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文档简介

2带有灵敏度放大结构的微半球谐振壳体，所述微半球陀螺电极结构包括上电极和下电极；所述圆环内径略大于微半球谐振壳体唇沿处的外径，所述圆环底面作为平板电容的上极4.一种高灵敏度、抗冲击微半球陀螺电极结构制作方法，获取第一晶圆，在所述第一晶圆的表面进行图形化处理，形成获取第二晶圆，在所述第二晶圆上进行刻蚀或微加工工艺处理，圆环和圆槽组合结构的上电极结构包括在一片第二晶圆上制作出带有圆环的第一平片结39.根据权利要求7或8所述的一种高灵敏度、抗冲45[0018]图6为本发明实施例的一种高灵敏度、抗冲击微半球陀螺电极结构制作方法流程6[0026]图1为微半球谐振壳体与电极装配的示意图；其包含了唇沿带有灵敏度放大结构所述电极结构适用于唇沿带有灵敏度放大结构的微半球谐振壳体1，所述微半球陀螺电极微半球谐振壳体灵敏度放大结构102的限位装置，即上下两个电极将所述灵敏度放大结构[0032]图4是本发明实施例中的上电极结构示意图，如图4所示，所述上电极2包括圆环7直径略大于微半球谐振壳体1的外径，所述圆槽底面2021作为装配基准面，所述圆槽底面2021即为所述上电极2的下表面；所述上电极2与所述下电极3之间通过所述平面装配基准电极图形203的周围还有上电极表面固定位置的金属膜层204，所述上电极2的下表面为平[0034]图6为本发明实施例的一种高灵敏度、抗冲击微半球陀螺电极结构制作方法流程胶层8则是在部分金属膜层7的表面覆盖，且上下表面所覆盖的光刻胶层8的宽度范围需不8装配工艺将圆孔201和圆槽202组装成上电极结构9。此方法的目的在于避免玻璃材料因湿结构102与下电极3的下电极电极3019等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定，对于本领域的普通

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