CN119422216A 电解电容器及其制造方法 （爱尔那株式会社）

2024.12.24PCT/JP2023/0217372023.06.12WO2024/004616JA2024.01.04出引线端子并在表面具有阳极氧化覆膜的阳极第二隔膜分别在具有所述导电性高分子的状态一隔膜和所述第二隔膜在通过所述导电性高分2具有电容器元件，其中依次配置有第一隔膜、连接有引出所述第一隔膜和所述第二隔膜分别在具有所述导电性高分子的状态下在面方向上比所述第一隔膜和所述第二隔膜在通过所述导电性高分子电连接的状态下至少一部分所述第一隔膜和所述第二隔膜分别在面方向上比所述阳极箔突出并在将所述第一隔膜的所述突出部的突出长度设为长度a，将所述第二隔膜的所述突出所述导电性高分子将所述第一隔膜的所述突出部的至少一部分和所述第二隔膜的所所述第一隔膜、所述阳极箔、所述第二隔膜和所述阴极箔被一在所述大致柱形状的第一底面和第二底面中的所述第一底面所述第二底面上的所述第一隔膜和所述第二隔膜的所述突出部的突出长度比所述第一底面上的所述第一隔膜和所述第二隔膜的所述突在所述粘接部，所述第一隔膜和所述第二隔膜中的至少一者相对在所述第一底面上的所述阳极箔的露出部中被所述导电性高分子覆盖的面积与在所3在所述第一底面上的所述阳极箔的露出部中被所述导电性高分子覆盖的面积相对于所述第一底面上的所述阳极箔的露出部的面积为4在所述第一底面和所述第二底面中的至少任一者上，随在所述大致柱形状的轴向上，所述第一隔膜和所述第二隔在对于所述电容器元件的俯视时，所述粘接部至少形成于与所所述第一隔膜和所述第二隔膜分别在面方向上比所述阳极箔和所述阴极箔突出并相在将所述第一隔膜的所述突出部的突出长度设为长度a，将所述第二隔膜的所述突出所述导电性高分子将所述第一隔膜的所述突出部的至少一部分和所述第二隔膜的所所述粘接部是通过所述阴极箔的短路路径导通的结构，且在所述第一隔所述第一隔膜、所述阳极箔、所述第二隔膜和所述阴极箔被依次层叠在所述大致柱形状的第一底面和第二底面中的所述第一底面4在所述第一底面上的所述阳极箔的端面中被所述导电性高分子覆盖的面积与在所述在所述第一底面上的所述阳极箔的端面中被所述导电性高分子覆盖的面积相对于所述第一底面上的所述阳极箔的端面的面积为1在所述第一底面和所述第二底面中的至少任一者上的所述阳极在所述大致柱形状的所述电容器元件的轴向上，所述第一隔膜位面积的电解液量在所述第一底面侧和所述第二底在对于所述电容器元件的俯视时，所述粘接部至少形成于与所所述粘接部在使所述电解液含浸于所述电容器元件时膨润且在湿润状态下具有粘合在依次配置有第一隔膜、连接有引出引线端子且在表面具有阳极氧化覆膜的阳极箔、使前体单体含浸于所述第一隔膜和所述第二隔膜，在所述电容器所述第一隔膜和所述第二隔膜分别在面方向上比所述阳极箔突出并在将所述第一隔膜的所述突出部的突出长度设为长度a，将所述第二隔膜的所述突出在所述第一隔膜和所述第二隔膜的所述突出部在使所述前体单体含浸于电容器元件中并聚合的工序执行一次或反复执行多次而形5为了调整所述第一隔膜和所述第二隔膜突出通过使导电性高分子含浸于所述第一隔膜和所述第二隔膜的所述突出部并除去水分，来在所述第一隔膜和所述第二隔膜的所述突出部间形成将所述阴极箔彼此或隔膜与所述通过使电解液含浸于所述电容器元件，使形成所述粘接部的所述导电性高分子膨润，在使电解液含浸于所述电容器元件时，向所述导电性高分子注在所述导电性高分子含浸时，通过在所述导电性高分子的分在使用所述导电性高分子的分散液作为所述电解液的情况下，在使用所述导电性高分子的分散液作为电解液的情况下，所所述有机溶剂选自沸点为150℃以上的二醇系化合物、内酯系化合物和环丁砜中的至6能力且具有电导率的液体)的电解电容器被称为混合电解电容器，作为车载品用电子部件7[0017]本发明是鉴于所述问题而完成的，其目的在于提供一种能够实现足够低的ESR的将所述第一隔膜和所述第二隔膜的所述突出部相对的部位的所述阳极箔的厚度设为厚度b出部的至少一部分和所述第二隔膜的所述突出部的至少一部分固接膜的所述突出部的突出长度比所述第一底面上的所述第一隔膜和所述第二隔膜的所述突所述导电性高分子覆盖的面积与在所述第二底面上的所述阳极箔的露出部中被所述导电8所述导电性高分子覆盖的面积相对于所述第一底面上的所