2026年封装测试行业投资策略分析报告：半导体中游先进封装大时代本土厂商崭露头角

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研

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告先进封装大时代，本土厂商崭露头角2026年封装测试行业投资策略（半导体中游系列研究之十三）2026.3.11投资要点◼

HBM+CoWoS组合成为AI等算力芯片标配，带动先进封装需求激增。根据ChipInsights数据，全球OSAT行业延续复苏态势，2025年合计实现销售3332亿元，YoY+9.9%。HPC、AI驱动，2.5D/3D等先进封装平台需求激增，尤其是CoWoS相关产能供不应求。◼

先进封装未来关键技术方向主要为材料和架构创新。1）2.5D中介层变化如RDL、嵌入式硅桥、玻璃、PIC、SiC等；2）在封装环节中玻璃的使用，板级封装（PLP）或替代WLP来提升产能效率；3）3D架构下的互联环节增量如混合键合、TSV+ubump等；4）高集成架构CPO，即在同一基板上组装EIC/PIC以及ASIC，利好半导体供应商。◼

海外全环节进入资本开支高峰期。TSMC与非TSMC阵营皆上调2026年CoWoS产能扩张规模，在成本效率及风险分散两大考量下，订单外溢将扩大OSAT在AI芯片市场的版图。◼背景下，中国本土OSAT厂商加速崛起。关注三个方向：1）2026年中国本土先进制程供给扩张进度有望超预期，AI相关算力芯片放量对后道配套能力提出更高要求；2）国产存储IDM份额持续提升，先进封装的增量主要是TSV和键合工艺；3）涨价与扩产周期共振，封测服务价格中枢持续抬升。◼

重点标的：通富微电（加码高端封装，与AMD共同成长）、盛合晶微（2.5D平台国内领先）、甬矽电子（先进封装新军），汇成股份（重点规划DRAM封测建设）、深科技（深度配套本土存储IDM）、伟测科技（高端测试布局领先，持续加大资本开支）等。◼

风险提示：国际贸易摩擦风险；先进封测业务固定资产投资规模较大风险；市场竞争加剧风险。

证券研究报告2本人有

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每月1000元主要内容1.

先进封装成为算力各环节标配，OS

ATsAI版图持续扩大2.

本土厂商崭露头角，涨价与扩产周期共振3.

重点标的和估值31.1

HPC、AI驱动，2025年OSAT行业规模创历史新高◼

委外测试与封装行业（OSAT）在2025年延续复苏态势，产值不断推高。根据ChipInsights数据，2025年全球OSAT行业营收合计3332亿元，YoY+9.9%，销售规模创历史新高。••OSAT厂商CR10超80%，相比其他地区中国本土OSAT维持高成长，整体市占率已超30%。HBM+CoWoS组合成为AI算力芯片标配，带动2.5D/3D等先进封装需求激增，尤其是CoWoS相关产能供不应求。◼

根据ChipInsights数据，2025年台积电先进封装营收约130亿美元，如果加入排名将位居第一。图：全球OSAT行业市场规模（单位：亿元）表：全球OSAT厂商Top

10营收排名（单位：亿元）排名1公司ASE国家/地区中国台湾美国202586847840627517316716578YoY13%2%2AmkorJCET3中国大陆中国大陆中国大陆中国台湾中国大陆中国台湾韩国17%14%21%-3%47%15%24%42%4TF5HTTECHPTI67WiseRoadKYEC89HANA

MicronSJ

SEMI73注：不计入IDM封装营收以及晶圆代工的先进封装营收

证券研究报告10中国大陆65资料：芯思想，申万宏源研究41.2

先进封装重要性提升，成为提升系统性能的关键路径◼

摩尔定律放缓的背景下，先进封装不仅是半导体制造的关键后制工艺，也是持续提升半导体性能，满足下游产业复杂应用需求的核心技术路径。••传统封装：主要功能是半导体保护、尺寸放大和电连接，通过打线等方法将芯片与外部电路连接起来，并提供机械保护和散热。先进封装：在传统封装的基础上，增加了提高功能密度、缩短互联长度、进行系统改造的功能。可在不依赖于芯片制造工艺的突破的情况下增加产品集成度及功能多样化。◼

