CN119422231A 调节方法和等离子体处理装置 （东京毅力科创株式会社）

2024.12.23PCT/JP2023/0237612023.06.27WO2024/005004JA2024.01.04本发明提供修正在多个等离子体处理装置有第一腔室和配置于第一腔室内的第一基片支生成的等离子体与配置于第一基片支承部的基二腔室和配置于第二腔室内的第二基片支承部体与配置于第二基片支承部的基片之间产生的理装置中获取到的分布数据和第一等离子体处离子体处理装置中的能够调节离子通量的要素2(a)在具有第一腔室和配置于所述第一腔室内的第一基片支承部的第一等离子体处理离子体与配置于所述第一基片支承部的基片之间产生的离子通量的(b)在具有第二腔室和配置于所述第二腔室内的第二基片支承部的第二等离子体处理(c)基于所述第二等离子体处理装置中获取到的所述分布数据和所述第一等离子体处(a_3)向配置于所述第一基片支承部内的多个第一加热器的每一者供给电功率的步(a_4)在所述第一腔室内生成了等离子体的状态下，获取供给至所述多个第一加热器(b_3)向配置于所述第二基片支承部内的多个第二加热器的每一者供给电功率的步(b_4)在所述第二腔室内生成了等离子体的状态下，获取供给至所述多个第二加热器所述(c)步骤中的所述要素包含关于所述第二等离子体处理装置中的等离子体处理的还包括(d)制作将所述离子通量的分布的变化量与能够调节所述离子通量的分布的所所述(c)步骤基于所述基准分布数据与所述分布数据之差，参照所述(3所述要素的变化量包含所述等离子体的电子密度的分所述第一基片支承部具有支承基片的第一基所述多个第一加热器分别在所述多个第一支承区域的各第一支承区域中配置在所述所述第二基片支承部具有支承基片的第二基所述多个第二加热器分别在所述多个第二支承区域的各第二支承区域中配置在所述(a)获取在不同于该等离子体处理装置的其它等离子体处理装置中获取到的基准分布子体与配置于其它基片支承部的基片之间产生的离子通量(b)在该等离子体处理装置中获取分布数据，所述分布数据是关于在所述腔室内生成(c)基于该等离子体处理装置中获取到的所述分布数据与所述其它等离子体处理装置4[0002]作为在晶片表面测量等离子体的技术，有专利文献1中记载的在片监视系统(On_[0009]本发明的一个例示的实施方式中的调节方法包括：(a)在具有第一腔室和配置于准分布数据是关于在第一腔室内生成的等离子体与配置于第一基片支承部的基片之间产生的离子通量的分布的数据；(b)在具有第二腔室和配置于第二腔室内的第二基片支承部等离子体与配置于第二基片支承部的基片之间产生的离子通量的分布的数据；和(c)基于第二等离子体处理装置中获取到的分布数据和第一等离子体处理装置中获取到的基准分5置于第一腔室内的第一基片支承部的第一等离子体处理装置中，获取基准分布数据的步间产生的离子通量的分布的数据；(b)在具有第二腔室和配置于第二腔室内的第二基片支成的等离子体与配置于第二基片支承部的基片之间产生的离子通量的分布的数据；和(c)基于第二等离子体处理装置中获取到的分布数据和第一等离子体处理装置中获取到的基于第一基片支承部内的多个第一加热器的每一者供给电功率的步骤；(a_4)在第一腔室内基于(a_4)步骤中对于多个第一加热器的每一者获取到的电功率，来计算基准分布数据的于第二基片支承部内的多个第二加热器的每一者供给电功率的步骤；(b_4)在第二腔室内[0030]在一个例示的实施方式中，(c)步骤中的要素包含关于第二等离子体处理装置中[0031]在一个例示的实施方式中，上述方法还包括(d)制作将离子通量的分布的变化量与能够调节离子通量的分布的要素的变化量相关联的数据表的步骤，(c)步骤基于基准分6关于在其它等离子体处理装置中的其它腔室内生成的等离子体与配置于其它基片支承部布数据是关于在腔室内生成的等离子体与配置于基片支承部的基片之间产生的离子通量的分布的数据，(c)基于该等离子体处理装置中获取到的分布数据与其它等离子体处理装是基片处理装置的一个例子。