存储行业深度：发展现状、市场规模、竞争格局、产业链及相关公司深度梳理

1/28行业|深度|研究报告 行业|深度|研究报告 行业研究报告去年9月至今，受需求"爆发式"增长、产能"断崖式"紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上涨，近1个多月以来涨幅呈现扩大态势。当前存储芯片正处于上涨周期。年内来看，在AI服务器算力需求持续增长的带动下，全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续，存储芯片价格将延续上涨态势。围绕存储行业，下面我们从存储行业发展现状展开讨论，分析当前市场规模、技术趋势、竞争格局、并从需求及供给端分析当前存储行业发展情况，并对产业链及相关公司进行梳理，希望帮助大家更多了解存储行业发展情况。一、存储行业概述 1二、存储行业发展现状 3三、存储行业产业链及商业模式 4四、存储行业市场规模分析 5五、存储行业技术趋势 9六、存储行业竞争格局分析 12七、存储行业需求端分析 14八、存储行业供给端分析 18九、存储行业相关公司 22十、参考研报 27存储器是用来存储数据、信息和各类程序软件的记忆部件。依据存储介质不同，可以分为半导体存储、磁性存储和光学存储；其中，半导体存储器是以半导体电路作为存储媒介、用于保存二进制数据的记忆设备，是市面上的主流存储器，具有体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易等优点；被广泛应用于各类电子产品中。存储器按照电源在关断后数据是否被保存可分为RAM（随机存储器）、ROM（只读存储器）和新型RAM（基于新材料研制而成，尚未实现商业化）。其中，RAM大头是DRAM、ROM大头是NANDFlash为主。行业|深度|研究报告 DRAM（动态随机存取存储器、断电后数据丢失）是存储器细分产品中的营收占比最大的产品。DRAM基本存储单元由一个晶体管和一个电容（1T1C）构成，被广泛应用在主机内存上，产品主要分为DDR、LPDDR、GDDR、HBM等。HBM是3D堆叠构成的“高带宽、高速”DRAM内存，其DRAMdie之间以TSV连接；通过3D堆叠，HBM实现内存容量与带宽瓶颈的突破。由于HBM的带宽领先其他技术一个数量级之多，更好适配高度并行计算、科学计算、计算机视觉、AI等使用场景。NANDFlash是最为常见的非易失存储介质，其标准化的生产过程、容量大、且断电不会丢失存储信息的特征，决定了NANDFlash被广泛应用在资料存储的应用属性。2/28行业|深度|研究报告 存储市场正迎来持续演绎的“超级周期”，价格上行态势强劲且仍有扩张空间。根据安兔兔公众号，自去年9月起，存储板块迈入价格快速攀升通道，DRAM（内存）与NANDFlash（闪存）现货价累计涨幅已超300%，第四季度合约价同比上涨75%，其中DDR5颗粒单月涨幅更突破90%。此轮涨价的核心驱动力源于AI应用中“以存代算”技术的普及——全球约66%的DRAM产能已被AI服务器吸纳，三星、SK海力士及美光等企业更将70%产能倾斜至高利润的HBM（高带宽内存）与DDR5产品，此举直接导致消费级芯片出现20%的供应缺口。CounterpointResearch指出，在AI与服务器需求的双重激增下，存储市场已进入超越2018年历史高点的超级牛市阶段，供应商议价能力攀至历史峰值。TrendForce进一步预测，2026年第一季度，随着DRAM原厂大规模向服务器、HBM领域转移先进制程与新产能以满足AI需求，普通DRAM合约价将环比大增55%-60%；而NANDFlash受限于产能管3/28行业|深度|研究报告 控及服务器强势采购对其他应用的挤压，各类产品合约价仍将延续33%-38%的涨幅。多重因素叠加下，存储价格的上涨动能有望持续释放。厂商通过减配的方式缓解成本上涨压力的空间有限，上调终端价格将成为普遍趋势。目前联想、戴尔、惠普等主要电脑厂商均已发布调价函，涨幅普遍在500至1500元之间，小米、vivo等国产新发售机型相同存储配置版本价格较上一代上涨300至500元。受存储芯片价格上涨及对下游的传导影响，PPI方面，计算机、通信及其他电子设备制造业分项价格有望止跌企稳，对PPI的拖累作用有所减弱。