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司US2022399438A1,2022.通过设置第一埋层和第二埋层改善半导体器件2其中，所述外延层还包括第一埋层和第二埋层，所述第一所述第二埋层设置于所述第二区域的远离所述第一表面的一侧，且所所述第二部分在所述衬底上的正投影与所述第一部分在所述衬底上的正投影至少部影位于所述第二部分在所述衬底上的正投影的4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，正投影位于所述栅极结构在所述衬底上的正在衬底上形成外延层，所述衬底和所述外延层均被设置为第在所述外延层中形成阱区和第一区域，所述阱区被设置为第形成栅极沟槽，所述栅极沟槽从所述第一表面延伸至所述外延层中，且在所述外延层中形成第二区域，所述第二区域被设置为第一导3在所述衬底上形成第一子外延层，所述第一子外延层包括所在所述第二表面内形成所述第二部分和所述第二埋层，所述在所述第一子外延层远离所述衬底的一侧形成所所述功率转换电路包括电路板以及至少一个如权利要求1~5中任一项所述的半导体器45[0013]步骤S20：在外延层中形成阱区和第一区域，外延层包括远离衬底一侧的第一表6[0029]本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得7阱区107设置于第一区域108的远离第一表面P1的一侧，第二区域109设置于第一表面P1并8[0053]在一些实施例中，如图1所示，第一埋层21包括相连的第一部分211和第二部分侧，第二部分212在衬底101上的正投影与第一部分211在衬底101上的正投影至少部分重[0057]在一些实施例中，如图1所示，第二部分212在衬底101上的正投影位于栅极结构103在衬底101上的正投影的范围内，该实施例中第一埋层21用于优化栅极结构103底部附在衬底101上的正投影，第二埋层22与第二区域109主要优化栅极结构103侧壁及槽角区域22的正投影的面积等于第二区域109的正投影面积，也即沿平行于第一表面P1的X方向上，9[0088]如图14所示，功率模块200包括基板201以及上述任一实施

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