述阳极箔的露出部的面积为第二隔膜的每单位面积的电解液量在所述第一底面侧和所述第二底少形成于与所述阴极箔连接的所述引线端子所处述导电性高分子覆盖的面积与在所述第二底面上的所述阳极箔的端面中被所述导电性高述导电性高分子覆盖的面积相对于所述第一底面上的所述阳极箔的端面的面积为15％以9所述第一隔膜和所述第二隔膜的每单位面积的电解液量在所述第一底面侧和所述第二底少形成于与所述阴极箔连接的所述引线端子所处的一侧的一半第一隔膜的所述突出部的突出长度设为长度a，将所述第二隔膜的所述突出部的突出长度述第二隔膜突出的部分也同时固接在一起来隔膜的所述突出部的突出长度设为长度a，将所述第二隔膜的所述突出部的突出长度设为述第一隔膜和所述第二隔膜的所述突出部间形成将所述阴极箔彼此或隔膜与所述阴极箔[0068]图8的(a)是例示形成导电性高分子前的电容器元件的上表面的图像的图，(b)是例示形成导电性高分子后的电容器元件的上[0071]图11的(a)是将阳极箔展开为片状的图，图11的(b)是将[0076]图16的(a)和(b)是用于说明在电容器元件的上表面沿半径方向形成有粘接部的[0077]图17的(a)是例示形成导电性高分子前的电容器元件的上表面的图像的图，图17[0081]图1是第一实施方式的固体电解电容器1的概略图。固体电解电容器1具有作为外[0085]在阳极箔21a上连接有作为引出引线端子的阳极引线端子23a。在阴极箔21b上连[0086]封口体30由具有阳极引线端子23a和阴极引线端子23b插通的一对引线插通孔棒的一端侧冲压成平板并在羽子板状的极片端子部连接有引线的结构。阳极箔21a和阴极作为导电性高分子25，通常使用以选自对甲苯磺酸和聚苯[0094]本实施方式的电容器元件20通过在阴极箔21b的基础上还使用导电性高分子25，[0099]阳极箔21a具有在金属箔211的表面形成有阳极氧化覆膜212的结构。该阳极氧化通过化学转化处理在表面形成阳极氧化覆膜212。蚀刻处理的经扩面化的阳极箔在表面具极引线端子23b的阴极箔21b，为了从图4的(a)中的左侧的阴极箔21b到达右侧的阴极箔子形成的粘接部40，则能够在从距图3中说明的阴极引线端子23b最远的点P到阴极引线端和第二隔膜22b之间形成作为由导电性高分子形成的电短路路径的粘接部，则来自阴极引[0100]图5是对用于在隔着阳极箔21a的两层阴极箔21b上形成粘接部的结构进行说明的[0101]将第一隔膜22a比阳极箔21a突出的突出部22a1的突出长度设为长度a。将第二隔膜22b比阳极箔21a突出的突出部22b1的突出长度设为长度a’。将第一隔膜22a的突出部本实施方式中，粘接部40通过突出部22a1和突出部22b1经由导电性高分子25固接而形成。此外，优选使突出部22a1和突出部22b1中的至少任一方相对于电容器元件20的圆筒轴倾[0103]图7的(a)和图7的(b)是用于说明在电容器元件20的上表面上沿半径方向形成有形成于阴极引线端子23b所处的一侧的一半的区域(表面侧端面被导电性高分子25覆盖的比例(阳极端面覆盖率)越高，形成越多的粘接部40。25覆盖的面积的比率。从得到足够量的粘接部40的观点出发，该阳极端面覆盖率优选为[0110]阳极箔21a的阳极端面覆盖率能够通过根据形成导电性高分子25之前的电容器元件20的上表面的图像和形成导电性高分子25之后的电容器元件20的上表面的图像进行图21a的露出部(端面)的面积。中心部的面积在元件上表面的俯视时看作是以中心部的孔的的面积的比例)}/(覆盖前的阳极箔21a的露出部的面积)×100(％)，能够计算阳极端面覆极箔21a的露出部的面积增加是指面积的绝对值变大、导电性高分子25在一圈中所占的面极箔21a的露出部的面积和从下表面侧观察电容器元件20时的阳极箔21a的露出部的面积也可以定义为电容器元件20的上表面侧的阳极端面覆盖率和下表面侧的阳极端面覆盖率[0123]例如，在使前体单体含浸于第一隔膜22a和第二隔膜而在电容器元件20内形成导[0125]在将使前体单体含浸于电容器元件20而进行聚合的工序重复一次或多次而形成过使导电性聚合物再次含浸或附着于第一隔膜22a和第二隔膜22b而形成固体电解质层来连接有作为引出引线端子的阴极引线端子123[0138]封口体130由具有阳极引线端子123