在HPC、AI等高端应用推动下，RDL、Bump、TSV、Wafer等基础工艺技术的倒装芯片结构的封装、晶圆级封装、系统级封装、2.5D/3D封装所占成本比重越来越大。图：晶圆制造技术和封装技术开始深度融合图：先进封装和传统封装产值（单位：亿美元）

证券研究报告资料：盛合晶微招股书，Yole

Development，申万宏源研究51.3

先进封装未来关键技术方向主要为材料和架构创新◼

先进封装的发展方向目标皆为实现更高的带宽密度和功率效率，如以下主要几种技术方向：••••2.5D中的硅中介层向其他类型中介层变化如RDL、嵌入式、玻璃、PIC、SiC等。从WLP的12寸晶圆尺寸（300mm）到PLP的600×600mm。3D架构D2D、D2W、W2W、C2C需要不同的互联工艺如混合键合、TSV+ubump等。CPO未来有望采用异构集成技术，在同一基板上组装EIC/PIC以及ASIC，未来的目标是集成OE与XPU+内存。表：先进封装关键技术趋势核心封装技术方向现在未来•Chiplet在PC、服务器•异构集成在SiP,存储,

处理器,传感器•Chiplet在手机、消费电子、汽车及其他行业•异构集成在所有下游市场Chiplet&HI（异构集成）•更有机的中介层；玻璃中介层•光子IC（PIC）插入器•硅中介层2.5DInterposer2.5DBridgePLP•有机中介层（带RDL和桥）•更大的中介层可集成更多芯片•与C2/C4（Bbump）或FO-RDL互连•带和不带TSV的桥•通过混合键合实现互连•更多TSV桥•适用于2.5D中介层•适用于大尺寸封装（>50mm

×50mm）•其他封装应用如电源模块•用于低性能FO/FI或高密度FO•适用于小尺寸封装（<15mm

×15mm）•W2W–存储堆叠，CIS•D2W–存储器/IO+逻辑•OE（光引擎）和ASIC在不同的基板上•PIC（光子集成电路）和EIC（电子集成电路）并排•W2W-存储器+逻辑•D2W——逻辑+逻辑•OE和ASIC在同一基板上•PIC和EIC堆叠架构3DStackingCPO封装•有机核心基板•基板尺寸≤120mm

×120mm•玻璃基板•基板尺寸>120mm

×120mmIC

Substrate

证券研究报告资料：Yole

Development，申万宏源研究61.4

高算力芯片中先进封装成本占比已高于20%◼

过去CPU、GPU、AI芯片、FPGA等高算力芯片的性能提升主要依靠晶圆制造技术的进步，随着摩尔定律逼近极限，通过制程推进持续提升芯片性能的难度快速增加。芯粒多芯片集成封装技术能够突破单芯片集成下加工尺寸、功耗墙、内存墙等的限制，可以持续提升芯片系统的性能，是后摩尔时代持续发展高算力芯片的有效方式。比如，英伟达最主要的Hopper和Blackwell系列AIGPU，以及博通公司最主要的AI芯片均使用2.5D/3DIC的技术方案。◼

从价值量上看，芯粒多芯片集成封装及配套的测试环节也已进入高算力芯片制造产业的价值链高端，一定程度上重构了集成电路制造产业链的价值分布。目前较为主流的高算力芯片的成本结构中，CoWoS及配套测试环节的合计价值量已经接近先进制程芯片制造环节。•根据Yole数据，2022-2024年基于硅转接板的2.5D产品的单颗封测成本约为207.5/207.5/206.3美元/颗；其产品中单片晶圆对应的芯片颗数通常为25~40颗，按照上述价格测算则对应封测价格为5150美元~8300美元/片。表：CoWoS及配套测试环节的价值量分配（单位：美元/颗）图：盛合晶微2.5D+3D产品单价（单位：元/片）集成电路制造环节非集成电路制造环节高算力芯片产品成本结构CoWoS及配套先进制程制造HBM其他测试英伟达