三、存储行业产业链及商业模式存储器产业链情况：原厂掌握产业链核心技术，并推动技术迭代与标准制定。据江波龙招股说明书，存储器产业链从上至下分别为：晶圆厂、主控芯片、封装测试、存储模组与产品供应商、存储品牌商、下游具体应用场景等。其中，上游晶圆厂即存储“原厂”，是业内对具备自有晶圆制造能力的存储芯片厂商的通称，掌握核心颗粒（Die）的制造权，如三星、美光、海力士、长鑫存储等。原厂拥有晶圆制造能力，掌握制程工艺、架构设计等核心技术，是存储芯片性能、寿命、功耗等指标的决定者，同时控制着行业最关键的产能资源。此外，原厂还推动行业技术迭代与标准制定，新一代存储技术（如3DNAND层数提升、DRAM制程升级、接口标准变更）通常由原厂率先研发并量产，其强话语权决定了产业升级节奏和方向。4/28行业|深度|研究报告 存储下游应用场景多样，产品千端千面。存储器的下游应用市场包括手机、笔电、服务器、工业、车载、家用电器、安防监控、物联网硬件等，不同应用市场对存储器的功能要求不同，在存储原厂完成标准的晶圆制造之后，应用场景所需的功能则在NANDFlash主控芯片设计、固件开发以及SiP封装等产业链后端环节实现，这一环节需要开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。原厂主要服务核心客户。存储原厂的竞争重心在于创新晶圆IC设计与提升晶圆工艺制程，在产品应用领域，囿于产品化成本等要素限制，原厂仅能聚焦具有大宗数据存储需求的行业和客户（如智能手机、个人电脑及服务器行业的头部客户）。第三方解决方案厂商提供定制化服务。存储原厂的目标市场之外，仍存在极为广泛的应用场景和市场需求，包括细分行业存储需求（如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器、影像监控、物联网硬件等）以及主流应用市场中小客户的需求。无晶圆制造的存储器厂商面向下游细分行业客户的客制化需求，进行介质晶圆特性研究与选型、主控芯片选型与定制、固件开发、封装设计与制造、芯片测试、提供后端的技术支持等，将标准化存储晶圆转化为千端千面的存储器产品，扩展了存储器的应用场景，提升了存储器在各类应用场景的适用性，推动实现存储晶圆的产品化和商业化。商业模式：主要晶圆厂仍采用IDM模式运营，部分原厂向下游存储产品渗透。不同于逻辑芯片从IDM模式向产业链分工模式切换，半导体存储器由于布图设计与晶圆制造结合更为紧密，业内主要晶圆厂仍采用IDM模式运营。此外，由于存储晶圆标准化程度高，应用场景所需的功能在NANDFlash主控芯片设计、固件开发以及SiP封装等产业链后端环节实现，因此存储原厂完成晶圆制造后，仍需开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。存储行业市场规模在周期波动中呈现出持续增长之势，主要系存储位元需求整体呈现逐年提升，产品价格的周期性变化使得行业规模在波动中持续增长。我们预计2026年存储行业市场规模或将超3000亿5/28行业|深度|研究报告 存储行业的生产模式为IDM的模式，据ICInsight统计数据显示，近年来，存储器资本开支占存储器营收的30%-40%。对不同制程节点扩产所需设备的投资额分析可以发现，10-20nm制程的每5万片晶圆产能所需设备投资额在47-63亿美元之间，随着存储制程来到10nm+，设备投资额度的加大是其资本开支不断增长的原因之一（注：10-20nm制程不含10nm、含20nm）；行业具备重资产投入属性。对存储产品的历史价格进行分析，可知：存储价格都有着显著的“暴涨—暴跌”的循环变化；尽管全球存储需求中长期在快速增长，但中短期需求具有一定的波动，同时受制于供给端厂商新建产线往往需要较长的时间（两年左右）集中释放产能，供需时空上的错配是致使存储器周期性波动的核心所在。本轮在AI驱动的强需求下，存储供给持续紧张，价格整体上涨幅度超历史存储周期。在需求持续增长、且价格持续上升之际，当前行业主要玩家的整体盈利能力持续提升。6/28行业|深度|研究报告 有别于传统的DRAM产品形态，HBM高带宽内存）借助硅通孔技术实现DRAM颗粒的空间堆叠（单位面积下内存容量的提升）、并有效增加引脚数量（x1024/2028，HBM—HBM3E），从而实现带宽数量级式的抬升。