a和阴极引线端子123b插通的一对引线插通孔[0142]第一隔膜122a中的电解液的含浸区域和导电性高分子的含浸区域的位置没有特元件120的上表面和下表面连结的轴向上，有时上表面侧和下表面侧的电解液的含浸量比[0143]导电性高分子125主要有含浸于电容器元件120的上表面侧的端部和下表面侧的表面侧中的导电性高分子125含浸量比第一隔膜122a的中心侧的导电性高分子125的含浸作为导电性高分子25，通常使用以选自对甲苯磺酸和聚苯乙烯磺酸(PSS)等中的至少一种[0156]本实施方式的电容器元件120通过并用电解液124和导电性高分子125，能够实现间的粘接部进行说明。图13的(a)是用于说明电容器元件120内的层叠结构的示意剖视图。形成有阳极氧化覆膜1212。来自阴极引线端子123b的电荷穿过阴极箔121b经由第一隔膜因此ESR会增大。如果在该两层的阴极箔121b之间的隔膜上形成由导电性高分子形成的粘[0160]图14是对用于在隔着阳极箔121a的两层阴极箔121b上形成粘接部的结构进行说出部122a1和第二隔膜122b的突出部122b1相对的部位处的阳极箔121a的厚度设为厚度b。122a1和突出部122b1施加应力而进一步粘结。即，在本实施方式中，粘接部140将突出部122a1和突出部122b1经由导电性高分子125粘结[0163]图16的(a)和图16的(b)是用于说明在电容器元件120的上表面沿半径方向形成有的上表面和下表面连结的方向上具有3.2mm以上8.0(图16的(a)和图16的(b)中虚线右侧的区域)中120时，阳极箔121a的上表面侧的端面部(端面)看起来被导电性高分子125覆盖。阳极箔121a的上表面侧端面被导电性高分子125覆盖的比例(阳极端面覆盖率)越高，形成越多的[0170]阳极箔121a的阳极端面覆盖率能够通过根据形成导电性高分子125之前的电容器元件120的上表面的图像和形成导电性高分子125之后的电容器元件120的上表面的图像进120的上表面的图像中，通过从电容器元件120的整体面积减去第一隔膜122a、第二隔膜[0171]接着，在图17的(b)所例示的形成导电性高分子125之后的电容器元件120的上表面积的比例)}/(覆盖前的阳极箔121a的端面的面积)×100(％)，能够计算阳极端面覆盖和被导电性高分子125覆盖的面积(黑色)的总和覆盖阳极箔121a的端面的面积增加是指面积的绝对值变大、导电性高分子125在一圈中所面也可以是第一隔膜122a具有向下表面侧突出的突出部122a1，第二隔膜122b具有向下表[0175]但是，在阴极箔121b中，因为阴极引线端子123b与电容器元件120的上表面侧连面和下表面双方具有突出部122a1和突出部122b1的情况下，优选上表面侧的长度a和长度阳极箔121a的端面的面积和从下表面侧观察电容器元件120时的阳极箔121a的端面的面积也可以定义为电容器元件120的上表面侧的阳极端面覆盖率和下表面侧的阳极端面覆盖率卷绕体。在使剩余的导电性高分子125残存于卷绕体的状态下进行干燥，由此形成粘接部导电性高分子含浸于元件时，在元件上表面不残留足以形成粘接部的量的导电性高分子，面不残留第一隔膜122a和第二隔膜122b的粘接所需的量的导[0206]除了在形成导电性高分子时，将导电性高分子实现的阳极端面覆盖率调整为约子实现的阳极端面覆盖率调整为约22～25％。除此之外，与实施例1同样地制作电解电容子实现的阳极端面覆盖率调整为约18～21％。除此之外，与比较例1同样地制作电解电容[0234]在实施例7中，制作额定电压63V、额定静电电容56μF的卷绕型电解电容器(直径[0238]在减压气氛(80kPa)下，将卷绕体浸渍在收容于规定容器中的导电性高分子的水盖率调整为约96％。接着，使含浸有导电性高分子的卷绕体在150℃的干燥炉内干燥60分一边在85℃下进行1小时老化处理。[0245]除了在形成导电性高分子时，将导电性高分子实现的阳极端面覆盖率调整为约[0248]除了在形成导电性高分子时，将导电性高分子实现的阳极端面覆盖率调整为约[0254]除了在形成导电性高分子时，将导电性高分子实现的阳极端面覆盖率调整为约[0257]除了在形成导电性高分子时，将导电性高分子实现的阳极端面覆盖率调整为约[0263]除了在形