B200占比150023%6241367272042%99195315%25521%620博通公司

TPU

v6占比25%25%40%10%美满科技815725106030%905Trainium2占比23%21%26%注：销售单价按照剔除工程服务业务的口径列示和计算得出

证券研究报告资料：盛合晶微招股书，申万宏源研究71.5

全行业进入资本开支高峰期，OSAT厂商AI版图扩大◼

海外产业链受益于GPU、ASIC需求同步爆发，TSMC与非TSMC阵营皆上调2026年CoWoS产能扩张规模。根据Digitimes数据，台积电2026年产能至年底约可达127K/M，而非TSMC阵营从预期2026年底26K/M增加至40K/M。•••NVIDIA持续预订TSMC的CoWoS过半产能，预计全年80万~85万片，2027年产能增加、比重不变。博通与AMD分别为TSMC第二、三大客户，博通与Meta和Google

TPU等合作，2026年预计超24万片。联发科2026年也正式进入ASIC赛道，取得TSMC约2万片产能，AWS、xAI等ASIC配套产能将陆续开出。◼

尽管TSMC在产能规模仍占据主导，但在供应链分散地缘风险、寻求第二供应商需求下，日月光及旗下矽品、Amkor、中国本土OSAT厂商的类CoWoS阵营，预期将自2026H2起加速崛起，在成本效率及风险分散两大考量下，订单外溢将扩大OSAT在AI芯片市场的版图。表：TSMC月产能预估（K/M）表：2026年台系OSAT展望厂商主要业务关键展望•••2026年资本开支超60亿美元FOCoS2.5D先进封装26H2放量2026年先进封装业绩日月光封装测试•••2026年资本开支突破400亿新台币AI、存储封装皆受益力成存储封装测试目标FOPLP产能达6-7K/M•••2026年资本开支预估393亿新台币ASIC客户订单25Q4加速放量2026营收将连续第2年创新高京元电

证券研究报告资料：Counterpoint

Research，DIGITIMES，申万宏源研究81.6

面板级封装与玻璃基板有望成为先进封装重要技术分支◼

传统封装以圆形硅晶圆为基础，但芯片多为矩形，在硅片上面积利用率不足80%，面板级封装（PLP）有望大幅提升生产效率，其通过采用矩形玻璃或有机面板替代圆形晶圆，以提升封装面积利用率与产能效率，并缓解光罩尺寸与晶圆几何限制。未来由于大尺寸面板带来的成本效益，（Fan-out/Fan-In）PLP或取代FOWLP（扇出晶圆级封装）、WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装）和QFN（四方扁平封装）封装，将传统圆形硅中介层转换为大型方形Panel

RDL的CoPoS技术有望成为一种AI芯片产能瓶颈的解决方案。◼

此外，玻璃基板因优异的机械稳定性、低翘曲度和较强的电气性能，能支持更精细的布线与通孔，看作潜在的硅中介层替代者，有望在高端HPC领域应用。尽管目前仍面临通孔填充、热膨胀系数匹配等技术难题，但行业头部企业均在积极布局，推动标准化进程。图：PLP面板级和硅晶圆单位产出对比图：PLP面板级封装市场规模预测（单位：百万美元）AI封装尺寸持续放大面板化设计→面积效率与产能提升CoWoS受限于晶圆几何与光罩大小300mm

wafer面积利用率：45%300x300mm2

panel面积利用率：81%600x600mm2

panel面积利用率：81%

证券研究报告资料：中国台湾工研院，Yole

Development，申万宏源研究91.7

CPO走向主流，高集成架构利好半导体供应商◼

因网络通信功耗已占整体系统功耗的比重较高，传统基于铜互连的可插拔光模块在带宽密度和能效上已逼近极限，信号在PCB上传输超过几厘米就会产生显著损耗，迫使设计者寻找更高效连接方式。◼

CPO技术将光引擎直接集成至封装边缘，使光电转换发生在芯片附近，大幅缩短高速电信号传输距离，相比传统方案可实现功耗降低，同时提升带宽密度与信号完整性。•针对Scale-out扩展，2025年英伟达推出Quantum-X采用的是可插拔架构，今年新一代Quantum