自2013年海力士研发出业内首颗HBM芯片以来，HBM现已迭代至第六代产品7/28行业|深度|研究报告 HBM4；在产品持续迭代的过程中，HBM存储容量、带宽均实现持续增长。HBM4产品单颗最大容量有望达48GB、带宽达2TB/s。当前，三大原厂三星、海力士、美光均已正式推出HBM4。以英伟达系列GPU为例，单卡所搭载HBM在产品代际持续提升之际、搭载容量亦呈现出持续提升之势。从H100到Rubin系列，单卡搭载HBM从HBM3升级至HBM4，搭载容量亦从80GB提升至288GB。HBM作为与GPU/ASIC直接封装的存储芯片，其市场随着GPU/ASIC的产品升级和高速增长，而呈现出快速扩容之势。据美光预计2028年HBM市场规模有望达1000亿美元，2025-2028年复合增速达40%。8/28行业|深度|研究报告 AI大模型参数拓展至数万亿级参数和步骤推理，生产大量的上下文数据以键值（KV）缓存表示，KVCache长期存储在HBM会造成实时推理瓶颈；为了解决该瓶颈，会将KVcache卸载至G2系统内存和G3本地NANDFlash。随着模型参数及推理规模的增加，G1-G3存储容量仍难以满足KVcache存储需求，英伟达CES大会推出推理上下文存储平台（ICMS平台）；通过建立专为KVcache优化的用以太网连接的G3.5闪存层，为GPU服务器额外增配PB级别的共享存储，有效扩展了GPU存储容量。参考英伟达ICMS平台，我们预计未来其他GPU/ASIC对NANDFlash的配置比例亦呈现持续提升之势。整体而言，AI时代，随着KVcache卸载至NANDFlash及推理时代来临，NANDFlash需求将呈现高速增长。9/28行业|深度|研究报告 大模型参数持续增加对计算的要求持续提升，而DRAM技术发展进程相对缓慢，为解决日益扩大的计算与内存缺口（“内存墙”问题），海力士、三星、闪迪等原厂很早便启动了AINB的研发工作（即HBF、高带宽闪存——通过堆叠NANDFlash闪存以扩大带宽的闪存解决方案）；其核心在于将高容量、低成本的NAND闪存与HBM堆叠结构相结合，以解决大模型对于存储容量和带宽的双高要求。10/28行业|深度|研究报告 单颗HBF容量可达512GB，GPU如若采用6颗HBF+2颗HBM堆栈可实现3120GB的存储容量。相较于采用8颗HBM（（单颗存储容量为24GB）实现192GB存储容量的GPU，可大幅提升单GPU存据闪迪预计，HBF有望于2026年下半年实现样品级产品交付，首批基于HBF驱动的产品有望于2027年初采用。11/28行业|深度|研究报告 行业集中度极高，海外大厂掌握行业话语权。存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛，早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断累积市场优势，全球存储晶圆市场份额被韩、美、日等国家的少数企业主导。相比海外领先大厂，我国存储器相关产业起步较晚，尽管近年来在半导体产业政策和资本支持下，以长江存储、长鑫存储为代表的国内晶圆厂商在技术、产能方面实现突破，但市场份额与海外头部企业仍存在较大差距。其中，DRAM（含HBM）的主要玩家为三星、海力士、美光，top3市占率超90%；NANDFlash的主要玩家为三星、海力士、美光、闪迪、铠侠（其中闪迪、铠侠共用产线），top5市占率超90%。由此可见，DRAM和NANDFlash均是高度垄断的行业。12/28行业|深度|研究报告 从2025Q2各存储厂商产能来看：1）NAND端：三星与西部数据/闪迪分别以41万片和40万片双分天下；长江存储月产能仅14万片，提升空间巨大。2）DRAM端：三星、SK海力士、美光三家12英寸月产能分别为64.5万片、51.5万片和33万片；长鑫存储月产能约26万片，仍具备显著扩产余地。13/28行业|深度|研究报告 中长期全球存储位元需求CAGR维持20%，数据中心引领行业迈入ZB级扩容周期。英伟达Rubin平台引入独立存储机柜与DeepSeekEngram架构的落地，推动了NAND在AI推理中的战略地位显著跃升，并带来确定性的结构性新增需求。