《磁控溅射硅靶材及邦定后硅靶材》（征求意见稿）

201x-xx-xx发布201x-xI I 1 1 2 2 2 3 3 3 3 3 3 3 3 4 4 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 7 7 7 8 8 8 8 8 8 81磁控溅射硅靶材及邦定后硅靶材本标准适用于提拉或铸造工艺制造的半导体电子器件用的各类硅GB/T5231-2012加工铜及铜合GB/T6093-2001几何量技术规范（GPS）长GB/T24582-2009酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定硅GB/T29505-2013硅片平坦表面的表面YS/T257-1998铟YS/T276（所有部分）铟化学分2002/95/EC欧盟关于在电气电子设备中限制使用某些有害物质指令ASTMA959-16锻制不锈钢用说明协调标IEC62321-5-2013电工电水平的测定（Electrotechnicalproducts-Determinationoflevelsofscadmium,hexavalentchromium,polybrominatedbiphenyls,polybrominateddiphenELECTROTECHICALPRODUCTS-Par测定聚合物和电子设备中的镉、铅和铬以及金属中的镉和铅（Determinationofcertainsubstancesinelectrotechnicalproducts-Part5:Cadmium,leadandchromiuminleadinmetalsbyAAS,ICP-OESandICP-MS）2这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶靶材领域对于高纯度物质要求极高，高纯硅可以通过ICP-MS、ICP-AAS等仪器，使硅纯度测量精度达百万分之一级(μg/g）。硅与背板之间的实际接合面积占应结合面积4.1靶材材料34.2背板材质的要求4.2.1平面靶材的背板为铜，铜板的牌号及化学成分应符合GB/T5——不锈钢衬管的材质应符合ASTMA959-14.3邦定材料的要求5.1产品分类5.1.1产品按纯度，分为三级，包括：5.1.2产品按外形，分为平面靶材、旋转靶材。5.1.3产品按供货状态，分为未邦定硅靶材和邦定硅靶材。5.1.4产品按导电类型，分为P型硅靶材和N型硅靶5.1.5产品按电阻率，在Si后面添加所需电阻率的5.2供货状态5.3牌号表示平面靶材和旋转靶材，P表示平面靶材，X表5.4供货状态磁控溅射硅靶材以加工后未邦定态供货以及加工后邦定态4±0.1±0.2±0.1±0.2±0.1±0.2注：磁控溅射硅靶材的允许偏差应同时满足需方的要求，可5磁控溅射硅靶材的表面粗糙度Ra值应不大于1.6μ——磁控溅射硅靶材表面应无划伤、裂纹、硬质点等缺陷，崩边应小于0.3——磁控溅射硅靶材表面应无拉伸润滑痕迹，颗粒附加物和其他沾污；——磁控溅射硅靶材表面应清洁光滑，无指痕，无油污和锈蚀。磁控溅射硅靶材的内部质量不应有气孔、硬质点和隐裂邦定后硅靶材与背板的搭接率应不小于95%，同时单个不良接触区域的面积不大于应搭接面积的2.5%。邦定后，硅靶材之间的缝隙在0.3磁控溅射硅靶材的化学成分分析按GB/T24582-2009的磁控溅射硅靶材的几何尺寸及允许偏差的检验按GB/T6093-2001注2：硅圆环靶、硅旋转靶的同轴度按JB/T7557-1994测试。6磁控溅射硅靶材的表面粗糙度的检验按GB/T29505-201磁控溅射硅靶材的外观质量用目视检查，如发现异常现象，用10倍放注：红外测量难度较大，一般会在切割前对小方锭进行检测，如果小方锭硅靶材与背板或衬管的搭接率检测，应采用（水浸式）超声波探伤方法进8.1.1产品应由供方质量检验部门进行检验，产品质量符合本标准（或订货合同）的规定，并填写质8.1.2需方应对收到的产品按本标准的规定进行复验。复验结果与本标准（或订货合同）的规定不符7锭上下表面任意部位每个尺寸的边缘和中每个表面任意部位三处4.4.3任意部位（在坯料上4.4.6任意部位（在坯料上4.4.7每批一份（在一批的任意一块坯料上选（整片邦定后的硅靶4.5.38.4.2几何尺寸检验不合格时，判定该8.4.3表面粗糙度检验不合格时，判定该8.4.4外观质量检验不合格时，判定该8.4.5内部质量检验不合格时，判定该批次8.4.8有害物质的检测不合格时，判定该片靶材不合格，重新对该批次靶材加倍随机抽检，若仍不合89标志、包装、运输、贮存9.1标志b)产品等级、纯度；j)生