115.2T，预计将显著提升散热性能与带宽。•TSMC已将其紧凑型通用光子引擎（COUPE）整合至CoWoS平台，以SoIC技术将EIC与PIC进行异质整合。◼

其中涉及到的先进封装技术如2.5D/3D封装用于EIC和PIC堆叠，通过TSV或RDL互连；混合键合用于CPO光引擎；Fan-Out/PoP用于光引擎与计算芯片集成。图：光学器件与ASIC（如GPU/SWITCH）集成度不断提升表：英伟达的CPO产品交换机芯片Quantum115.2TQuantum-XSpectrum

5Spectrum

6量产时间2025Q32026年中2026年2026年LITE/SumitomoLITE/SumitomoLITE/SumitomoLITE/SumitomoPICAmkor（NPO）TSMC（CPO）封装TSMCTSMCCorning/BrowaveCorning/BrowaveCorning/BrowaveCorning/BrowaveShuffleFAU天孚通信天孚通信天孚通信天孚通信矽品模组整合Fabrinet-Fabrinet/矽品

证券研究报告资料：IDTechEX

Research，中国台湾工商时报，申万宏源研究10主要内容1.

先进封装成为算力各环节标配，OS

ATsAI版图持续扩大2.

本土厂商崭露头角，涨价与扩产周期共振3.

重点标的和估值112.1

前道供给突破，对先进封装提出更高需求◼

根据TrendForce数据，2026年中国本土先进制程供给扩张进度有望超预期，其中7nm/6nm工艺平台份额预计扩张至接近20%。OSAT在本土晶圆厂先进节点的研发和量产过程中发挥了重要的配套作用，一定程度上共同构建高端制造的完整产业链。◼

此外，AI时代高阶芯片的放量对后道先进封装的配套能力提出更高要求，未来随着前道良率提升则KGD（known

good

dies）数量也有一定提升，需要更多封装产能。表：全球晶圆代工市场6/7nm及5/4nm节点份额变化（按K/M计算）7/6nm中国台湾韩国1Q232Q233Q234Q231Q242Q243Q244Q241Q252Q253Q25

4Q25F

1Q26F

2Q26F

3Q26F

4Q26F95.5%

95.5%

89.8%

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92.6%

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92.6%

92.6%

89.8%

89.8%

89.8%

89.3%

87.2%

84.7%

80.2%

80.2%1.3%3.2%1Q231.3%3.2%2Q231.2%9.0%3Q231.2%9.0%4Q231.2%6.2%1Q241.2%6.2%2Q241.2%6.2%3Q241.2%6.2%4Q241.2%9.0%1Q251.2%9.0%2Q251.2%9.0%1.2%1.2%1.1%1.1%1.1%中国大陆5/4nm中国台湾韩国9.5%

11.6%

14.1%

18.7%

18.7%3Q25

4Q25F

1Q26F

2Q26F

3Q26F

4Q26F70.3%

71.1%

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67.5%

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69.4%

71.8%

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73.9%

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73.9%29.7%

28.9%

28.9%

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30.0%

30.0%

31.6%

33.3%

27.8%

25.6%

24.4%

22.2%

23.9%

23.9%

23.9%

23.9%中国大陆0.0%0.0%0.0%0.0%2.5%2.5%2.6%2.8%2.8%2.6%2.4%2.2%2.2%2.2%2.2%2.2%

证券研究报告资料：集邦咨询，申万宏源研究122.2

国产存储份额持续提升带动封装配套机会◼

在封装和测试环节OSAT可以一定程度上进入存储IDM供应链，大部分需要倒装芯片或引线键合技术，HBM则需要TSV相关技术储备，3D

DRAM以及3D

NAND则需要融键合、混合键合等能力。尽管IDM具备封装能力，但还是会将部分封测外包以减轻后端制造线压力，特别是国产存储IDM需要克服自身的产能限制，并专注于更高利润的工艺。此外，OSAT的成品率高、出货量更大。◼

