大深色球为A",小深色球为Bm+0下列说法错误的是

B.m=l,n=2

C.A"的配位数为4

D.该晶胞中的两个夕"之间的距离为器记pm

6(2025.广西南宁•-模)氧化钵(CeO?)常用作玻璃工业添加剂,在其立方晶胞中掺杂丫2。3,丫3+占据原来C1+

的位置.,可以得到更稳定的结构,如图所示。CeOz晶胞的参数为anm。下列说法错误的是

CeO2CeYmOn/

OCe4+或丫3+—O?-或氧空位(无0、):

A.CeC)2晶胞中Ce4+的配位数是8

B.Ce()2晶胞中Ce4+与最近M-的核间距为粤nm

C.当掺杂晶体的化学式为CeYmOn时,若m=2,则n=6

D.若M点的原子坐标为(0,0,0),则N点的原子坐标为G,I》

7.12025•广西南宁•模拟预测)理论计算预测,新物质X是由汞(Hg)、铭(Ge)、睇(Sb)形成的一种潜在的拓

扑绝缘材料。X的晶体可视为Ge晶体中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成,图a为Ge的品胞,图b为

X的晶胞,X的晶胞参数x=a,y=a,z=2a,夹角均为90。。下列说法错误的是

0Ge

OSb

•Hg

A.X晶体的化学式为HgGeSb?

B.基态Ge原子核外有32种不同运动状态的电子

C.X晶胞中Ge与Sb原子间最近距离约为苧a

D.若1号Ge原子分数坐标为(0,0,0),则2号Sb原子分数坐标为

8.(2025・湖南长沙•三模)Bi4(TiO4)3是一种铁电材料,掺杂La可提高其光电转化性能,La取代部分Bi后的晶

胞结构示意图(氧原子未画出)如下。下列说法错误的是

>-------•--------O-------•-------•-------O---------•-----

x-----•--------O-------•------•-------O--------•-------<•n

LS°c•O«.

»---------•..............o............•——•.............o-………

-------•--------O-------■.~O-------•--------r.u

A.若p点La平移至晶胞体心,则Ti位于晶胞顶点

B.晶胞中距La最近的Ti有8个

©-晨

C.该晶胞在孙平面的投影为

D.该晶体的化学式为BizLazCriOqk

9.12025•陕西宝鸡・三模)某锂离子电池电极材料结构如图所示。图1是钻硫化物晶胞的一部分,图2是充

电后的晶胞结构。下列说法错误的

・Co

CS

OLi

图晶胞中与的最短距离为日

A.图1结构中钻硫化物的化学式为C。9s8B.2LiLiapm

C.图2晶胞中距离Li最近的S有4个D.若图1结构中M位于顶点,则N位于面心

10.(2025・四川广安•模拟预测)某立方晶系的睇钾(Sb-K)合金可作为钾离子电池的电极材料,图a为该合

金的晶胞结构图,图b表示晶胞的一部分。下列说法正确的是

A.该晶体的化学式:K2sb

B.K可看成填入Sb围成的正八面体和正四面体空隙中,其比值为1:2

C.与K最近且距离相等的K有12个

D.若A原子坐标为(0,0,0),则B原子坐标为Gt,:)

11.(2025・广西南宁•三模)Fes2的立方晶胞结构如图所示,晶胞参数为anm。下列说法错误的是

•Fe2+8S;

A.可用X射线衍射仪测定Fes2的晶体结构B.距离Fe2+最近且等距的阴离子有6个

C.S/中硫原子间形成单键D.该晶体的密度为YJ?:cm-

12.(2025・四川成都・三模)纤锌矿型BN晶胞如图所示(略去了所有与3、4号等同的原子),晶胞参数apm=

bpm工cpm,a=p=90。,丫=60%I号N原子的分数坐标为2号B原子的分数坐标为Q;')。

假设心为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是

A.一个晶胞中有2个B原子和2个N原子

B.R原子周围最近日等距离的N原子有2个

C.3号N原子的分数坐标为(0,03)

该晶体的密度为501030g.em-3

D.2

NAxaxcxsin600

13.(2025・云南昆明•模拟预测)硒化锌主要用于制造透红外线材料及红外线光学仪器,其立方晶胞结构如图

甲所示(晶胞边长为apm)。

下列说法正确的是

A,锌、硒的配位数分别为4、2

B.锌与硒的核间距最小值为fapm

C.每个硒原子周围最近且距离相等的硒原子数为6

D.该晶胞在xy平面的投影如图乙,与yz平面的投影不相同

14.(2025・四川巴中•模拟预测)一种由Cu、In、Te组成的晶体层四方晶系,晶胞参数如图所示,晶体中Te

原子填充在Cu、In围成的四面体空隙中,A点的分数坐标为(0,0,0),B点原子的分数坐标为下列

说法正确的是

A.晶体中In的配位数为8B.D点原子的分数坐标为Gt,/)

晶胞中四面体空隙的占有率为该晶体的密度为64x4+115x

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