2026年全球存储行业市场规模预计近3000亿美元，同比高增39%。根据WSTS数据，2026年全球存储行业市场规模预计为2948亿美元，同比增长39%。全球存储行业在经历2023年低点后，连续三年同比大幅增长，在存储价格持续上涨与供应短缺情况下，存储行业景气度预计将持续高涨。1.中长期存储需求CAGR增速约20%，服务器市场占比逐步提升AI时代下存储需求加速增长，数据中心存储容量需求将从EB级别增至ZB级别。AI时代下数据量级加速增长，①希捷：希捷预计数据中心对存储的需求有望从2020年的600EB（1EB=1024PB）增至2028年的2.4ZB（1ZB=1024EB），2024-2028年需求CAGR增速预计为mid-20%，存储需求核心驱动力从手机、互联网厂商等转变为生成式AI且显著加快，存储收入将从手机、云时代的低两位数CAGR增速（2016-2024年）增长至AI时代的mid-teensCAGR增速（2024-2028年）。②闪迪：根据闪迪FY26Q2法说会内容，其上调2026年数据中心NAND数据量增速达60%（此前为mid-40%）。14/28行业|深度|研究报告 2026年DRAM位元需求增速预计快于NAND达16%。根据TechInsights预测，预计2026年DRAM总需求为372.4Eb，同比增长16%，预计2026年NAND总需求为1168.1EB，同比增长13%。根据海力士预测，2026年DRAM位元需求增长率仍将保持在20%以上，NAND位元需求增长率将达19%。AI算力的爆发式增长是DRAM需求的核心驱动力，预计2023-2030年需求CAGR为20.3%。根据TechInsights预测，2023-2030年，数据中心DRAM位元需求CAGR达28.3%，远超PC（10.8%）、移动（11.3%）等传统领域。预计到2026年，数据中心将占全球DRAM位元需求的50%，成为最大单15/28行业|深度|研究报告 数据中心对NAND需求增速超过DRAM，预计2023-2030年需求CAGR达19.8%。根据TechInsights 预测，2023-2030年，数据中心NAND位元需求CAGR达32.6%，超过PC（12.1%）、移动（14.2%）等传统领域。AI大模型推理包含HBM、DRAM、NVMeNAND三层存储架构。随着生成式AI步入应用爆发期，算力基础设施的核心逻辑正从“训练端的高带宽吞吐”向“推理端的复杂存储架构”转变。在推理负载下，AI服务器形成了由HBM（第0层/核心带宽）、DRAM（第1层/大容量缓存）与NVMeNAND（第2层/持久化存储）构成的三级金字塔体系：其中，HBM与DRAM共同承载模型权重的静态驻留与KVCache的动态交互，以实现亚秒级响应；而NVMeNAND则凭借高性价比的大容量优势，成为RAG（检索增强生成）海量外部知识库与模型参数、日志持久化的核心载体。16/28行业|深度|研究报告 大模型对HBM与DRAM需求主要来自模型权重的静态内存与KVCache的动态内存，对NAND的需求主要来自RAG。从价值分配角度看，推理过程中的数据流动重塑了存储组件的增长动力：HBM与DRAM的需求弹性主要受模型参数规模及自回归生成模式下的KVCache溢出频率驱动，是确保推理速度的“性能底座”；而NAND的需求增量则更多来源于企业级RAG应用的深度渗透，其通过将TB级知识库离线存储并实时检索，解决了LLM的“幻觉”痛点，使得持久化存储从边缘角色上升为支撑行业垂直化应用的关键生产要素。大模型从生成图片到视频所需内存容量成倍增长。大模型生成一张图片需要1MB存储数据，生成歌曲/音频需要5MB存储数据，而生成一分钟视频需要50MB数据，如果大量用户生成多种类型视频，那么所需内存量将成倍增长，根据Seagate内容，AI用1.5年生产的图片容量相当于人类过去150年拍照的总和，而视频大模型所需要的内存容量是图片的100多倍，内存需求量激增。英伟达ContextMemory新增存储机柜，NAND需求未来可明确量化趋势提升。随着推理负载朝着长上下文、多轮次、多智能体的方向演进，推理状态的存续时间已逐渐超过单个GPU的执行周期。