DRAM：先进封装的增量主要是HBM、CBA

DRAM以及定制化存储的3D架构。•HBM：目前HBM4及以下的产品基本都为TCB的封装形式，在HBM4E/HBM5（≥16Hi）产品中可能使用混合键合技术（HB）用于堆叠第一层DRAM层和基础/逻辑层。•CBA

DRAM：预计DRAM厂或从0a

DRAM节点（约2029年）开始使用W2W融键合（FB）技术，用于堆叠DRAM和CMOS逻辑晶圆。◼

NAND：先进封装的增量主要是类长江存储的Xtacking架构。图：全球3D存储封装市场规模（单位：百万美元）图：中国存储IDM占全球市场份额（按Gb出货量）

证券研究报告资料：Yole

Development，集邦咨询，申万宏源研究132.3

本土OSATs资本开支提速◼

根据芯项目11FIM，国内头部OSAT计划在未来三年内投资超过300亿元用于先进封装产能扩张，其中高端存储封装是重点投资方向，其他厂商也进入扩张周期。••通富微电：2026年1月公告拟定增44亿投向存储芯片、汽车等新兴应用领域、晶圆级封装、高性能计算及通信领域（FC与SiP）四大核心领域，以破解产能瓶颈、优化产品结构。华天科技：持续在南京加码投资，布局华天南京、华天江苏、华天先进、盘古半导体等四大平台，总投资额超300亿。••盛合晶微：IPO拟募集48亿元投向三维多芯片集成封装和超高密度互联三维多芯片集成封装项目。甬矽电子：2026年1月公告宣布启动总投资21亿元的马来西亚集成电路封装测试生产基地项目，聚焦系统级封装（SiP）产品，下游覆盖AIoT、电源模组等领域。•汇成股份：2025年10月公告通过主导投资鑫丰科技加快DRAM封装布局。图：A股主要OSAT厂商资本开支（单位：亿元）图：先进封装占头部OSAT投资比重注：其中SJ

SEMI取25H1

证券研究报告资料：Yole

Development，Wind，申万宏源研究

142.4

大基金三期有望成为资本开支增量◼

先进制造为大基金一期投资的核心领域，大基金二期对OSAT以及有封装业务的IDM也有较大侧重，因其重资产商业模式，投资金额和投资数量皆较多。◼

截至2026年3月，国家大基金三期虽已注册成立，但公开披露的已投项目仍非常有限，仅设立了3支基金投资平台（华芯鼎新、国投集新、国家人工智能），尚未进入大规模项目投资和落地阶段，2026年有望成为封测行业资本开支增量。表：大基金一期投资封装测试相关项目表：大基金二期投资封装测试相关项目项目名称越润集成电路(绍兴)有限公司通富微电业务类型项目名称业务类型晶圆级封装封装测试封装测试封装测试晶圆级封装封装测试LED封装合肥沛顿存储科技有限公司华润润安科技(重庆)有限公司通富微电存储封装功率器件封装封装测试长电科技华天科技(西安)有限公司晶方科技长电科技汽车电子(上海)有限公司成都士兰半导体制造有限公司华天科技汽车电子封装功率器件封装封装测试太极实业瑞丰光电中芯东方集成电路制造有限公司先进封装

证券研究报告资料：天眼查，Wind，申万宏源研究152.5

涨价与扩产周期共振，国内厂商有望跟进◼

国科微、中微半导体接连发布涨价通知，涨价原因明确包含封测费用等成本的持续上涨，封测厂商已开启涨价浪潮。◼

根据日报，日月光的封测报价涨幅将从原预期的5%至10%上调至5%至20%；此外，力成、华东、南茂等也已启动首轮涨价，涨幅接近30%，封测服务价格中枢持续抬升。在海外供应链开启涨价潮的背景下，国内OSAT厂商有望跟进调涨。图：部分半导体设计公司涨价函图：先进封装部分服务也有不同程度调涨（单位：美元）封装方式HBM2025

ASP

ASP/mm²17.18↑4.850.210.060.020.020.050.13DS3DNANDStack2.57CBADRAM2.573DSoC6.26SiInterposer

