CN119420373A 高集成度低功耗射频前端芯片的设计方法及系统 （中科苏州微电子产业技术研究院）_第1页
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金鸡湖大道99号苏州纳米城1幢505、高集成度低功耗射频前端芯片的设计方法本发明提供高集成度低功耗射频前端芯片2在所述单片集成的射频前端芯片中实现自适应偏置控制系统构建粒子群优化算法与自适应神经模糊推理系统相在所述射频前端芯片的关键位置布置温度传感器、电压在数字信号处理器上实现实时操作系统，将数据采集与预将优化后的偏置参数通过高精度数模转换器转换为模拟控制信号3S1.采集射频前端芯片在不同工作条件下的工作数据，所述工作数据包括各个模块的S6.1采用SHAP值方法量化不同偏置参数对S7.将训练好的自适应神经模糊推理系统模型和特征重要性分析结果集成到射频前端S9.将计算得到的最优偏置参数应用于射频前端芯片的各个模块，实现芯片功耗的降4采用快速傅里叶变换和小波变换相结合的方法检测射频信号，并基于所确定的最佳工作模式，使用多输入多输出神经网络模型计算调整射频收发器的本振频率，所述频率控制系统采实时监测各模块的性能指标，采用基于卡尔曼滤波5.高集成度低功耗射频前端芯片的设计系统，用于实现前述权利要求1_4中任一项所第二单元，用于在所述单片集成的射频前端芯片中实现自5其中，所述处理器被配置为调用所述存储器存储的指令，以执行序指令被处理器执行时实现权利要求1至46[0001]本发明涉及芯片技术，尤其涉及高集成度低功耗射频前端芯片的设计方法及系7个粒子的最佳位置和全局最佳位置；基于芯片工作数据构建自适应神经模糊推理系统模8[0024]S1.采集射频前端芯片在不同工作[0026]S2.1采用主成分分析方法对所述工作数据进行降维处理，提取具有代表性的特[0027]S2.2使用Z_score标准化方法对降维后[0043]S7.将训练好的自适应神经模糊推理系9[0049]S9.将计算得到的最优偏置参数应用系统调整射频收发器的本振频率，所述频率控[0071]图1为本发明实施例高集成度低功耗射频前端芯片的设计方法的流程示意图，如[0073]S102.在所述单片集成的射频前端芯片低噪声放大器和开关模块的关键位置；通过所述传感器实时监测芯片各模块的工作状态，并将监测数据传输至片上数字信号处理器；所述数字信号处理器根据预设的功耗优化算个粒子的最佳位置和全局最佳位置；基于芯片工作数据构建自适应神经模糊推理系统模[0084]S1.采集射频前端芯片在不同工作[0086]S2.1采用主成分分析方法对所述工作数据进行降维处理，提取具有代表性的特[0087]S2.2使用Z_score标准化方法对降维后[0103]S7.将训练好的自适应神经模糊推理系[0109]S9.将计算得到的最优偏置参数应用[0115

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