KV缓存17/28行业|深度|研究报告 与可复用上下文必须能够在GPU内存之外持久化保存，且能在多个请求间被高效访问。根据CES2026英伟达演讲，英伟达在Rubin平台推出了由BlueField-4智能网卡驱动的推理上下文内存存储方案，新增存储机柜，其在演讲中提到新存储机柜为每GPU再额外增加16TB内存，NAND存储需求将受益于AI需求增长而同步增长。根据闪迪FY26Q2法说会，初步估计2027年这部分可能会额外带来大约75-100EB的数据量需求，次年这个数字可能会翻倍，这将再次证明NAND闪存在AI架构中处于核心地位。DeepSeek最新论文介绍Engram模块，利用更多DRAM/SSD降低HBM计算压力，同时最大化提高模型智能。Engram模块将最高频访问的知识嵌入向量放在速度最快的GPU显存（HBM）中，中频访问的放在容量较大的主机内存（DRAM）中，而海量的、低频出现的长尾知识则可以存储在廉价的NVMeSSD硬盘上，这种分层设计使得模型可以在不牺牲速度的前提下，拥有海量的“记忆容量”。原厂加大Capex，但受制于技术升级及扩产周期，产能扩张有限，供给缺口或延至2027年。2026年DRAM与NAND位元出货量预计增长20%，服务器占比持续提升。18/28行业|深度|研究报告 2026年DRAM与NAND位元出货量预计均增长约20%，受供应限制需求仍大幅超过供给。根据公司法说会内容：1）SK海力士：预计2026年服务器端存储产品出货量将实现highteens增长，主要受益于AI服务器需求爆发和通用服务器规格升级，而PC和移动设备受组件成本与消费者信心影响，需求增速将低于行业2）三星电子：预计2026年行业DRAM和NAND位元出货量增长受供应限制而增速温和，其中Q1DRAM位元出货量环比增长限制在低个位数，NAND环比增长为中个位数；同时AI驱动下，HBM4市场需求大幅增长，PCIeGen6SSD需求加速，而移动和PC领域需关注出货量潜在下滑风险；3）美光：2026年预计DRAM与NAND位元出货量预计均较2025年增长约20%；HBM市场将以约40%的CAGR增长，2026年出货量增速超整体DRAM行业，同时2025年服务器、PC出货量预计实现high-teens增长，智能手机实现低个位数增长；4）闪迪：受AI驱动NAND行业向结构性增长转变，预计2026年之后各终端市场客户需求仍将大幅超过供应，公司中长期位元出货量CAGR将维持在mid-to-highteens；2026年数据中心NAND的EB需求增长率达high-60%；消费端市场向高端倾斜，2026年消费级NAND位元出货量增速为中个位数，平均售价增速为两位数；5）西部数据：AI推理推动数据生成激增，2026年HDD行业EB出货量增速维持在low-20%，NearlineHDD占比超85%；技术迭代驱动增长，30TB以上ePMR等高端HDD需求提升，2027年HAMR技术量产后将带动增速升至mid-20%，2026年UltraSMR技术在NearlineHDD中的出货占比超50%。2026年DRAM与NAND位元出货量中预计服务器应用在两者占比均超45%。根据Counterpoint数据，DRAM方面，25Q4开始服务器领域位元出货量占比将超过45%，移动、PC、HBM位元出货占比将分别在20%、10%、20%左右；NAND方面，2026年服务器领域出货量占比也将超过45%，移动、PC位元出货占比分别为20%、15%左右。2025年下半年DRAM与NAND供给普遍紧缺，随着产业链备货及原厂加大生产供给缺口逐月缩小。根据宇瞻25Q3法说会数据，2025年7月DDR4供给缺口大幅扩大至15.5%，随后逐月缩小，但供给19/28行业|深度|研究报告 缺口仍较大，DDR5则始终处于供需紧平衡状态；NAND方面，供给缺口保持在0.3%左右，到年底有2026年海外三大原厂预计资本开支增长显著，将进一步加大投资以扩充高端产品产能。1）三星：2025年DS部门资本开支为47.5万亿韩元，内存业务因公司向先进工艺转型以扩大HBM等高附加值产品的销售，投资同环比均有所增长，2026年公司预计内存业务资本开支将进一步增加。