–

CoWoS-SMold

Interposer

–

CoWoS-LMold

Interposer

–

FOEBMold

Interposer

–

InFo-LSIActiveSiInterposer

–

FoverosEmbedded

Si

Bridge–EMIBEmbedded

Si

Bridge

inmoldEmbedded

Si

Bridge+Active

Si

Interposer–Co-EMIBUHDFO–CoWos-R174.3248.33↑186.25↑39↑0.130.10.060.320.0729.53.030.92-2.04

0.02-0.0440.8171.7↑27.8↑0.07-0.320.074UHDFO–InFO-oSandothers0.054

证券研究报告资料：中微半导，国科微，Yole

Development，申万宏源研究16主要内容1.

先进封装成为算力各环节标配，OS

ATsAI版图持续扩大2.

本土厂商崭露头角，涨价与扩产周期共振3.

重点标的和估值173.1

通富微电：拟定增加码高端封装，与AMD共同成长◼

大客户AMD数据中心（EPYC

CPU）、客户端（最新“Zen

5”架构的AMD锐龙台式处理器）与游戏业务（游戏主机定制芯片和游戏GPU）表现突出。25H1大客户核心封装工厂通富超威苏州收入39.35亿元，净利润5.45亿元；通富超威槟城收入43.69亿元，净利润1.8亿元。◼

2025年公司以现金13.78亿元收购京元电子股份有限公司通过KYEC

Microelectronics

Co.,Ltd.持有的京隆科技（苏州）有限公司26%的股权，补全高端测试环节。◼

公司2026年1月公告拟募集资金44亿元用于四大封测产能提升项目，锚定高性能计算与存储芯片。图：通富微电拟定增项目（单位：亿元）图：AMD在X86

CPU份额持续提升项目总投

拟使用募集资项目名称备注资额金投资额1）存储芯片封测产能提升项目新增存储芯片封测产能8.888（通富通科）84.96万片/年2）汽车等新兴应用领域封测产能新增汽车等新兴应用领域11.007.437.2410.556.956.2提升项目（通富通科）封测产能5.04亿块/年新增晶圆级封测产能31.2万片/年；同时提升高可靠性车载品封测产能15.732亿块/年3）晶圆级封测产能提升项目（崇川总部）4）高性能计算及通信领域封测产新增相关封测产能合计能提升项目（南通通富）48000万块/年5）补充流动资金及偿还银行贷款

12.3012.34446.86

证券研究报告资料：Mercury

Research，Wind，申万宏源研究

183.2

盛合晶微：先进封装新星，2.5D工艺平台国内领先◼

公司将在深耕现有工艺平台的同时，积极布局2.5D产能扩张与3D集成研发，根据灼识咨询数据：•••在中段硅片加工业务方面，公司工艺平台主要包含凸块制造（bumping）和晶圆测试（CP）两部分，2024年bumping产能中国大陆市占率25%，排名第一；CP测试中国大陆第二。在晶圆级封装（WLP）业务方面，公司工艺平台主要为晶圆级芯片封装（WLCSP/Fan-in），2024年12寸WLCSP收入中国大陆市占率31%，排名第一。芯粒多芯片集成封装业务方面，公司主要量产平台为基于硅转接板的2.5D（SmartPoser-Si），2024年2.5D收入规模中国大陆市占率约为85%，排名第一。◼

IPO拟募集资金48亿扩产，其中三维多芯片集成封装项目计划总投资额84亿元，建成达产后将新增16K/M的三维多芯片集成封装产能和80K/M的Bumping产能；超高密度互联三维多芯片集成封装项目计划总投资额30亿元，建成达产后将新增4K/M的超高密度互联三维多芯片集成封装产能。图：盛合晶微主要工艺平台销量（单位：万片）表：募集资金投资项目概况（单位：亿元）拟投入募集序号1项目名称总投资额84资金三维多芯片集成封装项目40超高密度互联三维多芯片集成封装项目2308