等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室(也简称为“腔[0038]等离子体生成部12构成能够从被供给至等离子体处理空间内的至少一种处理气体生成等离子体。在等离子体处理空间中形成的等离子体可以是电容耦合等离子体(CCP：CapacitivelyCoupledPlasma)、电感耦合等离子体(ICP：InductivelyCoupledPlasma)、ECR等离子体(Electron_Cyclotron_resonanceplasma：电子回旋共振等离子施方式中，AC等离子体生成部中使用的AC信号(AC电功率)具有100kHz～10GHz的范围内的RF信号具有100kHz～150MHz的范围7[0040]下面，对作为等离子体处理装置1的一个例子的电容耦合型的等离子体处理装置构成为能够将至少一种处理气体导入到等离子体处理腔室10内。气体导入部包括喷淋头环状区域111b在俯视时包围主体部111的中央区域111a。基片W配置在主体部111的中央区性部件。基座1110的导电性部件能够作为下部电极发挥功能。静电吸盘1111配置在基座8为能够向基片W的背面与中央区域111a之间的间隙供给传热气体。温度调节模块的详情在[0046]喷淋头13构成为能够将来自气体供给部20的至少一种处理气体导入到等离子体体导入口13c。被供给至气体供给口13a的处理气体通过气体扩散室13b从多个气体导入口导入部除了包括喷淋头13以外，还可以包括安装在形成于侧壁10a的一个或多个开口部的[0048]电源30包括经由至少一个阻抗匹配电路与等离子体处理腔室10耦合的RF电源3RF电源31构成为能够将至少一个RF信号(RF电功率)供给到至少一个下部电极和/或至少一生成部31a经由至少一个阻抗匹配电路与至少一个下部电极和/或至少一个上部电极耦合，构成为能够生成等离子体生成用的生成源RF信号(生成源RF电功率)。在一个实施方式中，部31a构成为能够生成具有不同频率的多个生成源RF信号。所生成的一个或多个生成源RF[0050]第二RF生成部31b经由至少一个阻抗匹配电路与至少一个下部电极耦合，构成为能够生成偏置RF信号(偏置RF电功率)。偏置RF信号的频率可以与生成源RF信号的频率相二RF生成部31b可以构成为能够生成具有不同频率的多个偏置RF信号。所生成的一个或多9[0053]排气系统40例如能够与设置于等离子体处理腔室10的底部的气体排出口10e连111c单位来控制基片W或基片支承部11的温度。分区111c的个数以及各分区111c的面积和形状可以根据基片W的温度控制中所需的条件控制基板80相对的面)的一个或多个贯通孔90。多个加热器200和多个电阻体201能够经由经由贯通孔90与控制基板80电连接。另外，连接器92可以作为将控制基板80固定于基座[0057]控制基板80是配置有控制多个加热器200和/或多个电阻体201的元件的基片。控个加热器200和多个电阻体201分别对应地设置。可以对于一个加热器200和一个电阻体[0061]各测量部83生成基于与各测量部83对应地设置的各电阻体201的电阻值的电压，供给到控制部81。测量部83可以构成为能够将根据电阻体201的电阻值生成的电压转换为定温度和从测量部83接收到的数字信号所示的电压，来控制供向多个加热器200的电功率[0064]在等离子体处理装置1中进行的等离子体处理方法包含使用等离子体对基片W上[0067]从RF电源31向上部电极和/或下部电极供给一个或多个RF信号。也可以是等离子体处理空间10s内的气氛气体从气体排出口10e被排出，等离子体处理空间10s的内部被减[0068]在等离子体处理时，向多个加热器200的每一者供给电功率，以使得多个加热器法包括在第一等离子体处理装中获取基准分布数据的步骤(ST1)、在第二等离子体处理装中的处理可以在图1所示的等离子体处理系统中执行。图2所示的等离子体处理装置1是第执行。该处理方案可以与在后述的第二等离子体处理装置中进行的等离子体处理(步骤200的每一者供给的电功率。