根据TrendForce预测，2026年三星预计投入200亿美元，同比+11%；2）海力士：2025年前三季度资本开支为110.5亿美元，2026年资本开支预计同比将显著增长，主要用于产能扩张与基础设施建设。根据TrendForce预测，2026年海力士预计投入205亿美元，同比+17%；3）美光：预计2026年资本开支约200亿美元，将优先支持HBM供应能力与1-gamma技术产能扩张。2026年新增产能有限，大部分产能在2027年以后释放且原厂开始重视NAND扩产。根据TrendForce资料及各公司法说会内容，1）三星电子：扩产主要用于用HBM的1C制程导入，同时公司投资美国泰勒工厂，预计2026年投产；2）美光：目前扩产积极，重点投向1-gamma制程渗透及TSV设备建置。另外，美光于1月16日于力积电签署协议，计划以18亿美元购买其铜锣P5厂房，以扩充DRAM产能。同时，根据Digitimes报20/28行业|深度|研究报告 道，美光将在新加坡投资扩产NAND闪存，计划未来10年内在新加坡追加投资240亿美元，晶圆产出预计将于2028下半年开始，此前还建设有价值70亿美元的HBM先进封装厂，预计于2027年投产；3）海力士：重点布局M15X以备战HBM4。同时加速筹备P&T7工厂，以支撑NAND业务扩张；4）南亚科：新DRAM厂设计月产能4.5万片，一阶段1.5-2万片/月，预计2027上半年投产；5）华邦：投资400亿新台币，将DRAM月产能扩充至2.4-2.5万片，预计2026年底位元供应量将翻倍，同时预计台中厂Flash产能也将增约20%；6）旺宏：计划投资220亿新台币，将NORFlash12寸厂的月产能自2万片增至3万多片规模。国内方面，长江存储武汉三期正加速建设，原定于2027年才能达成的量产目标，有望提前至2026年下半年正式启动。21/28行业|深度|研究报告 具备存储芯片“设计+固件+封测”全栈能力，构建FORESEE、Lexar及Zilia三大品牌矩阵。江波龙成立于1999年，聚焦NANDFlash与DRAM的研发与销售，经过多年工艺积累，从最初的贸易型公司逐渐发展转型为技术品牌企业，形成了“自研芯片设计+固件算法开发+存储设计及封测制造”的全栈能力，可实现各类存储产品全栈定制与一站式交付。公司于2011年创立FORESEE存储品牌，发布eMMC、SSD存储产品，2017年收购国际高端消费类存储品牌Lexar，2019年开始规模量产工规级、车规级eMMC存储器，2023年收购ZiliaBrazil81%股权，发力巴西市场，至此公司形成三大品牌矩阵。三大品牌定位清晰且成果显著，2023年FORESEE品牌B2B收入在全球独立存储器品牌中排名第五，Lexar品牌B2C收入在全球独立存储器品牌中排名第二，Zilia品牌收入在拉丁美洲和巴西的独立存储器企业中位居第一。公司拥有嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条四大产品线。客户合作方面，公司主要客户群体包括手机、通信、服务器、消费等领域。公司已与华勤技术、闻泰科技、龙旗技术等ODM厂商形成稳定的合作关系，行业类存储器进入传音控股、中兴通讯、烽火通信、三星电子、TCL、创维、小米、字节跳动、联想、华硕、深信服、长安汽车等客户的供应链体系。消费类存储器客户包括京东、亚马逊、沃尔玛、BestBuy、B&H等知名零售商。22/28行业|深度|研究报告 江波龙切入存储主控芯片领域，具备设计+固件算法+封测全流程能力。公司建立自研主控能力并匹配自研固件算法的既有竞争力后，通过硬件和软件搭配，能够有效解决通用主控芯片的兼容性难题，高效地满足客户，特别是大客户的产品性能要求，增加大客户粘性。公司在产业链中起到承上启下的作用，与全球头部晶圆原厂、主控厂商及封测企业建立了深度稳固的供应链合作体系。深耕存储晶圆“产品化”环节，以定制能力构筑品牌护城河。存储原厂通常聚焦标准化晶圆与头部大宗市场，存储器厂商则面向下游各细分领域客户定制化需求，将标准化存储晶圆转化为存储产品，扩展了半导体存储器的应用场景，提升了半导体存储器在各类应用场景的适用性。国内领先的嵌入式存储龙头，定位消费类终端产品应用。佰维存储是“研发+封测”一体化的半导体存储器厂商，公司自成立之初便拥有自己的封装和测试产线，就此打入嵌入式存储芯片市场。