证券研究报告资料：灼识咨询，盛合晶微招股书，申万宏源研究

193.3

甬矽电子：锚定先进封装谋新局，积极拓展海外客户增量◼

公司先进晶圆级封装技术主要应用领域包括系统级芯片（SoC）、运算类芯片、网络通讯芯片等。2025H1晶圆级封测产品贡献营业收入8528.19万元，YoY+150.80%。公司通过实施Bumping项目已掌握RDL及凸点加工能力，并积极布局Fan-out及2.5D封装工艺，相关产品线均已实现通线，目前正在与部分客户进行产品验证。••RWLP产品（扇出型封装）已完成产品投片，于2025Q2-Q3实现量产；HCoS-OR/OT产品（2.5D封装）和HCoS-AI/SI产品（2.5D/3D封装）属于现有产品的技术升级，主要目标市场为运算类芯片，包括用于AI大模型、高性能计算领域的高性能运算芯片，已同多家运算类芯片设计企业签订了相关协议，预计2025Q4-2026H1实现量产。◼

2026年1月公司公告宣布启动总投资21亿元的马来西亚集成电路封装测试生产基地项目，聚焦系统级封装（SiP）产品，下游覆盖AIoT、电源模组等领域。表：甬矽电子先进封装产品图：甬矽电子资本开支（单位：亿元）主要功能实现场景项目名称封装产品应用领域主要客户高性能运算芯片、高端通讯芯片、AP类SoC芯片、高端电源管理芯片、高端音频芯片等通讯、用户端

现有客户的部分高侧AI芯片、移

端产品线应用，如动智能设备、

高端电源管理芯片RWLP汽车电子等多维异构先进封装技术研发及产业化项目5G通讯、人工智能（AI）、HCoS-OR/OT高性能运算芯片、服务器芯片等高性能计算

主要为高性能运算HPC、数据中

芯片、高性能通讯心、图像处理、

芯片设计企业医疗、汽车自HCoS-SI/AI高性能运算芯片动驾驶等

证券研究报告资料：Wind，申万宏源研究203.4

汇成股份：主导投资鑫丰科技，加快DRAM封测建设◼

根据公告，2025年10月公司主导投资鑫丰科技，投资标的为境内最早为长鑫存储提供LPDDR封装配套的封测厂商之一，亦是长鑫存储供应体系中少数具备LPDDR5量产封装能力的重要合作伙伴，目前具备产能约20K/M。公司将协同本地国有投资平台及其他产业合作伙伴，持续对鑫丰科技追加投资，助力其于2027年底前DRAM封装产能提升至60K/M，并同步拓展定制化DRAM解决方案及3D

DRAM先进封装业务。◼

公司在过往发展中受益于合肥显示面板及上游显示驱动芯片产业集群的协同发展效应，参股鑫丰科技之后，有望从合肥本地存储芯片产业集群协同发展中持续受益。◼

2026年2月公司公告正在筹划发行H股上市。图：汇成股份收入和归母净利润（单位：亿元）图：汇成股份毛利率和净利率

证券研究报告资料：Wind，申万宏源研究213.5

深科技：深度配套本土IDM，重点布局高端存储封装◼

公司半导体封测业务的主体为全资子公司深圳沛顿以及合肥沛顿存储，产品包括DRAM、NANDFLASH以及嵌入式存储芯片，具体有双倍速率同步动态随机存储器（DDR3、DDR4、DDR5）、低功耗双倍速率同步动态随机存储器（LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5）、符合内嵌式存储器标准规格的低功耗双倍速率同步动态随机存储器（eMCP4）等。◼

截止25H1公司已实现的量产平台：WLP晶圆级封装；Bumping及RDL；超薄存储芯片PoPt封装（叠层封装技术）；16层堆叠技术和uMCP

SiP封装技术具备量产能力；strip

FO封装技术处于研发阶段。图：深科技存储业务收入（单位：百万元）图：深科技存储业务毛利率

证券研究报告资料：Wind，申万宏源研究223.6

伟测科技：高端测试布局领先，持续加大资本开支◼

2025年前三季度公司已完成资本性支出18.41亿元，维持较快增速，主要用于购入爱德万V93000、泰瑞达UltraFlex

Plus、泰瑞达