控制部2能够将步骤ST14中获取到的向多个加热器200供给的室10内生成的等离子体与基片之间产生的[0078]离子通量的分布数据可以基于在配置于基片支承部11的基片与等离子体处理腔Γim2)是在基片与等离子体处理腔室10内生成的等离子体之间产生的基片支承部11的仿真基片与等离子体处理腔室10内生成的等离子体之间产生的热通量[0082]此处，P0是在没有生成等离子体的状态下向该分区111c的加热器200供给的电功了等离子体之后的向该分区111c的加热器200供给的电功率(W)成为大致一定时的电功率2)。[0083]图8是表示基准分布数据的一个例子的图。基准分布数据可以在能够正常执行等200的每一者供给的电功率。控制部2能够将步骤ST24中获取到的向多个加热器200供给的是通过与第一等离子体处理装置中的基准分布数据相同的处理方案的等离子体处理获取[0094]如图11所示，步骤ST3包含对第二等离子体处理装置中的分布数据与第一等离子件安装至装置主体的螺纹紧固量、装置所具有的基准分布数据是关于在第一等离子体处理装置中腔室10内生成的等离子体与配置于基片是关于在第二等离子体处理装置中腔室10内生成的等离子体与配置于基片支承部11的基片之间产生的离子通量的分布的数据；(c)基于第二等离子体处理装置中获取到的分布数理装置中获取基准分布数据的步骤(ST1)、在第二等离子体处理装置中获取分布数据的步一个例子，等离子体处理装置1可以具有构成为能够向等离子体处理腔室10内施加磁场的片的温度。在一个例子中，控制部2控制配置于控制基板80的控制部81，以使得在各分区真基片被配置在基片支承部11起经过了规定时间之时作为仿真基片的温度稳定在设定温[0107]接着，在步骤ST05中，获取向多个加热器200供给的电功率。在步骤ST04和步骤[0109]另外，当判断为在使参数变化了的所有条件下获取了向多个加热器200供给的电据表可以为将步骤ST04中执行的等离子体处理中的参数的变化量与根据该变化量产生的个例子，控制部2能够生成将被施加到等离子体中的磁场的磁通密度的分布的变化量与离以是能够使在配置于基片支承部11的基片W与等离子体处理腔室10内生成的等离子体之间之间产生的离子通量Γi相对于在基片和/或环组件112与等离子体之间产生的偏置电压将偏置电压的分布的变化量与离子通量的分布的变化量相关联的数据表。此外，在步骤环组件112的高度的变化量与离子通量的分布的变化量相[0118]在图10所示的离子通量的分布的例子中，与图8所示的离子通量的分布的例子相子体处理装置1可以具有包含一个以上电磁体45的电磁体组件3。电磁体组件3构成为能够[0126]一个以上电磁体45在腔室10内形成关于中心轴线Z轴对称的磁场。通过控制对一个以上电磁体45的每一者供给的电流，能够相对于中心轴线Z在径向上调节磁场的强度分[0130](a)在具有第一腔室和配置于上述第一腔室内的第一基片支承部的第一等离子体离子体与配置于上述第一基片支承部的基片之间产生的离子通量的分布[0131](b)在具有第二腔室和配置于上述第二腔室内的第二基片支承部的第二等离子体[0132](c)基于上述第二等离子体处理装置中获取到的上述分布数据和上述第一等离子[0138](a_3)向配置于上述第一基片支承部内的多个第一加热器的每一者供给电功率的[0139](a_4)在上述第一腔室内生成了等离子体的状态下，获取供给至上述多个第一加[0140](a_5)基于上述(a_4)步骤中对于上述多个第一加热器的[0146](b_3)向配置于上述第二基片支承部内的多个第二加热器的每一者供给电功率的[0147](b_4)在上述第二腔室内生成了等离子体的状态下，获取供给至上述多个第二加[0148](b_5)基于上述(b_4)步骤中对于上述多个第二加热器的[0151]上述(c)步骤中的上述要素包含关于上述第二等离子体处理装置中的等离子体处[0154]还包括(d)制作将上述离子通量的分布的变化量与能够调节上述离子通量的分布[0163]上述多个第一加热器分别在上述多个第一支承区域的各第一支承区域中配置在[0168]上述多个第二加热器分别在上述多个第二支承区域的各第二支承区域中配置在[0173](a)获取在不同于该等离子体处理装置的其它等离子体处理装置中获取到的基准等离子体与配置于其它基片支承部的基片之间