经过数年发展，公司已形成以嵌入式存储芯片、存储模组和先进封测为主的三大业务线，具备存储器芯片的研发设计和23/28行业|深度|研究报告 封测制造能力。公司产品定位消费类需求，客户覆盖手机、PC、可穿戴等国内外主流终端品牌厂。依托领先的封测能力，公司有望乘AI之东风，迎来历史性成长机遇。AI端侧应用亟待放量，携手META打造可穿戴类存储模组行业标杆。各AI大模型厂商的竞争正逐渐从大模型本身转向寻求终端用户入口，基于AI硬件的演进趋势，AI眼镜是当下最接近于“AI贴身助理”的硬件产品，也是当下各CSP厂商重点聚焦的领域。嵌入式存储是AI端侧应用的最优存储模组解决方案，其中ePOP封装是AI眼镜存储模组的首选。佰维存储的ePOP解决方案已通过广泛的市场验证，高度契合AI端侧的需求，是Ray-BanMeta智能眼镜的独家存储供应商，公司正携手META打造可穿戴类存储模组行业标杆。前瞻布局晶圆级封装产线，拥抱AI大时代产业趋势。佰维存储以子公司泰来科技作为先进封测及存储器制造基地，同时通过子公司芯成汉奇布局晶圆级先进封测业务，是全球唯一具备晶圆级封装能力的独立存储器供应商。随着AI端侧产品对高性能、小型化、低功耗存储模组诉求不断提升，以晶圆级封装为代表的先进封装技术或将成为端侧模组的主流方案，公司提前布局相关业务，有望迎来第二成长曲线。公司已实现存储模组全产品线布局，在企业级存储领域布局领先。公司主要从事存储模组产品的研发与销售，并具备闪存主控芯片设计与开发能力，致力于为客户提供存储领域的完整解决方案。自成立以来，公司始终聚焦存储主业，不断完善产品矩阵，积极拓展应用领域与使用场景，现已形成涵盖固态硬盘类、嵌入式存储类、内存条类及移动存储类的多条产品线，产品广泛应用于数据中心、智能手机、车载电子、平板电脑、安防监控等多元场景。一方面，公司以闪存主控芯片设计与研发为差异化核心竞争力，结合固件方案、量产工具开发、存储模组测试及供应链管理，构建了完善的系统级存储解决方案；另一方面，公司在企业级存储市场布局已处于国内领先地位，其PCIe/SATASSD等产品已深度适配AI服务器与数据中心等高端应用，并成功进入多家头部互联网与服务器厂商供应链，实现稳定批量出货，相关业务占比持续提升。AI驱动存储器市场规模扩张，公司有望迎来新一轮成长空间。AI在各类应用场景快速普及，对半导体存储提出更高要求，驱动行业市场规模持续扩容。上游算力方面，AI服务器的训练与推理对高性能、低延迟存储解决方案的依赖日益增强，带动存储器在带宽、容量及功耗等方面持续优化，推动高端DRAM（如HBM）与企业级SSD需求增长；下游终端方面，随着AI从云端向端侧渗透，智能手机、PC、AI24/28行业|深度|研究报告 眼镜、智能汽车等设备正嵌入大模型推理与多模态交互能力，对本地模型存储、缓存与高速读写提出新要求。终端设备对更大容量、更高带宽、更低功耗的存储需求显著提升。公司重视企业级存储国产替代机遇，目前已形成完整的产品体系，涵盖高性能SSD、DRAM等产品，可满足数据中心、云计算等领域国产化需求；终端方面，公司所生产的固态硬盘、嵌入式存储、内存条产品已进入多家知名厂商供应链，有望受益端侧存储持续扩容。AI浪潮推动存储器价格涨幅超预期，板块上行趋势明确。自9月以来，闪迪、美光、三星、西数等多家存储巨头陆续上调产品报价，涨价幅度普遍超出市场预期。本轮海外存储巨头集体涨价，主要驱动力为AI应用爆发，导致对AI服务器、数据中心用的高性能存储芯片需求激增，从而推动整个存储市场的价格上行。随着生成式AI向多模态方向发展，全球科技企业正加速数据中心建设，推动对DDR5RDIMM、eSSD等高性能存储产品需求增长。据CFM闪存市场预测，预计四季度存储器价格有望全面上涨，其中服务器eSSD涨幅将达到10%以上。公司是国内存储行业头部企业，与上下游合作关系稳固，在采购端成本优势突出，有望充分受益于存储行业周期上行。兆易创新科技集团股份有限公司是全球领先的Fabless芯片供应商，公司成立于2005年4月，总部设于中国北京，在中国上海、深圳、合肥、西安、成都、苏州、香港和新竹，新加坡、美国、韩国、日本、英国、德国等多个国家和地区均设有分支机构和办事处，营销网络遍布全球，为客户提供优质便捷的本